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1. 发明专利

TW201413979A 延伸源極－汲極金屬氧化物半導體電晶體及其形成方法失效
简体标题：延伸源极－汲极金属氧化物半导体晶体管及其形成方法
公开(公告)号：TW201413979A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102131521
申请日：2013-09-02
申请人：超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：蘇堅昇 , SU, CHIEN-SHENG , 塔達尤尼曼達娜 , TADAYONI, MANDANA , 陳樂昕 , CHEN, YUEH-HSIN
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/66492 , H01L21/265 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/66575 , H01L29/6659 , H01L29/7833
摘要：一種電晶體及其製作方法，包括一基體、位於該基體上方之一傳導閘極、及在該基體中位於該傳導閘極下方之一通道區域。第一及第二絕緣間隔物側向鄰近該傳導閘極之第一及第二側邊。基體中一源極區域鄰近但橫向隔離於該傳導閘極之該第一側邊及該第一間隔物，及基體中一汲極區域鄰近但橫向隔離於該傳導閘極之該第二側邊及該第二間隔物。第一及第二LD區域位於該基體中，且分別在該通道區域及該源極或汲極區域間橫向延伸，其各有一部分未配置於該等第一及第二間隔物下方，亦未配置於該傳導閘極下方，且各有一摻雜劑濃度少於該源極或汲極區域之摻雜劑濃度。
简体摘要：一种晶体管及其制作方法，包括一基体、位于该基体上方之一传导闸极、及在该基体中位于该传导闸极下方之一信道区域。第一及第二绝缘间隔物侧向邻近该传导闸极之第一及第二侧边。基体中一源极区域邻近但横向隔离于该传导闸极之该第一侧边及该第一间隔物，及基体中一汲极区域邻近但横向隔离于该传导闸极之该第二侧边及该第二间隔物。第一及第二LD区域位于该基体中，且分别在该信道区域及该源极或汲极区域间横向延伸，其各有一部分未配置于该等第一及第二间隔物下方，亦未配置于该传导闸极下方，且各有一掺杂剂浓度少于该源极或汲极区域之掺杂剂浓度。

2. 发明专利

TW201442237A 製作具有薄型多晶矽閘極之高電壓金屬氧化物半導體（ＭＯＳ）電晶體的方法审中-公开
简体标题：制作具有薄型多晶硅闸极之高电压金属氧化物半导体（ＭＯＳ）晶体管的方法
公开(公告)号：TW201442237A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW103103165
申请日：2014-01-28
申请人：超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：蘇堅昇 , SU, CHIEN-SHENG , 楊正威 , YANG, JENG WEI , 塔達尤尼曼達娜 , TADAYONI, MANDANA , 陳樂昕 , CHEN, YUEH-HSIN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/66477 , H01L29/66545 , H01L29/6659
摘要：一種形成金屬氧化物半導體(MOS)電晶體之方法，其係藉由下列方式來形成電晶體：形成一多晶矽閘極於一基體上且與其絕緣；在該多晶矽閘極上形成一保護絕緣材料層；及接著實行摻雜劑材料之一第一道植入進入該基體鄰近該多晶矽閘極之部分中，其中該保護絕緣材料層及該多晶矽閘極阻擋大部分或所有該第一道植入之植入物使其不會到達該基體在該多晶矽閘極之下的一部分。一或多個間隔物接著鄰近該多晶矽閘極形成，其後接續摻雜劑材料之一第二道植入進入該基體鄰近該一或多個間隔物之部分中。
简体摘要：一种形成金属氧化物半导体(MOS)晶体管之方法，其系借由下列方式来形成晶体管：形成一多晶硅闸极于一基体上且与其绝缘；在该多晶硅闸极上形成一保护绝缘材料层；及接着实行掺杂剂材料之一第一道植入进入该基体邻近该多晶硅闸极之部分中，其中该保护绝缘材料层及该多晶硅闸极阻挡大部分或所有该第一道植入之植入物使其不会到达该基体在该多晶硅闸极之下的一部分。一或多个间隔物接着邻近该多晶硅闸极形成，其后接续掺杂剂材料之一第二道植入进入该基体邻近该一或多个间隔物之部分中。

