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1. 发明专利

TWI408493B 光罩基板用光阻下層膜形成組成物，光罩基板及光罩有权
简体标题：光罩基板用光阻下层膜形成组成物，光罩基板及光罩
公开(公告)号：TWI408493B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：TW096105276
申请日：2007-02-13
申请人： HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION , 日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：橋本雅廣 , HASHIMOTO, MASAHIRO , 榎本智之 , ENOMOTO, TOMOYUKI , 坂口崇洋 , SAKAGUCHI, TAKAHIRO , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 永井雅規 , NAGAI, MASAKI
IPC分类号： G03F1/00
CPC分类号： G03F7/11 , G03F1/38 , G03F1/80

2. 发明专利

TWI442171B 遮罩坯料及遮罩有权
公开(公告)号：TWI442171B
公开(公告)日：2014-06-21
申请号：TW096130014
申请日：2007-08-14
申请人： HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION , 日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：橋本雅廣 , HASHIMOTO, MASAHIRO , 榎本智之 , ENOMOTO, TOMOYUKI , 坂口崇洋 , SAKAGUCHI, TAKAHIRO , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 永井雅規 , NAGAI, MASAKI
IPC分类号： G03F1/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/78 , G03F7/11

3. 发明专利

TWI671598B 含有具丙烯醯胺構造與丙烯酸酯構造之聚合物的微影用阻劑下層膜形成組成物有权
简体标题：含有具丙烯酰胺构造与丙烯酸酯构造之聚合物的微影用阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI671598B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW104116261
申请日：2015-05-21
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：柄澤涼 , KARASAWA, RYO , 染谷安信 , SOMEYA, YASUNOBU , 遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 西田登喜雄 , NISHITA, TOKIO , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , C08F220/54 , C08F220/10 , G03F7/40 , H01L21/027

4. 发明专利

TWI665223B 光阻上層膜形成組成物及使用其之半導體裝置之製造方法有权
简体标题：光阻上层膜形成组成物及使用其之半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI665223B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW104106052
申请日：2015-02-25
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：藤谷徳昌 , FUJITANI, NORIAKI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： C08F220/06 , G03F7/11 , H01L21/027

5. 发明专利

TW201841961A 含有醯胺溶劑之阻劑下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：含有酰胺溶剂之阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201841961A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107100873
申请日：2018-01-10
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：德永光 , TOKUNAGA, HIKARU , 田聡志 , HAMADA, SATOSHI , 橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： C08G12/34 , G03F7/11 , G03F7/16 , H01L21/027
摘要：本發明提供同時具有高蝕刻耐性、高耐熱性與良好塗佈性之阻劑下層膜形成組成物、使用該阻劑下層膜形成組成物之阻劑下層膜及其製造方法、阻劑圖型之形成方法及半導體裝置之製造方法。　　該阻劑下層膜形成組成物包含聚合物與作為溶劑之式(1)表示之化合物： (式(1)中之R1、R2及R3各表示氫原子、可經氧原子、硫原子或醯胺鍵中斷之碳原子數1~20之烷基，可相互相同亦可相異，亦可相互鍵結形成環構造)。將該組成物塗佈於可具有階差之半導體基板上並燒成，形成阻劑下層膜，於其上透過任意選擇之無機阻劑下層膜而形成阻劑膜，藉由光或電子束之照射及顯影而形成阻劑圖型，藉由阻劑圖型蝕刻下層膜等，藉由經圖型化之下層膜加工半導體基板，製造半導體裝置。
简体摘要：本发明提供同时具有高蚀刻耐性、高耐热性与良好涂布性之阻剂下层膜形成组成物、使用该阻剂下层膜形成组成物之阻剂下层膜及其制造方法、阻剂图型之形成方法及半导体设备之制造方法。　　该阻剂下层膜形成组成物包含聚合物与作为溶剂之式(1)表示之化合物： (式(1)中之R1、R2及R3各表示氢原子、可经氧原子、硫原子或酰胺键中断之碳原子数1~20之烷基，可相互相同亦可相异，亦可相互键结形成环构造)。将该组成物涂布于可具有阶差之半导体基板上并烧成，形成阻剂下层膜，于其上透过任意选择之无机阻剂下层膜而形成阻剂膜，借由光或电子束之照射及显影而形成阻剂图型，借由阻剂图型蚀刻下层膜等，借由经图型化之下层膜加工半导体基板，制造半导体设备。

