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1. 发明专利

TW201527243A 石英玻璃元件及石英玻璃元件之製造方法审中-公开
简体标题：石英玻璃组件及石英玻璃组件之制造方法
公开(公告)号：TW201527243A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103129470
申请日：2014-08-27
申请人：泰谷諾石英股份有限公司 , TECHNO QUARTZ INC. , 都卡洛股份有限公司 , TOCALO CO., LTD.
发明人：磯貝宏道 , ISOGAI, HIROMICHI , 加藤征秀 , KATO, MASAHIDE , 梅津康浩 , UMETSU, YASUHIRO , 山崎良 , YAMAZAKI, RYO , 土生陽一郎 , TSUCHIO, YOICHIRO
IPC分类号： C03C3/06 , C03B20/00 , C03C17/02 , C23C4/10 , C23C4/12 , H05H1/46
CPC分类号： C03C17/22 , C03C15/00 , C03C2217/262 , C03C2218/13 , C03C2218/31 , C03C2218/33
摘要：提供一種對應於薄型化且提高遮光性和耐熱性之石英玻璃元件及石英玻璃元件之製造方法。一種石英玻璃元件，係在石英玻璃基材之表面，藉由以電漿熔射矽粉末而形成皮膜所組成之石英玻璃元件，其特徵在於：石英玻璃基材係由非透明石英玻璃而組成，矽粉末之100μm以上之粒徑之比率為3%以下，矽粉末之100μm以上之粒徑之比率為0%，矽粉末之D50%粒徑為25~35μm，皮膜20之平均膜厚為40~60μm，石英玻璃基材10之表面粗糙度Ra為2~4μm。
简体摘要：提供一种对应于薄型化且提高遮光性和耐热性之石英玻璃组件及石英玻璃组件之制造方法。一种石英玻璃组件，系在石英玻璃基材之表面，借由以等离子熔射硅粉末而形成皮膜所组成之石英玻璃组件，其特征在于：石英玻璃基材系由非透明石英玻璃而组成，硅粉末之100μm以上之粒径之比率为3%以下，硅粉末之100μm以上之粒径之比率为0%，硅粉末之D50%粒径为25~35μm，皮膜20之平均膜厚为40~60μm，石英玻璃基材10之表面粗糙度Ra为2~4μm。

2. 发明专利

TW201834988A 石英玻璃元件及石英玻璃元件之製造方法审中-公开
简体标题：石英玻璃组件及石英玻璃组件之制造方法
公开(公告)号：TW201834988A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107124236
申请日：2014-08-27
申请人：日商泰谷諾石英股份有限公司 , TECHNO QUARTZ INC. , 日商都卡洛股份有限公司 , TOCALO CO., LTD.
发明人：磯貝宏道 , ISOGAI,HIROMICHI , 加藤征秀 , KATO,MASAHIDE , 梅津康浩 , UMETSU,YASUHIRO , 山崎良 , YAMAZAKI,RYO , 土生陽一郎 , TSUCHIO,YOICHIRO
IPC分类号： C03C3/06 , C03B20/00 , C03C17/02 , C23C4/10 , C23C4/12 , H05H1/48
摘要：〔課題〕提供一種對應於薄型化且提高遮光性和耐熱性之石英玻璃元件及石英玻璃元件之製造方法。〔解決手段〕一種石英玻璃元件，係在石英玻璃基材之表面，藉由以電漿熔射矽粉末而形成皮膜所組成之石英玻璃元件，其特徵在於：石英玻璃基材係由非透明石英玻璃而組成，矽粉末之100μm以上之粒徑之比率為3%以下，矽粉末之100μm以上之粒徑之比率為0%，矽粉末之D50%粒徑為25～35μm，皮膜20之平均膜厚為40～60μm，石英玻璃基材10之表面粗糙度Ra為2～4μm。
简体摘要：〔课题〕提供一种对应于薄型化且提高遮光性和耐热性之石英玻璃组件及石英玻璃组件之制造方法。〔解决手段〕一种石英玻璃组件，系在石英玻璃基材之表面，借由以等离子熔射硅粉末而形成皮膜所组成之石英玻璃组件，其特征在于：石英玻璃基材系由非透明石英玻璃而组成，硅粉末之100μm以上之粒径之比率为3%以下，硅粉末之100μm以上之粒径之比率为0%，硅粉末之D50%粒径为25～35μm，皮膜20之平均膜厚为40～60μm，石英玻璃基材10之表面粗糙度Ra为2～4μm。

