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1. 发明专利

TWI647972B 面狀發熱體及具備面狀發熱體的半導體製造裝置有权
简体标题：面状发热体及具备面状发热体的半导体制造设备
公开(公告)号：TWI647972B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW104111552
申请日：2015-04-10
申请人： TOCALO股份有限公司 , TOCALO CO., LTD.
发明人：山崎良 , YAMASAKI, RYO , 稻葉光晴 , INABA, MITSUHARU , 山野英明 , YAMANO, HIDEAKI , 田口研良 , TAGUCHI, KENSUKE
IPC分类号： H05B3/20 , H01L21/3065

2. 发明专利

TWI581361B 靜電吸盤及靜電吸盤的製造方法有权
简体标题：静电吸盘及静电吸盘的制造方法
公开(公告)号：TWI581361B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW102109959
申请日：2013-03-21
申请人： TOCALO股份有限公司 , TOCALO CO., LTD.
发明人：山崎良 , YAMASAKI, RYO , 稻葉光晴 , INABA, MITSUHARU , 田口研良 , TAGUCHI, KENSUKE
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6833 , C23C4/01 , C23C4/11 , C23C4/12 , H01L21/67103 , H01L21/6831 , H02N13/00

3. 发明专利

TW201633839A 面狀發熱體及具備面狀發熱體的半導體製造裝置审中-公开
简体标题：面状发热体及具备面状发热体的半导体制造设备
公开(公告)号：TW201633839A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104111552
申请日：2015-04-10
申请人： TOCALO股份有限公司 , TOCALO CO., LTD.
发明人：山崎良 , YAMASAKI, RYO , 稻葉光晴 , INABA, MITSUHARU , 山野英明 , YAMANO, HIDEAKI , 田口研良 , TAGUCHI, KENSUKE
IPC分类号： H05B3/20 , H01L21/3065
CPC分类号： H05B3/20
摘要：本發明的課題為提供一種可使對象物的加熱時的電阻發熱體的彎曲部中的溫度分布均勻，並且升溫時及降溫時的響應性也良好之面狀發熱體及使用面狀發熱體的半導體製造裝置。本發明的解決手段為一種面狀發熱體，將電阻發熱體31-1配置成圖案狀，在配置成圖案狀的電阻發熱體的彎曲部配設沿著該電阻發熱體的延伸方向延伸的至少一條開縫32-1。【代表圖】
简体摘要：本发明的课题为提供一种可使对象物的加热时的电阻发热体的弯曲部中的温度分布均匀，并且升温时及降温时的响应性也良好之面状发热体及使用面状发热体的半导体制造设备。本发明的解决手段为一种面状发热体，将电阻发热体31-1配置成图案状，在配置成图案状的电阻发热体的弯曲部配设沿着该电阻发热体的延伸方向延伸的至少一条开缝32-1。【代表图】

4. 发明专利

TW201347079A 靜電吸盤及靜電吸盤的製造方法审中-公开
简体标题：静电吸盘及静电吸盘的制造方法
公开(公告)号：TW201347079A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102109959
申请日：2013-03-21
申请人： TOCALO股份有限公司 , TOCALO CO., LTD.
发明人：山崎良 , YAMASAKI, RYO , 稻葉光晴 , INABA, MITSUHARU , 田口研良 , TAGUCHI, KENSUKE
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6833 , C23C4/01 , C23C4/11 , C23C4/12 , H01L21/67103 , H01L21/6831 , H02N13/00
摘要：本發明的課題為提供一種不存在使用接著劑的情形下的缺點，並且設計的自由度高之靜電吸盤及靜電吸盤的製造方法。本發明的解決手段為一種靜電吸盤1，包含:構成吸盤本體之基部材2；形成於基部材2的表面2a之由熔射塗膜構成的第一絕緣層3；將導電性糊塗佈於第一絕緣層3的表面3a而形成之由導體構成的加熱器部4；形成於第一絕緣層3的表面3a以覆蓋加熱器部4之由熔射塗膜構成的第二絕緣層5，熔射於第二絕緣層5的表面5a而形成之電極部6；形成於第二絕緣層5的表面5a以覆蓋電極部6之由熔射塗膜構成的介電層7，不使用接著劑而降低加熱器部4的體積電阻率。
简体摘要：本发明的课题为提供一种不存在使用接着剂的情形下的缺点，并且设计的自由度高之静电吸盘及静电吸盘的制造方法。本发明的解决手段为一种静电吸盘1，包含:构成吸盘本体之基部材2；形成于基部材2的表面2a之由熔射涂膜构成的第一绝缘层3；将导电性煳涂布于第一绝缘层3的表面3a而形成之由导体构成的加热器部4；形成于第一绝缘层3的表面3a以覆盖加热器部4之由熔射涂膜构成的第二绝缘层5，熔射于第二绝缘层5的表面5a而形成之电极部6；形成于第二绝缘层5的表面5a以覆盖电极部6之由熔射涂膜构成的介电层7，不使用接着剂而降低加热器部4的体积电阻率。

