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1. 发明专利

TW201306031A 在雙寫入線半導體記憶體中的寫入協助审中-公开
简体标题：在双写入线半导体内存中的写入协助
公开(公告)号：TW201306031A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101117399
申请日：2012-05-16
申请人： ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：賈傑沃爾漢門吉烏瑪肯特 , GAJJEWAR, HEMANGI UMAKANT , 伊剛濟薩青薩帝許 , IDGUNJI, SACHIN SATISH , 揚葛斯 , YEUNG, GUS
IPC分类号： G11C11/413 , G11C7/22
CPC分类号： G11C7/12 , G11C8/16 , G11C11/419
摘要：本發明揭示一種半導體記憶體儲存裝置，該記憶體具有複數個儲存格。每一儲存格包含：兩個存取控制裝置，該等存取控制裝置中之每一者回應於存取控制信號而向該儲存格提供對兩個資料線中之一各別資料線之存取或與兩個資料線中之一各別資料線之隔離，該兩個資料線連接至一個資料埠；存取控制電路，該存取控制電路用於經由兩個存取控制線中之一者應用存取控制信號以控制複數個存取控制裝置；其中每一儲存格的兩個存取控制裝置中之一者由自兩個存取控制線中之第一存取控制線接收的存取控制信號控制，以向儲存格提供對兩個資料線中之第一資料線之存取或與兩個資料線中之第一資料線之隔離，且兩個存取控制裝置中之另一者由自兩個存取控制線中之第二存取控制線接收的存取控制信號控制，以向儲存格提供對兩個資料線中之第二資料線之存取或與兩個資料線中之第二資料線之隔離。存取控制電路回應於資料存取請求，該資料存取請求為寫入請求，以將待寫入之資料值應用至第一資料線及第二資料線兩者，且將存取控制信號應用至第一存取控制線及第二存取控制線兩者。在一些情況下，存取控制信號係在將該存取控制信號應用至兩個存取控制線中之第一存取控制線之後的預定時間應用至兩個存取控制線中之第二存取控制線。
简体摘要：本发明揭示一种半导体内存存储设备，该内存具有复数个存储格。每一存储格包含：两个存取控制设备，该等存取控制设备中之每一者回应于存取控制信号而向该存储格提供对两个数据线中之一各别数据线之存取或与两个数据线中之一各别数据线之隔离，该两个数据线连接至一个数据端口；存取控制电路，该存取控制电路用于经由两个存取控制线中之一者应用存取控制信号以控制复数个存取控制设备；其中每一存储格的两个存取控制设备中之一者由自两个存取控制线中之第一存取控制线接收的存取控制信号控制，以向存储格提供对两个数据线中之第一数据线之存取或与两个数据线中之第一数据线之隔离，且两个存取控制设备中之另一者由自两个存取控制线中之第二存取控制线接收的存取控制信号控制，以向存储格提供对两个数据线中之第二数据线之存取或与两个数据线中之第二数据线之隔离。存取控制电路回应于数据存取请求，该数据存取请求为写入请求，以将待写入之数据值应用至第一数据线及第二数据线两者，且将存取控制信号应用至第一存取控制线及第二存取控制线两者。在一些情况下，存取控制信号系在将该存取控制信号应用至两个存取控制线中之第一存取控制线之后的预定时间应用至两个存取控制线中之第二存取控制线。

2. 发明专利

TWI460435B 電源供應偵測電路、裝置及方法有权
简体标题：电源供应侦测电路、设备及方法
公开(公告)号：TWI460435B
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：TW099120672
申请日：2010-06-24
申请人： ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：賈傑沃爾漢門吉烏瑪肯特 , GAJJEWAR, HEMANGI UMAKANT , 揚葛斯 , YEUNG, GUS
IPC分类号： G01R19/165 , G06F1/26

3. 发明专利

TWI511153B 在半導體裝置中降低漏電流有权
简体标题：在半导体设备中降低漏电流
公开(公告)号：TWI511153B
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW099144788
申请日：2010-12-20
申请人： ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：揚葛斯 , YEUNG, GUS , 賈傑沃爾漢門吉烏瑪肯特 , GAJJEWAR, HEMANGI UMAKANT
IPC分类号： G11C5/14 , G06F17/50
CPC分类号： G05F1/10 , G06F17/50

4. 发明专利

TWI471724B 用於設計記憶體裝置之容舊技術有权
简体标题：用于设计内存设备之容旧技术
公开(公告)号：TWI471724B
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW096127358
申请日：2007-07-26
申请人： ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：賈傑沃爾漢門吉烏瑪肯特 , GAJJEWAR, HEMANGI UMAKANT , 張英明 , CHANG, INGMING , 權正泰 , KWON, JUNGTAE , 派卓克西扎里 , PIETRZYK, CEZARY , 宋文海 , SON, MOON-HAE
IPC分类号： G06F12/00
CPC分类号： G06F17/5045 , G11C5/025 , G11C5/063 , H01L27/0207 , H01L27/11898