3. 发明专利

TWI640488B 石英玻璃元件及石英玻璃元件之製造方法有权
简体标题：石英玻璃组件及石英玻璃组件之制造方法
公开(公告)号：TWI640488B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW103129470
申请日：2014-08-27
申请人：泰谷諾石英股份有限公司 , TECHNO QUARTZ INC. , 都卡洛股份有限公司 , TOCALO CO., LTD.
发明人：磯貝宏道 , ISOGAI, HIROMICHI , 加藤征秀 , KATO, MASAHIDE , 梅津康浩 , UMETSU, YASUHIRO , 山崎良 , YAMAZAKI, RYO , 土生陽一郎 , TSUCHIO, YOICHIRO
IPC分类号： C03C3/06 , C03B20/00 , C03C17/02 , C23C4/10 , C23C4/12 , H05H1/46

4. 发明专利

TWI385277B 黑色氧化釔熔射皮膜的形成方法及黑色氧化釔熔射皮膜被覆材料失效
简体标题：黑色氧化钇熔射皮膜的形成方法及黑色氧化钇熔射皮膜被覆材料
公开(公告)号：TWI385277B
公开(公告)日：2013-02-11
申请号：TW097125606
申请日：2008-07-07
申请人：都卡洛股份有限公司 , TOCALO CO., LTD.
发明人：原田良夫 , HARADA YOSHIO , 竹內純一 , TAKEUCHI, JUNICHI , 山崎良 , YAMASAKI, RYO
IPC分类号： C23C4/10 , C01F17/00
CPC分类号： C23C4/02 , C23C4/11