5. 发明专利

TW201338070A 絕緣物狀態判定總成及方法审中-公开
简体标题：绝缘物状态判定总成及方法
公开(公告)号：TW201338070A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW102100118
申请日：2013-01-03
申请人：托卡洛股份有限公司 , TOCALO CO., LTD.
发明人：虻川志向 , ABUKAWA, SHIKOU , 山崎良 , YAMASAKI, RYO , 竹內純一 , TAKEUCHI, JUNICHI
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/68 , G01R29/12
CPC分类号： G01R27/02 , G01R27/26 , G01R29/12 , G01R31/12 , G01R31/2886 , H01L22/14
摘要：本發明提供一種總成，其係可使用直流電源，來算出絕緣物之電性等效電路之電容量者。本發明之總成係用以判定絕緣物狀態之總成，並具有直流電源、第1電阻體、開關、電壓測定器、及算出部。第1電阻體與直流電源及絕緣物串聯地連接，並具有已知之第1電阻。開關可切換為充電狀態與放電狀態。所謂的充電狀態係指對絕緣物與第1電阻體從直流電源施加直流電壓，使絕緣物充電之狀態。所謂的放電狀態係指不對絕緣物與第1電阻體從直流電源施加直流電壓，使絕緣物放電之狀態。電壓測定器在將開關從充電狀態切換成放電狀態之後，測定施加於第1電阻體之電壓。算出部係根據第1電阻與電壓之測定值，來算出絕緣物之電性等效電路之電容量。
简体摘要：本发明提供一种总成，其系可使用直流电源，来算出绝缘物之电性等效电路之电容量者。本发明之总成系用以判定绝缘物状态之总成，并具有直流电源、第1电阻体、开关、电压测定器、及算出部。第1电阻体与直流电源及绝缘物串联地连接，并具有已知之第1电阻。开关可切换为充电状态与放电状态。所谓的充电状态系指对绝缘物与第1电阻体从直流电源施加直流电压，使绝缘物充电之状态。所谓的放电状态系指不对绝缘物与第1电阻体从直流电源施加直流电压，使绝缘物放电之状态。电压测定器在将开关从充电状态切换成放电状态之后，测定施加于第1电阻体之电压。算出部系根据第1电阻与电压之测定值，来算出绝缘物之电性等效电路之电容量。

6. 发明专利

TW201834988A 石英玻璃元件及石英玻璃元件之製造方法审中-公开
简体标题：石英玻璃组件及石英玻璃组件之制造方法
公开(公告)号：TW201834988A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107124236
申请日：2014-08-27
申请人：日商泰谷諾石英股份有限公司 , TECHNO QUARTZ INC. , 日商都卡洛股份有限公司 , TOCALO CO., LTD.
发明人：磯貝宏道 , ISOGAI,HIROMICHI , 加藤征秀 , KATO,MASAHIDE , 梅津康浩 , UMETSU,YASUHIRO , 山崎良 , YAMAZAKI,RYO , 土生陽一郎 , TSUCHIO,YOICHIRO
IPC分类号： C03C3/06 , C03B20/00 , C03C17/02 , C23C4/10 , C23C4/12 , H05H1/48
摘要：〔課題〕提供一種對應於薄型化且提高遮光性和耐熱性之石英玻璃元件及石英玻璃元件之製造方法。〔解決手段〕一種石英玻璃元件，係在石英玻璃基材之表面，藉由以電漿熔射矽粉末而形成皮膜所組成之石英玻璃元件，其特徵在於：石英玻璃基材係由非透明石英玻璃而組成，矽粉末之100μm以上之粒徑之比率為3%以下，矽粉末之100μm以上之粒徑之比率為0%，矽粉末之D50%粒徑為25～35μm，皮膜20之平均膜厚為40～60μm，石英玻璃基材10之表面粗糙度Ra為2～4μm。
简体摘要：〔课题〕提供一种对应于薄型化且提高遮光性和耐热性之石英玻璃组件及石英玻璃组件之制造方法。〔解决手段〕一种石英玻璃组件，系在石英玻璃基材之表面，借由以等离子熔射硅粉末而形成皮膜所组成之石英玻璃组件，其特征在于：石英玻璃基材系由非透明石英玻璃而组成，硅粉末之100μm以上之粒径之比率为3%以下，硅粉末之100μm以上之粒径之比率为0%，硅粉末之D50%粒径为25～35μm，皮膜20之平均膜厚为40～60μm，石英玻璃基材10之表面粗糙度Ra为2～4μm。