5. 发明专利

TWI603329B 改善半導體記憶體之讀取穩定性有权
简体标题：改善半导体内存之读取稳定性
公开(公告)号：TWI603329B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW100144690
申请日：2011-12-05
申请人： ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：伊剛濟薩青薩帝許 , IDGUNJI, SACHIN SATISH , 賈傑沃爾漢門吉烏瑪肯特 , GAJJEWAR, HEMANGI UMAKANT , 舒培文生菲利浦 , SCHUPPE, VINCENT PHILIPPE , 鍾怡康 , CHONG, YEW KEONG , 陳信宇 , CHEN, HSIN YU
IPC分类号： G11C11/413
CPC分类号： G11C7/222 , G11C8/08 , G11C8/10 , G11C8/16 , G11C11/41 , G11C11/412 , G11C11/413 , G11C11/418 , G11C11/419

6. 发明专利

TWI566245B 在雙寫入線半導體記憶體中的寫入協助有权
简体标题：在双写入线半导体内存中的写入协助
公开(公告)号：TWI566245B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：TW101117399
申请日：2012-05-16
申请人： ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：賈傑沃爾漢門吉烏瑪肯特 , GAJJEWAR, HEMANGI UMAKANT , 伊剛濟薩青薩帝許 , IDGUNJI, SACHIN SATISH , 揚葛斯 , YEUNG, GUS
IPC分类号： G11C11/413 , G11C7/22
CPC分类号： G11C7/12 , G11C8/16 , G11C11/419

7. 发明专利

TWI506647B 當存取記憶體中儲存單元時控制施加於存取裝置之電壓位準有权
简体标题：当存取内存中存储单元时控制施加于存取设备之电压位准
公开(公告)号：TWI506647B
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW099140033
申请日：2010-11-19
申请人： ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：伊剛濟薩青薩帝許 , IDGUNJI, SACHIN SATISH , 賈傑沃爾漢門吉烏瑪肯特 , GAJJEWAR, HEMANGI UMAKANT , 揚葛斯 , YEUNG, GUS
IPC分类号： G11C7/22 , G11C7/12
CPC分类号： G11C11/413

8. 发明专利

TW201230033A 改善半導體記憶體之讀取穩定性 IMPROVING READ STABILITY OF A SEMICONDUCTOR MEMORY 审中-公开
简体标题：改善半导体内存之读取稳定性 IMPROVING READ STABILITY OF A SEMICONDUCTOR MEMORY
公开(公告)号：TW201230033A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：TW100144690
申请日：2011-12-05
申请人： ARM股份有限公司
发明人：伊剛濟薩青薩帝許 , 賈傑沃爾漢門吉烏瑪肯特 , 舒培文生菲利浦 , 鍾怡康 , 陳信宇
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C7/222 , G11C8/08 , G11C8/10 , G11C8/16 , G11C11/41 , G11C11/412 , G11C11/413 , G11C11/418 , G11C11/419
摘要：茲揭示一種半導體記憶體儲存裝置。記憶體包含用於儲存資料的複數個儲存細胞元,與存取控制電路系統,每一儲存細胞元包含存取控制裝置,存取控制裝置用以回應於存取控制訊號,而使儲存細胞元存取資料存取埠或隔離自資料存取埠,存取控制電路系統用以沿著存取控制線傳輸存取控制訊號,以控制連接至存取控制線的複數個存取控制裝置。存取控制電路系統藉由將供應至存取控制線的電壓位準以第一平均速率提升至第一電壓位準,並隨後回應於接收到另一訊號而將供應至存取控制線的電壓位準從第一電壓位準提升至預定較高電壓位準,來回應資料存取要求訊號,且將電壓位準從第一電壓位準提升至預定較高電壓位準的另一平均速率係低於提升至第一位準的第一平均速率。
简体摘要：兹揭示一种半导体内存存储设备。内存包含用于存储数据的复数个存储细胞元,与存取控制电路系统,每一存储细胞元包含存取控制设备,存取控制设备用以回应于存取控制信号,而使存储细胞元存取数据存取端口或隔离自数据存取端口,存取控制电路系统用以沿着存取控制线传输存取控制信号,以控制连接至存取控制线的复数个存取控制设备。存取控制电路系统借由将供应至存取控制线的电压位准以第一平均速率提升至第一电压位准,并随后回应于接收到另一信号而将供应至存取控制线的电压位准从第一电压位准提升至预定较高电压位准,来回应数据存取要求信号,且将电压位准从第一电压位准提升至预定较高电压位准的另一平均速率系低于提升至第一位准的第一平均速率。