5. 发明专利

TWI323294B 熱放射特性等優異之噴敷皮膜被覆構件及其製造方法有权
简体标题：热放射特性等优异之喷敷皮膜被覆构件及其制造方法
公开(公告)号：TWI323294B
公开(公告)日：2010-04-11
申请号：TW095130789
申请日：2006-08-22
申请人：都卡洛股份有限公司
发明人：原田良夫 , 竹內純一 , 山崎良 , 小林啟悟
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C4/18 , C23C4/02 , C23C4/11 , Y10T428/26
摘要：本發明係以解決白色系Al2 O3－Y2 O3複氧化物之電漿噴敷(flame spray)皮膜所具有之課題，即，解決因為皮膜為多孔質且粒子間結合力弱，故缺乏耐蝕性、耐熱性及耐磨損性、加上光反射率高之缺點為其目的，提案基材之表面以低明亮度之無色彩或有色彩之Al2 O3－Y2 O3所構成之帶色複氧化物的噴敷皮膜予以被覆之熱放射特性等優異之噴敷皮膜被覆構件及其製造方法。【創作特點】先前的噴敷皮膜，例如，Al2 O3－Y2 O3之複氧化物噴敷皮膜，一般為噴敷粉末材料的固有色，以蒙瑟爾(Munsell)色標記為(1－10)(Y、YR)(7－9)/(1－2)左右的白色系。此噴敷皮膜以發明者等人之經驗，於近年之尖端工業領域之要求上，其實況為仍未充分符合。即，(1)白色系之Al2 O3－Y2 O3複氧化物之噴敷皮膜為光反射率高，因此不能稱為符合作為要求良好熱放射率之領域的被覆構件。
(2)白色系之噴敷皮膜，於構件之使用環境為半導體加工裝置內部般之必須高度清淨性的場所，因附著有色彩的顆粒，故產生必須以必要以上之頻率重複洗淨，導致作業效率降低和製品成本上升。
(3)白色系之Al2 O3－Y2 O3複氧化物之噴敷皮膜，因構成皮膜之噴敷粒子的接觸面積小，故粒子相互的結合力弱，成為空隙(氣孔)多的多孔質皮膜。因此，Al2 O3－Y2 O3複氧化物本身雖具有優良的耐蝕性，但於氣孔中環境的腐蝕成分(例如，水分、酸、鹽類、鹵素氣體等)易侵入，且易引起基材的腐蝕和皮膜的剝離。
(4)白色系之Al2 O3－Y2 O3複氧化物之噴敷皮膜，為噴敷粒子的相互結合力弱，因此，若受到噴砂侵蝕般之來自外部的衝擊，則粒子易局部性脫落，且此部分成為皮膜全體的破壞起點，損害皮膜的耐久性。
(5)白色系Al2 O3－Y2 O3複氧化物之噴敷皮膜，為多孔質且粒子間結合力弱，加上於噴敷熱源中多未經過充分的熔融現象。因此，於含有氟氣、O2氣體、氟化物氣體等之環境下以電漿蝕刻和電漿清洗處理中，易被蝕刻，且耐用期間短。因此，被電漿蝕刻的皮膜粒子成為微細顆粒污染環境，導致半導體加工製品的品質降低。
(6)又，白色系Al2 O3－Y2 O3複氧化物之噴敷皮膜，因構成此皮膜之粒子的相互結合力弱，故將皮膜機械加工時，屢屢脫落粒子，無法精密加工。
本發明之目的為鑑於先前技術所具有之上述課題而進行開發，特別，提案除了熱放射特性優良以外，為耐損傷性和耐磨損性等之機械性、耐蝕性等之化學特性及耐電漿蝕刻特性等優良之複氧化物的噴敷皮膜被覆構件。
本發明中，提案將先前技術之Al2 O3－Y2 O3複氧化物之噴敷皮膜進一步改善之下述要旨構成的噴敷皮膜被覆構件及其製造方法。
(1)基材之表面為以低亮度之無色彩或有色彩之Al2 O3－Y2 O3所構成之帶色複氧化物的噴敷皮膜予以被覆之熱放射特性等優異的噴敷皮膜被覆構件。
(2)於基材之表面與前述帶色複氧化物所構成之噴敷皮膜之間，設置金屬．合金或陶金噴敷皮膜所構成之襯底層之熱放射特性等優異的噴敷皮膜被覆構件。
(3)前述帶色複氧化物之噴敷皮膜為經由電子束照射處理或雷射束照射處理，使得噴敷粉末材料之固有色所具有的亮度降低或進一步令彩度降低之色所構成之熱放射特性等優異的噴敷皮膜被覆構件。
(4)前述帶色複氧化物之噴敷皮膜為50~2000 μ m厚之熱放射特性等優異的噴敷皮膜被覆構件。
(5)上述襯底層為令Ni及其合金、Mo及其合金、Ti及其合金、Al及其合金、Mg合金中選出任何一種以上之金屬或合金或陶金以50~500 μ m厚度形成之金屬噴敷皮膜之熱放射特性等優異的噴敷皮膜被覆構件。
(6)對基材表面直接、或對此基材表面形成之襯底層表面，將具有高亮度之白色系固有色之Al2 O3－Y2 O3複氧化物的噴敷粉末材料予以噴敷，其次，對此噴敷所得之白色系固有色的Al2 O3－Y2 O3複氧化物噴敷皮膜表面照射電子束或雷射束，令該噴敷皮膜表面變化成低亮度之無色彩或有色彩之熱放射特性等優異之噴敷皮膜被覆構件的製造方法。
(7)經由前述電子束照射處理或雷射束照射處理，令白色系固有色之Al2 O3－Y2 O3複氧化物噴敷皮膜表面開始未滿50 μ m之層，變化成低亮度之無色彩或有色彩之熱放射特性等優異之噴敷皮膜被覆構件的製造方法。
(8)對基材表面直接、或對此基材表面形成之金屬噴敷皮膜所構成之襯底層表面，將具有高亮度之白色系固有色之Al2 O3－Y2 O3複氧化物噴敷粉末材料，經由電漿噴敷，形成低亮度之無色彩或有色彩之Al2 O3－Y2 O3所構成之帶色複氧化物噴敷皮膜之熱放射特性等優異的噴敷皮膜被覆構件的製造方法。
(9)前述電漿噴敷為在比大氣更低氧分壓之環境中進行之熱放射特性等優異之噴敷皮膜被覆構件的製造方法。
基本而言，本發明係因白色系Al2 O3－Y2 O3複氧化物噴敷皮膜所具有之各特性，例如，鹵素或鹵化合物於氣體環境中之耐電漿蝕刻性優異，故適合使用作為要求精密之加工精度和清淨環境之最近的半導體加工裝置用構件，對於半導體加工製品之品質及生產性之提高上有大貢獻。加上，本發明為將噴敷皮膜之表色作成灰色般之濃灰色，熱放射特性和耐損傷性優良，特別施以電子束照射或雷射束照射處理者為皮膜表面平滑，且構成皮膜之Al2 O3－Y2 O3複氧化物粒子為相互融合，形成緻密的皮膜，故可更加提高滑動特性和耐蝕性、耐磨損性等，可長期使用作為工業領域用製品。