6. 发明专利

TWI640834B 含有具內酯構造之聚合物的電子線阻劑下層膜形成組成物有权
简体标题：含有具内酯构造之聚合物的电子线阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI640834B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW103143889
申请日：2014-12-16
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 水落龍太 , MIZUOCHI, RYUTA , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , C08L33/08 , C08K5/13 , H01L21/027

7. 发明专利

TWI640833B 使用溶劑顯像微影製程用有機下層膜形成組成物之半導體裝置的製造方法有权
简体标题：使用溶剂显像微影制程用有机下层膜形成组成物之半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI640833B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW102122959
申请日：2013-06-27
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：染谷安信 , SOMEYA, YASUNOBU , 武田諭 , TAKEDA, SATOSHI , 橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE , 新城徹也 , SHINJO, TETSUYA , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027

8. 发明专利

TW201829670A 使用溶劑取代法之阻劑圖型塗佈用組成物之製造方法审中-公开
简体标题：使用溶剂取代法之阻剂图型涂布用组成物之制造方法
公开(公告)号：TW201829670A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106134159
申请日：2017-10-03
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI , 武田諭 , TAKEDA, SATOSHI , 柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： C09D183/04 , G03F7/038 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要： [課題] 提供用以於溶劑顯影微影術製程中塗佈於經圖型化之阻劑膜上而使圖型反轉之塗佈用組成物之製造方法。　　[解決手段] 一種塗佈於經圖型化之阻劑膜的組成物之製造方法，其包含將水解性矽烷於非醇系親水性溶劑中水解並縮合而得到水解縮合物之步驟(A)、對於該水解縮合物將其非醇系親水性溶劑進行溶劑取代為疏水性溶劑之步驟(B)。一種半導體裝置之製造方法，其包含於基板上塗佈阻劑組成物而形成阻劑膜之步驟(1)、將該阻劑膜曝光與顯影之步驟(2)、於步驟(2)之顯影中或顯影後所得到的經圖型化之阻劑膜塗佈藉由上述之製造方法所得到之組成物，於圖型間形成塗膜之步驟(3)、將經圖型化之阻劑膜蝕刻去除而使圖型反轉之步驟(4)。一種製造方法，其中曝光係使用ArF雷射(波長193nm)或EUV(波長13.5nm)來進行。一種製造方法，其中顯影為以有機溶劑所進行之負型顯影。
简体摘要： [课题] 提供用以于溶剂显影微影术制程中涂布于经图型化之阻剂膜上而使图型反转之涂布用组成物之制造方法。　　[解决手段] 一种涂布于经图型化之阻剂膜的组成物之制造方法，其包含将水解性硅烷于非醇系亲水性溶剂中水解并缩合而得到水解缩合物之步骤(A)、对于该水解缩合物将其非醇系亲水性溶剂进行溶剂取代为疏水性溶剂之步骤(B)。一种半导体设备之制造方法，其包含于基板上涂布阻剂组成物而形成阻剂膜之步骤(1)、将该阻剂膜曝光与显影之步骤(2)、于步骤(2)之显影中或显影后所得到的经图型化之阻剂膜涂布借由上述之制造方法所得到之组成物，于图型间形成涂膜之步骤(3)、将经图型化之阻剂膜蚀刻去除而使图型反转之步骤(4)。一种制造方法，其中曝光系使用ArF激光(波长193nm)或EUV(波长13.5nm)来进行。一种制造方法，其中显影为以有机溶剂所进行之负型显影。

9. 发明专利

TWI626263B 含有經取代之交聯性化合物之光阻下層膜形成組成物有权
简体标题：含有经取代之交联性化合物之光阻下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI626263B
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：TW103122066
申请日：2014-06-26
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE , 高瀬顕司 , TAKASE, KENJI , 新城徹也 , SHINJO, TETSUYA , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 西卷裕和 , NISHIMAKI, HIROKAZU
IPC分类号： C08K5/13 , G03F7/11

10. 发明专利

TWI595322B 光阻下層膜形成組成物有权
简体标题：光阻下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI595322B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：TW102128636
申请日：2013-08-09
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：西卷裕和 , NISHIMAKI, HIROKAZU , 橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE , 新城徹也 , SHINJO, TETSUYA , 遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , C08G61/10 , C08G61/12 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C08G8/04 , C09D161/12 , G03F7/094 , G03F7/16 , H01L21/02112 , H01L21/0274 , H01L21/30604 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/32139

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