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1. 发明专利

TW201804604A 集成鰭式場效電晶體(FINFET) CMOS裝置與嵌入式非揮發性記憶體單元之方法审中-公开
简体标题：集成鳍式场效应管(FINFET) CMOS设备与嵌入式非挥发性内存单元之方法
公开(公告)号：TW201804604A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW106117018
申请日：2017-05-23
申请人：超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：蘇堅昇 , SU, CHIEN-SHENG , 楊正威 , YANG, JENG-WEI , 吳滿堂 , WU, MAN-TANG , 陳俊明 , CHEN, CHUN-MING , 陳曉萬 , TRAN, HIEU VAN , 杜恩漢 , DO, NHAN
IPC分类号： H01L27/115 , H01L27/1156
CPC分类号： H01L27/11568 , H01L21/30604 , H01L21/30625 , H01L21/3065 , H01L21/823821 , H01L28/00
摘要：一種形成一記憶體裝置的方法，該記憶體裝置具有在一平面狀基材表面上方之記憶體單元以及在鰭形基材表面部分上方的FinFET邏輯裝置，該方法包括：形成一保護層於該基材之一記憶體單元部分中之先前形成的浮閘、抹除閘、字線多晶矽、及源極區上方；接著形成鰭片至該基材之該表面中，及在該基材之一邏輯部分中沿著該鰭片形成邏輯閘；接著移除該保護層，及完成自該基材之該記憶體單元部分中之該等字線多晶矽及汲極區形成字線閘。
简体摘要：一种形成一内存设备的方法，该内存设备具有在一平面状基材表面上方之内存单元以及在鳍形基材表面部分上方的FinFET逻辑设备，该方法包括：形成一保护层于该基材之一内存单元部分中之先前形成的浮闸、抹除闸、字线多晶硅、及源极区上方；接着形成鳍片至该基材之该表面中，及在该基材之一逻辑部分中沿着该鳍片形成逻辑门；接着移除该保护层，及完成自该基材之该内存单元部分中之该等字线多晶硅及汲极区形成字线闸。

2. 发明专利

TW201705379A 具有整合式高Ｋ金屬閘邏輯裝置且無金屬抹除閘之非揮發性分離閘記憶體單元，及其製作方法审中-公开
简体标题：具有集成式高Ｋ金属闸逻辑设备且无金属抹除闸之非挥发性分离闸内存单元，及其制作方法
公开(公告)号：TW201705379A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105120543
申请日：2016-06-29
申请人：超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：蘇堅昇 , SU, CHIEN-SHENG , 楊正威 , YANG, JENG WEI , 周峰 , ZHOU, FENG
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/11531 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L29/42328 , H01L29/66484 , H01L29/66825 , H01L29/7881
摘要：一種形成分離閘非揮發性記憶體單元於與邏輯裝置及高電壓裝置相同的晶片上之方法，該分離閘非揮發性記憶體單元具有HKMG邏輯閘。該方法包括形成源極區、汲極區、浮閘、控制閘、以及用於抹除閘與字線閘之多晶矽層於該晶片之記憶體區域中。一保護絕緣層形成於該記憶體區域上方，及一HKMG層、及多晶矽層形成於該晶片上、自該記憶體區域予以移除、及圖案化於該晶片之邏輯區域中，以形成具有變化量的下伏絕緣的邏輯閘。
简体摘要：一种形成分离闸非挥发性内存单元于与逻辑设备及高电压设备相同的芯片上之方法，该分离闸非挥发性内存单元具有HKMG逻辑门。该方法包括形成源极区、汲极区、浮闸、控制闸、以及用于抹除闸与字线闸之多晶硅层于该芯片之内存区域中。一保护绝缘层形成于该内存区域上方，及一HKMG层、及多晶硅层形成于该芯片上、自该内存区域予以移除、及图案化于该芯片之逻辑区域中，以形成具有变化量的下伏绝缘的逻辑门。