更且，本發明之帶色Al2 O3－Y2 O3複氧化物之噴敷皮膜，可用以作為要求熱放射及受熱效率高特性之加熱放熱器類的保護皮膜。
又，本發明為經由將上述具有各特性之噴敷皮膜被覆構件採用電子束照射處理或雷射束照射處理則可有利地製造。
简体摘要：本发明系以解决白色系Al2 O3－Y2 O3复氧化物之等离子喷敷(flame spray)皮膜所具有之课题，即，解决因为皮膜为多孔质且粒子间结合力弱，故缺乏耐蚀性、耐热性及耐磨损性、加上光反射率高之缺点为其目的，提案基材之表面以低明亮度之无色彩或有色彩之Al2 O3－Y2 O3所构成之带色复氧化物的喷敷皮膜予以被覆之热放射特性等优异之喷敷皮膜被覆构件及其制造方法。【创作特点】先前的喷敷皮膜，例如，Al2 O3－Y2 O3之复氧化物喷敷皮膜，一般为喷敷粉末材料的固有色，以蒙瑟尔(Munsell)色标记为(1－10)(Y、YR)(7－9)/(1－2)左右的白色系。此喷敷皮膜以发明者等人之经验，于近年之尖端工业领域之要求上，其实况为仍未充分符合。即，(1)白色系之Al2 O3－Y2 O3复氧化物之喷敷皮膜为光反射率高，因此不能称为符合作为要求良好热放射率之领域的被覆构件。 (2)白色系之喷敷皮膜，于构件之使用环境为半导体加工设备内部般之必须高度清净性的场所，因附着有色彩的颗粒，故产生必须以必要以上之频率重复洗净，导致作业效率降低和制品成本上升。 (3)白色系之Al2 O3－Y2 O3复氧化物之喷敷皮膜，因构成皮膜之喷敷粒子的接触面积小，故粒子相互的结合力弱，成为空隙(气孔)多的多孔质皮膜。因此，Al2 O3－Y2 O3复氧化物本身虽具有优良的耐蚀性，但于气孔中环境的腐蚀成分(例如，水分、酸、盐类、卤素气体等)易侵入，且易引起基材的腐蚀和皮膜的剥离。 (4)白色系之Al2 O3－Y2 O3复氧化物之喷敷皮膜，为喷敷粒子的相互结合力弱，因此，若受到喷砂侵蚀般之来自外部的冲击，则粒子易局部性脱落，且此部分成为皮膜全体的破坏起点，损害皮膜的耐久性。 (5)白色系Al2 O3－Y2 O3复氧化物之喷敷皮膜，为多孔质且粒子间结合力弱，加上于喷敷热源中多未经过充分的熔融现象。因此，于含有氟气、O2气体、氟化物气体等之环境下以等离子蚀刻和等离子清洗处理中，易被蚀刻，且耐用期间短。因此，被等离子蚀刻的皮膜粒子成为微细颗粒污染环境，导致半导体加工制品的品质降低。 (6)又，白色系Al2 O3－Y2 O3复氧化物之喷敷皮膜，因构成此皮膜之粒子的相互结合力弱，故将皮膜机械加工时，屡屡脱落粒子，无法精密加工。本发明之目的为鉴于先前技术所具有之上述课题而进行开发，特别，提案除了热放射特性优良以外，为耐损伤性和耐磨损性等之机械性、耐蚀性等之化学特性及耐等离子蚀刻特性等优良之复氧化物的喷敷皮膜被覆构件。本发明中，提案将先前技术之Al2 O3－Y2 O3复氧化物之喷敷皮膜进一步改善之下述要旨构成的喷敷皮膜被覆构件及其制造方法。 (1)基材之表面为以低亮度之无色彩或有色彩之Al2 O3－Y2 O3所构成之带色复氧化物的喷敷皮膜予以被覆之热放射特性等优异的喷敷皮膜被覆构件。 (2)于基材之表面与前述带色复氧化物所构成之喷敷皮膜之间，设置金属．合金或陶金喷敷皮膜所构成之衬底层之热放射特性等优异的喷敷皮膜被覆构件。 (3)前述带色复氧化物之喷敷皮膜为经由电子束照射处理或激光束照射处理，使得喷敷粉末材料之固有色所具有的亮度降低或进一步令彩度降低之色所构成之热放射特性等优异的喷敷皮膜被覆构件。 (4)前述带色复氧化物之喷敷皮膜为50~2000 μ m厚之热放射特性等优异的喷敷皮膜被覆构件。 (5)上述衬底层为令Ni及其合金、Mo及其合金、Ti及其合金、Al及其合金、Mg合金中选出任何一种以上之金属或合金或陶金以50~500 μ m厚度形成之金属喷敷皮膜之热放射特性等优异的喷敷皮膜被覆构件。 (6)对基材表面直接、或对此基材表面形成之衬底层表面，将具有高亮度之白色系固有色之Al2 O3－Y2 O3复氧化物的喷敷粉末材料予以喷敷，其次，对此喷敷所得之白色系固有色的Al2 O3－Y2 O3复氧化物喷敷皮膜表面照射电子束或激光束，令该喷敷皮膜表面变化成低亮度之无色彩或有色彩之热放射特性等优异之喷敷皮膜被覆构件的制造方法。 (7)经由前述电子束照射处理或激光束照射处理，令白色系固有色之Al2 O3－Y2 O3复氧化物喷敷皮膜表面开始未满50 μ m之层，变化成低亮度之无色彩或有色彩之热放射特性等优异之喷敷皮膜被覆构件的制造方法。 (8)对基材表面直接、或对此基材表面形成之金属喷敷皮膜所构成之衬底层表面，将具有高亮度之白色系固有色之Al2 O3－Y2 O3复氧化物喷敷粉末材料，经由等离子喷敷，形成低亮度之无色彩或有色彩之Al2 O3－Y2 O3所构成之带色复氧化物喷敷皮膜之热放射特性等优异的喷敷皮膜被覆构件的制造方法。 (9)前述等离子喷敷为在比大气更低氧分压之环境中进行之热放射特性等优异之喷敷皮膜被覆构件的制造方法。基本而言，本发明系因白色系Al2 O3－Y2 O3复氧化物喷敷皮膜所具有之各特性，例如，卤素或卤化合物于气体环境中之耐等离子蚀刻性优异，故适合使用作为要求精密之加工精度和清净环境之最近的半导体加工设备用构件，对于半导体加工制品之品质及生产性之提高上有大贡献。加上，本发明为将喷敷皮膜之表色作成灰色般之浓灰色，热放射特性和耐损伤性优良，特别施以电子束照射或激光束照射处理者为皮膜表面平滑，且构成皮膜之Al2 O3－Y2 O3复氧化物粒子为相互融合，形成致密的皮膜，故可更加提高滑动特性和耐蚀性、耐磨损性等，可长期使用作为工业领域用制品。更且，本发明之带色Al2 O3－Y2 O3复氧化物之喷敷皮膜，可用以作为要求热放射及受热效率高特性之加热放热器类的保护皮膜。又，本发明为经由将上述具有各特性之喷敷皮膜被覆构件采用电子束照射处理或激光束照射处理则可有利地制造。