7. 发明专利

TWI582876B 絕緣物狀態判定總成及方法有权
简体标题：绝缘物状态判定总成及方法
公开(公告)号：TWI582876B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW102100118
申请日：2013-01-03
申请人：托卡洛股份有限公司 , TOCALO CO., LTD.
发明人：虻川志向 , ABUKAWA, SHIKOU , 山崎良 , YAMASAKI, RYO , 竹內純一 , TAKEUCHI, JUNICHI
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/68 , G01R29/12
CPC分类号： G01R27/02 , G01R27/26 , G01R29/12 , G01R31/12 , G01R31/2886 , H01L22/14

8. 发明专利

TW201527243A 石英玻璃元件及石英玻璃元件之製造方法审中-公开
简体标题：石英玻璃组件及石英玻璃组件之制造方法
公开(公告)号：TW201527243A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103129470
申请日：2014-08-27
申请人：泰谷諾石英股份有限公司 , TECHNO QUARTZ INC. , 都卡洛股份有限公司 , TOCALO CO., LTD.
发明人：磯貝宏道 , ISOGAI, HIROMICHI , 加藤征秀 , KATO, MASAHIDE , 梅津康浩 , UMETSU, YASUHIRO , 山崎良 , YAMAZAKI, RYO , 土生陽一郎 , TSUCHIO, YOICHIRO
IPC分类号： C03C3/06 , C03B20/00 , C03C17/02 , C23C4/10 , C23C4/12 , H05H1/46
CPC分类号： C03C17/22 , C03C15/00 , C03C2217/262 , C03C2218/13 , C03C2218/31 , C03C2218/33
摘要：提供一種對應於薄型化且提高遮光性和耐熱性之石英玻璃元件及石英玻璃元件之製造方法。一種石英玻璃元件，係在石英玻璃基材之表面，藉由以電漿熔射矽粉末而形成皮膜所組成之石英玻璃元件，其特徵在於：石英玻璃基材係由非透明石英玻璃而組成，矽粉末之100μm以上之粒徑之比率為3%以下，矽粉末之100μm以上之粒徑之比率為0%，矽粉末之D50%粒徑為25~35μm，皮膜20之平均膜厚為40~60μm，石英玻璃基材10之表面粗糙度Ra為2~4μm。
简体摘要：提供一种对应于薄型化且提高遮光性和耐热性之石英玻璃组件及石英玻璃组件之制造方法。一种石英玻璃组件，系在石英玻璃基材之表面，借由以等离子熔射硅粉末而形成皮膜所组成之石英玻璃组件，其特征在于：石英玻璃基材系由非透明石英玻璃而组成，硅粉末之100μm以上之粒径之比率为3%以下，硅粉末之100μm以上之粒径之比率为0%，硅粉末之D50%粒径为25~35μm，皮膜20之平均膜厚为40~60μm，石英玻璃基材10之表面粗糙度Ra为2~4μm。

9. 发明专利

TWI640488B 石英玻璃元件及石英玻璃元件之製造方法有权
简体标题：石英玻璃组件及石英玻璃组件之制造方法
公开(公告)号：TWI640488B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW103129470
申请日：2014-08-27
申请人：泰谷諾石英股份有限公司 , TECHNO QUARTZ INC. , 都卡洛股份有限公司 , TOCALO CO., LTD.
发明人：磯貝宏道 , ISOGAI, HIROMICHI , 加藤征秀 , KATO, MASAHIDE , 梅津康浩 , UMETSU, YASUHIRO , 山崎良 , YAMAZAKI, RYO , 土生陽一郎 , TSUCHIO, YOICHIRO
IPC分类号： C03C3/06 , C03B20/00 , C03C17/02 , C23C4/10 , C23C4/12 , H05H1/46

10. 发明专利

TWI385277B 黑色氧化釔熔射皮膜的形成方法及黑色氧化釔熔射皮膜被覆材料失效
简体标题：黑色氧化钇熔射皮膜的形成方法及黑色氧化钇熔射皮膜被覆材料
公开(公告)号：TWI385277B
公开(公告)日：2013-02-11
申请号：TW097125606
申请日：2008-07-07
申请人：都卡洛股份有限公司 , TOCALO CO., LTD.
发明人：原田良夫 , HARADA YOSHIO , 竹內純一 , TAKEUCHI, JUNICHI , 山崎良 , YAMASAKI, RYO
IPC分类号： C23C4/10 , C01F17/00
CPC分类号： C23C4/02 , C23C4/11

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