3. 发明专利

TW201644040A 分離閘快閃記憶體陣列及邏輯裝置之整合审中-公开
简体标题：分离闸闪存数组及逻辑设备之集成
公开(公告)号：TW201644040A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105106493
申请日：2016-03-03
申请人：超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：陳俊明 , CHEN, CHUN MING , 楊正威 , YANG, JENG WEI , 蘇堅昇 , SU, CHIEN-SHENG , 吳滿堂 , WU, MAN TANG , 杜恩漢 , DO, NHAN
IPC分类号： H01L27/115 , H01L29/423 , G11C16/04
CPC分类号： H01L27/11531 , G11C16/0425 , H01L21/28273 , H01L27/11534 , H01L29/42328 , H01L29/66825
摘要：一種記憶體裝置及方法包括具有記憶體及邏輯裝置區域的一半導體基材。形成複數個記憶體單元於該記憶體區域中，該等記憶體單元各包括：第一源極區及汲極區，其等之間具有一第一通道區；一浮閘，其設置於該第一通道之一第一部分上方；一控制閘，其設置於該浮閘上方；一選擇閘，其設置於該第一通道區之一第二部分上方；以及一抹除閘，其設置於該源極區上方。形成複數個邏輯裝置於該邏輯裝置區域中，該等邏輯裝置各包括：第二源極區及汲極區，其等之間具有一第二通道區；以及一邏輯閘，其設置於該第二通道區上方。在該記憶體區域中之該基材上表面凹陷而低於該基材在該邏輯裝置區域中之上表面，以使較高的該等記憶體單元具有相似於該等邏輯裝置之上高度的一上高度。
简体摘要：一种内存设备及方法包括具有内存及逻辑设备区域的一半导体基材。形成复数个内存单元于该内存区域中，该等内存单元各包括：第一源极区及汲极区，其等之间具有一第一信道区；一浮闸，其设置于该第一信道之一第一部分上方；一控制闸，其设置于该浮闸上方；一选择闸，其设置于该第一信道区之一第二部分上方；以及一抹除闸，其设置于该源极区上方。形成复数个逻辑设备于该逻辑设备区域中，该等逻辑设备各包括：第二源极区及汲极区，其等之间具有一第二信道区；以及一逻辑门，其设置于该第二信道区上方。在该内存区域中之该基材上表面凹陷而低于该基材在该逻辑设备区域中之上表面，以使较高的该等内存单元具有相似于该等逻辑设备之上高度的一上高度。

4. 发明专利

TWI562338B 具有金屬強化閘極之分離閘非揮發性快閃記憶體單元及其製造方法有权
简体标题：具有金属强化闸极之分离闸非挥发性闪存单元及其制造方法
公开(公告)号：TWI562338B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW104139924
申请日：2015-11-30
申请人：超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：陳俊明 , CHEN, CHUN MING , 吳滿堂 , WU, MAN TANG , 楊正威 , YANG, JENG WEI , 蘇堅昇 , SU, CHIEN-SHENG
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/11521 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/28273 , H01L29/42328 , H01L29/4916 , H01L29/66825 , H01L29/7885

5. 发明专利

TW201635336A 具有金屬閘極之分離閘非揮發性快閃記憶體單元及其製造方法审中-公开
简体标题：具有金属闸极之分离闸非挥发性闪存单元及其制造方法
公开(公告)号：TW201635336A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104142469
申请日：2015-12-17
申请人：超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：陳俊明 , CHEN, CHUN MING , 吳滿堂 , WU, MAN TANG , 楊正威 , YANG, JENG WEI , 蘇堅昇 , SU, CHIEN-SHENG
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/28 , H01L27/115 , H01L29/423 , H01L29/45 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L29/66 , H01L29/788
CPC分类号： H01L27/11521 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/28273 , H01L27/11524 , H01L29/42328 , H01L29/45 , H01L29/4916 , H01L29/495 , H01L29/511 , H01L29/517 , H01L29/66825 , H01L29/788 , H01L29/7881
摘要：一非揮發性記憶體單元包括一第一導電性類型之一基材，該基材具有：一第二導電性類型之一第一區域、該第二導電性類型之一第二區域，該第二區域與該第一區域分隔開而在其等之間形成一通道區域。一浮閘經設置於與該第一區域相鄰的該通道區域之一第一部分上方並與該第一部分絕緣。一選擇閘經設置於與該第二區域相鄰的該通道區域之一第二部分上方，該選擇閘由一金屬材料形成，並藉由一二氧化矽層與一高K絕緣材料層而與該通道區域之該第二部分絕緣。一控制閘經設置於該浮閘上方且與該浮閘絕緣。一抹除閘經設置於該第一區域上方並與該第一區域絕緣，且經設置成與該浮閘橫向相鄰並與該浮閘絕緣。
简体摘要：一非挥发性内存单元包括一第一导电性类型之一基材，该基材具有：一第二导电性类型之一第一区域、该第二导电性类型之一第二区域，该第二区域与该第一区域分隔开而在其等之间形成一信道区域。一浮闸经设置于与该第一区域相邻的该信道区域之一第一部分上方并与该第一部分绝缘。一选择闸经设置于与该第二区域相邻的该信道区域之一第二部分上方，该选择闸由一金属材料形成，并借由一二氧化硅层与一高K绝缘材料层而与该信道区域之该第二部分绝缘。一控制闸经设置于该浮闸上方且与该浮闸绝缘。一抹除闸经设置于该第一区域上方并与该第一区域绝缘，且经设置成与该浮闸横向相邻并与该浮闸绝缘。