6. 发明专利

TWI351444B 半導體加工裝置用陶瓷覆蓋構件有权
简体标题：半导体加工设备用陶瓷覆盖构件
公开(公告)号：TWI351444B
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW096108628
申请日：2007-03-13
申请人：東京威力科創股份有限公司 , 都卡洛股份有限公司
发明人：小林義之 , 村上貴宏 , 原田良夫 , 竹內純一 , 山崎良 , 小林啓悟
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C28/042 , C23C4/02 , C23C4/11 , C23C4/18 , C23C26/00
摘要：本發明之課題
在強力腐蝕環境下，謀求進行電漿蝕刻加工之半導體加工用裝置等容器內配設構件的耐久性提高。
本發明之解決手段
在金屬製或非金屬製基材之表面，直接或經由底塗層，來具有由周期表IIIb族氧化物之熔噴皮膜所構成的多孔質層，而在該層之上，藉由電子束或雷射光束等高能量照射處理形成有二次再結晶層，來構成陶瓷覆蓋構件。
简体摘要：本发明之课题在强力腐蚀环境下，谋求进行等离子蚀刻加工之半导体加工用设备等容器内配设构件的耐久性提高。本发明之解决手段在金属制或非金属制基材之表面，直接或经由底涂层，来具有由周期表IIIb族氧化物之熔喷皮膜所构成的多孔质层，而在该层之上，借由电子束或激光光束等高能量照射处理形成有二次再结晶层，来构成陶瓷覆盖构件。