3. 发明专利

TW201511182A 用於分裂閘極非依電性記憶體胞元之自我對準源極的形成技術审中-公开
简体标题：用于分裂闸极非依电性内存胞元之自我对准源极的形成技术
公开(公告)号：TW201511182A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103123178
申请日：2014-07-04
申请人：超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：蘇堅昇 , SU, CHIEN-SHENG , 楊正威 , YANG, JENG WEI , 陳樂昕 , CHEN, YUEH-HSIN
IPC分类号： H01L21/8239
CPC分类号： H01L27/11521 , H01L21/28273 , H01L21/823425 , H01L29/1608 , H01L29/42328 , H01L29/66825
摘要：一記憶體裝置具有一對有相向內側壁之導電浮動閘極，該導電浮動閘極被設置於一第一導電型態基板之上且與該基板絕緣。一對相隔的導電控制閘極係各別被設置於浮動閘極之一者上且絕緣於該浮動閘極，且各具有相向的內側壁。一對絕緣材料的第一間隔物係沿著控制閘極內側壁延伸並延伸於浮動閘極之上。浮動閘極內側壁是與第一間隔物的側表面對準。一對絕緣材料的第二間隔物係分別沿著第一間隔物之一及浮動閘極內側壁之一延伸。一形成於基板中的溝槽，且具有與第二間隔物的側表面對準的側壁。碳化矽被設置於該溝槽中。被植入於該碳化矽中的材料形成一具有第二導電型態之第一區域。
简体摘要：一内存设备具有一对有相向内侧壁之导电浮动闸极，该导电浮动闸极被设置于一第一导电型态基板之上且与该基板绝缘。一对相隔的导电控制闸极系各别被设置于浮动闸极之一者上且绝缘于该浮动闸极，且各具有相向的内侧壁。一对绝缘材料的第一间隔物系沿着控制闸极内侧壁延伸并延伸于浮动闸极之上。浮动闸极内侧壁是与第一间隔物的侧表面对准。一对绝缘材料的第二间隔物系分别沿着第一间隔物之一及浮动闸极内侧壁之一延伸。一形成于基板中的沟槽，且具有与第二间隔物的侧表面对准的侧壁。碳化硅被设置于该沟槽中。被植入于该碳化硅中的材料形成一具有第二导电型态之第一区域。

4. 发明专利

TW201351618A 供用於非揮發性記憶體陣列之自我對準堆疊閘極結構以及形成該結構之方法审中-公开
简体标题：供用于非挥发性内存数组之自我对准堆栈闸极结构以及形成该结构之方法
公开(公告)号：TW201351618A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102105246
申请日：2013-02-08
申请人：超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：托倫威廉珍 , TOREN, WILLEM-JAN , 呂祥 , LIU, XIAN , 美斯格布魯克吉哈得 , METZGER-BRUECKL, GERHARD , 杜恩漢 , DO, NHAN , 威吉史蒂芬 , WEGE, STEPHAN , 密里第納迪亞 , MIRIDI, NADIA , 蘇堅昇 , SU, CHIEN-SHENG , 伯納迪西西里 , BERNARDI, CECILE , 庫瓦斯里茲 , CUEVAS, LIZ , 古游特佛羅倫斯 , GUYOT, FLORENCE , 陳樂昕 , CHEN, YUEH-HSIN , 歐瑪尼亨利 , OM'MANI, HENRY , 塔達尤尼曼達娜 , TADAYONI, MANDANA
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L29/66545 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L21/76283 , H01L27/11521 , H01L27/11568
摘要：一種用於使用在一具有一半導體基材其具有複數實質平行間隔的作用區的非揮發性記憶體陣列的堆疊閘極結構，且每一作用區具有位在一第一方向的一軸，複數堆疊閘極結構位在基材上，且每一堆疊閘極結構位在一作用區上方，一第一絕緣材料介於位在垂直第一方向的第二方向的每一堆疊閘極結構之間，每一堆疊閘極結構具有一第二絕緣材料位於作用區上，一電荷維持閘極位於第二絕緣材料上，一第三絕緣材料位於電荷維持閘極上，一控制閘極的一第一部分位在第三絕緣材料上，控制閘極的一第二部分位在控制閘極的第一部分的頂部表面上並且位在鄰近的第一絕緣材料的頂部表面上並且於第二方向延伸，一第四絕緣材料位於控制閘極的第二部分上。
简体摘要：一种用于使用在一具有一半导体基材其具有复数实质平行间隔的作用区的非挥发性内存数组的堆栈闸极结构，且每一作用区具有位在一第一方向的一轴，复数堆栈闸极结构位在基材上，且每一堆栈闸极结构位在一作用区上方，一第一绝缘材料介于位在垂直第一方向的第二方向的每一堆栈闸极结构之间，每一堆栈闸极结构具有一第二绝缘材料位于作用区上，一电荷维持闸极位于第二绝缘材料上，一第三绝缘材料位于电荷维持闸极上，一控制闸极的一第一部分位在第三绝缘材料上，控制闸极的一第二部分位在控制闸极的第一部分的顶部表面上并且位在邻近的第一绝缘材料的顶部表面上并且于第二方向延伸，一第四绝缘材料位于控制闸极的第二部分上。

6. 发明专利

TWI543301B 用於分裂閘極非依電性記憶體胞元之自我對準源極的形成技術有权
简体标题：用于分裂闸极非依电性内存胞元之自我对准源极的形成技术
公开(公告)号：TWI543301B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW103123178
申请日：2014-07-04
申请人：超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：蘇堅昇 , SU, CHIEN-SHENG , 楊正威 , YANG, JENG WEI , 陳樂昕 , CHEN, YUEH-HSIN
IPC分类号： H01L21/8239
CPC分类号： H01L27/11521 , H01L21/28273 , H01L21/823425 , H01L29/1608 , H01L29/42328 , H01L29/66825

7. 发明专利

TWI509813B 延伸源極－汲極金屬氧化物半導體電晶體及其形成方法失效
简体标题：延伸源极－汲极金属氧化物半导体晶体管及其形成方法
公开(公告)号：TWI509813B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW102131521
申请日：2013-09-02
申请人：超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：蘇堅昇 , SU, CHIEN-SHENG , 塔達尤尼曼達娜 , TADAYONI, MANDANA , 陳樂昕 , CHEN, YUEH-HSIN
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/66492 , H01L21/265 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/66575 , H01L29/6659 , H01L29/7833

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