9. 发明专利

TW201145298A 在半導體裝置中降低漏電流 REDUCING CURRENT LEAKAGE IN A SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：在半导体设备中降低漏电流 REDUCING CURRENT LEAKAGE IN A SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201145298A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW099144788
申请日：2010-12-20
申请人： ARM股份有限公司
发明人：揚葛斯 , 賈傑沃爾漢門吉烏瑪肯特
IPC分类号： G11C , G06F
CPC分类号： G05F1/10 , G06F17/50
摘要：茲揭示一種積體電路、控制供應至半導體裝置的電力的方法、設計一積體電路的方法及電腦程式產品。該積體電路包含:一半導體裝置,其用於處理資料;一電力來源,其用於對該半導體裝置供電,該電力來源包含用於供應一高電壓位準的一高電壓來源及用於供應一低電壓位準的一低電壓來源;多個開關裝置,其安排於至少一個高或低電壓來源及半導體裝置之間。亦存在一控制裝置,其用於控制第一組的多個開關裝置,以將高或低電壓來源之一者連接至半導體裝置,且用於控制第二組的多個開關裝置,以將高或低電壓來源之一者連接至半導體裝置。至少某些第一組的多個開關裝置當閉合且提供一連接時具有比至少某些第二組的多個開關裝置更高的阻抗,使得當第一組的多個開關裝置將半導體裝置連接至電壓來源之一者時,相較於由第二組的多個開關裝置將半導體裝置連接至該等電壓來源之一者的情況,半導體裝置以較低的性能操作。
简体摘要：兹揭示一种集成电路、控制供应至半导体设备的电力的方法、设计一集成电路的方法及电脑进程产品。该集成电路包含:一半导体设备,其用于处理数据;一电力来源,其用于对该半导体设备供电,该电力来源包含用于供应一高电压位准的一高电压来源及用于供应一低电压位准的一低电压来源;多个开关设备,其安排于至少一个高或低电压来源及半导体设备之间。亦存在一控制设备,其用于控制第一组的多个开关设备,以将高或低电压来源之一者连接至半导体设备,且用于控制第二组的多个开关设备,以将高或低电压来源之一者连接至半导体设备。至少某些第一组的多个开关设备当闭合且提供一连接时具有比至少某些第二组的多个开关设备更高的阻抗,使得当第一组的多个开关设备将半导体设备连接至电压来源之一者时,相较于由第二组的多个开关设备将半导体设备连接至该等电压来源之一者的情况,半导体设备以较低的性能操作。

10. 发明专利

TW201123206A 當存取記憶體中儲存單元時控制施加於存取裝置之電壓位準 CONTROLLING VOLTAGE LEVELS APPLIED TO ACCESS DEVICES WHEN ACCESSING STORAGE CELLS IN A MEMORY 审中-公开
简体标题：当存取内存中存储单元时控制施加于存取设备之电压位准 CONTROLLING VOLTAGE LEVELS APPLIED TO ACCESS DEVICES WHEN ACCESSING STORAGE CELLS IN A MEMORY
公开(公告)号：TW201123206A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：TW099140033
申请日：2010-11-19
申请人： ARM股份有限公司
发明人：伊剛濟薩青薩帝許 , 賈傑沃爾漢門吉烏瑪肯特 , 揚葛斯
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/413
摘要：本發明揭示一種半導體記憶體儲存裝置。該記憶體裝置具有複數個儲存單元，其用於儲存資料；複數個存取裝置，其用於允許對該相應複數個儲存單元存取，該複數個存取裝置經配置為至少兩個群組，該至少兩個群組中之每一者由一存取控制線控制；存取控制電路，其用於在對該儲存單元存取期間控制提供給該等存取控制線中之至少兩者中之一選定存取控制線的一電壓位準，該存取控制電路包含一電容器及切換電路；及控制電路，其回應於對存取一選定儲存單元之一資料存取請求以：將該等存取控制線中之一選定存取控制線連接至一電壓位準，以允許經由該等存取裝置中之一者對該選定儲存單元存取；及控制該存取控制電路之該切換電路以將該存取控制電路之該電容器連接至該選定存取控制線，且藉此改變提供給該選定存取控制線之該電壓位準。
简体摘要：本发明揭示一种半导体内存存储设备。该内存设备具有复数个存储单元，其用于存储数据；复数个存取设备，其用于允许对该相应复数个存储单元存取，该复数个存取设备经配置为至少两个群组，该至少两个群组中之每一者由一存取控制线控制；存取控制电路，其用于在对该存储单元存取期间控制提供给该等存取控制线中之至少两者中之一选定存取控制线的一电压位准，该存取控制电路包含一电容器及切换电路；及控制电路，其回应于对存取一选定存储单元之一数据存取请求以：将该等存取控制线中之一选定存取控制线连接至一电压位准，以允许经由该等存取设备中之一者对该选定存储单元存取；及控制该存取控制电路之该切换电路以将该存取控制电路之该电容器连接至该选定存取控制线，且借此改变提供给该选定存取控制线之该电压位准。

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