7. 发明专利

TW201338070A 絕緣物狀態判定總成及方法审中-公开
简体标题：绝缘物状态判定总成及方法
公开(公告)号：TW201338070A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW102100118
申请日：2013-01-03
申请人：托卡洛股份有限公司 , TOCALO CO., LTD.
发明人：虻川志向 , ABUKAWA, SHIKOU , 山崎良 , YAMASAKI, RYO , 竹內純一 , TAKEUCHI, JUNICHI
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/68 , G01R29/12
CPC分类号： G01R27/02 , G01R27/26 , G01R29/12 , G01R31/12 , G01R31/2886 , H01L22/14
摘要：本發明提供一種總成，其係可使用直流電源，來算出絕緣物之電性等效電路之電容量者。本發明之總成係用以判定絕緣物狀態之總成，並具有直流電源、第1電阻體、開關、電壓測定器、及算出部。第1電阻體與直流電源及絕緣物串聯地連接，並具有已知之第1電阻。開關可切換為充電狀態與放電狀態。所謂的充電狀態係指對絕緣物與第1電阻體從直流電源施加直流電壓，使絕緣物充電之狀態。所謂的放電狀態係指不對絕緣物與第1電阻體從直流電源施加直流電壓，使絕緣物放電之狀態。電壓測定器在將開關從充電狀態切換成放電狀態之後，測定施加於第1電阻體之電壓。算出部係根據第1電阻與電壓之測定值，來算出絕緣物之電性等效電路之電容量。
简体摘要：本发明提供一种总成，其系可使用直流电源，来算出绝缘物之电性等效电路之电容量者。本发明之总成系用以判定绝缘物状态之总成，并具有直流电源、第1电阻体、开关、电压测定器、及算出部。第1电阻体与直流电源及绝缘物串联地连接，并具有已知之第1电阻。开关可切换为充电状态与放电状态。所谓的充电状态系指对绝缘物与第1电阻体从直流电源施加直流电压，使绝缘物充电之状态。所谓的放电状态系指不对绝缘物与第1电阻体从直流电源施加直流电压，使绝缘物放电之状态。电压测定器在将开关从充电状态切换成放电状态之后，测定施加于第1电阻体之电压。算出部系根据第1电阻与电压之测定值，来算出绝缘物之电性等效电路之电容量。

8. 发明专利

TWI647972B 面狀發熱體及具備面狀發熱體的半導體製造裝置有权
简体标题：面状发热体及具备面状发热体的半导体制造设备
公开(公告)号：TWI647972B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW104111552
申请日：2015-04-10
申请人： TOCALO股份有限公司 , TOCALO CO., LTD.
发明人：山崎良 , YAMASAKI, RYO , 稻葉光晴 , INABA, MITSUHARU , 山野英明 , YAMANO, HIDEAKI , 田口研良 , TAGUCHI, KENSUKE
IPC分类号： H05B3/20 , H01L21/3065

9. 发明专利

TWI582876B 絕緣物狀態判定總成及方法有权
简体标题：绝缘物状态判定总成及方法
公开(公告)号：TWI582876B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW102100118
申请日：2013-01-03
申请人：托卡洛股份有限公司 , TOCALO CO., LTD.
发明人：虻川志向 , ABUKAWA, SHIKOU , 山崎良 , YAMASAKI, RYO , 竹內純一 , TAKEUCHI, JUNICHI
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/68 , G01R29/12
CPC分类号： G01R27/02 , G01R27/26 , G01R29/12 , G01R31/12 , G01R31/2886 , H01L22/14

10. 发明专利

TWI581361B 靜電吸盤及靜電吸盤的製造方法有权
简体标题：静电吸盘及静电吸盘的制造方法
公开(公告)号：TWI581361B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW102109959
申请日：2013-03-21
申请人： TOCALO股份有限公司 , TOCALO CO., LTD.
发明人：山崎良 , YAMASAKI, RYO , 稻葉光晴 , INABA, MITSUHARU , 田口研良 , TAGUCHI, KENSUKE
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6833 , C23C4/01 , C23C4/11 , C23C4/12 , H01L21/67103 , H01L21/6831 , H02N13/00

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