6. 发明专利

TW201442237A 製作具有薄型多晶矽閘極之高電壓金屬氧化物半導體（ＭＯＳ）電晶體的方法审中-公开
简体标题：制作具有薄型多晶硅闸极之高电压金属氧化物半导体（ＭＯＳ）晶体管的方法
公开(公告)号：TW201442237A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW103103165
申请日：2014-01-28
申请人：超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：蘇堅昇 , SU, CHIEN-SHENG , 楊正威 , YANG, JENG WEI , 塔達尤尼曼達娜 , TADAYONI, MANDANA , 陳樂昕 , CHEN, YUEH-HSIN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/66477 , H01L29/66545 , H01L29/6659
摘要：一種形成金屬氧化物半導體(MOS)電晶體之方法，其係藉由下列方式來形成電晶體：形成一多晶矽閘極於一基體上且與其絕緣；在該多晶矽閘極上形成一保護絕緣材料層；及接著實行摻雜劑材料之一第一道植入進入該基體鄰近該多晶矽閘極之部分中，其中該保護絕緣材料層及該多晶矽閘極阻擋大部分或所有該第一道植入之植入物使其不會到達該基體在該多晶矽閘極之下的一部分。一或多個間隔物接著鄰近該多晶矽閘極形成，其後接續摻雜劑材料之一第二道植入進入該基體鄰近該一或多個間隔物之部分中。
简体摘要：一种形成金属氧化物半导体(MOS)晶体管之方法，其系借由下列方式来形成晶体管：形成一多晶硅闸极于一基体上且与其绝缘；在该多晶硅闸极上形成一保护绝缘材料层；及接着实行掺杂剂材料之一第一道植入进入该基体邻近该多晶硅闸极之部分中，其中该保护绝缘材料层及该多晶硅闸极阻挡大部分或所有该第一道植入之植入物使其不会到达该基体在该多晶硅闸极之下的一部分。一或多个间隔物接着邻近该多晶硅闸极形成，其后接续掺杂剂材料之一第二道植入进入该基体邻近该一或多个间隔物之部分中。

7. 发明专利

TWI695488B 具有整合式高K金屬控制閘之非揮發性分離閘記憶體單元及其製造方法有权
简体标题：具有集成式高K金属控制闸之非挥发性分离闸内存单元及其制造方法
公开(公告)号：TWI695488B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW107143482
申请日：2018-12-04
申请人：美商超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：楊正威 , YANG, JENG-WEI , 吳滿堂 , WU, MAN-TANG , 陳俊明 , CHEN, CHUN-MING , 蘇堅昇 , SU, CHIEN-SHENG , 杜恩漢 , DO, NHAN
IPC分类号： H01L27/115 , H01L27/11521

8. 发明专利

TWI689082B 製造具有抹除閘的分離閘快閃記憶體單元之方法有权
简体标题：制造具有抹除闸的分离闸闪存单元之方法
公开(公告)号：TWI689082B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW107134989
申请日：2018-10-03
申请人：美商超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：楊正威 , YANG, JENG-WEI , 陳俊明 , CHEN, CHUN-MING , 吳滿堂 , WU, MAN-TANG , 范振智 , FAN, CHEN-CHIH , 杜恩漢 , DO, NHAN
IPC分类号： H01L27/115

9. 发明专利

TWI605573B 形成分離閘記憶體單元陣列連同低及高電壓邏輯裝置之方法有权
简体标题：形成分离闸内存单元数组连同低及高电压逻辑设备之方法
公开(公告)号：TWI605573B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW105102068
申请日：2016-01-22
申请人：超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：吳滿堂 , WU, MAN TANG , 楊正威 , YANG, JENG WEI , 蘇堅昇 , SU, CHIEN-SHENG , 陳俊明 , CHEN, CHUN MING , 杜恩漢 , DO, NHAN
IPC分类号： H01L27/115 , H01L29/66 , H01L29/423
CPC分类号： H01L29/66537 , H01L21/28273 , H01L27/11519 , H01L27/11546 , H01L29/42328 , H01L29/66825

10. 发明专利

TW201727721A 金屬浮閘在非揮發性記憶體中的整合审中-公开
简体标题：金属浮闸在非挥发性内存中的集成
公开(公告)号：TW201727721A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105135533
申请日：2016-11-02
申请人：超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：周峰 , ZHOU, FENG , 呂祥 , LIU, XIAN , 楊正威 , YANG, JENG WEI , 杜恩漢 , DO, NHAN
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L29/66 , H01L29/788
CPC分类号： H01L29/7883 , H01L21/28273 , H01L27/11521 , H01L29/42328 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66825
摘要：一種非揮發性記憶體單元，其包括一矽基材；源極區與汲極區，其等係形成在該矽基材中(其中該基材之一通道區係界定在該源極區與該汲極區之間)；一金屬浮閘，其係設置在該通道區之一第一部分上方並與該第一部分絕緣；一金屬控制閘，其係設置在該金屬浮閘上方並與該金屬浮閘絕緣；一多晶矽抹除閘，其係設置在該源極區上方並與該源極區絕緣；及一多晶矽字線閘，其係設置在該通道區之一第二部分上方並與該第二部分絕緣。
简体摘要：一种非挥发性内存单元，其包括一硅基材；源极区与汲极区，其等系形成在该硅基材中(其中该基材之一信道区系界定在该源极区与该汲极区之间)；一金属浮闸，其系设置在该信道区之一第一部分上方并与该第一部分绝缘；一金属控制闸，其系设置在该金属浮闸上方并与该金属浮闸绝缘；一多晶硅抹除闸，其系设置在该源极区上方并与该源极区绝缘；及一多晶硅字线闸，其系设置在该信道区之一第二部分上方并与该第二部分绝缘。

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