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    • 1. 发明专利
    • 雙模式驅動方法及裝置
    • 双模式驱动方法及设备
    • TW201517503A
    • 2015-05-01
    • TW102138712
    • 2013-10-25
    • 財團法人工業技術研究院INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
    • 莊坤倫CHUANG, KUN LUN林詠凱LIN, YONG KAI張欣宏CHANG, SHIN HUNG
    • H02P7/18
    • 本揭露係一種雙模式驅動方法及裝置,提供具霍爾感測器的永磁馬達,其中永磁馬達的電流係以方波控制模式啟動後,電流會切換在弦波控制模式下。包括有開關裝置、方波產生器、弦波產生器、以及方波與弦波電流的選擇開關,其一端係連接該開關裝置。經由本揭露第一增益放大器、第二增益放大器、第一電流轉換器、以及第二電流轉換器,所輸出的方波電流命令、以及弦波電流命令,係當該轉速資訊低於一設定值,切換至高於該設定值時,或是當該轉速資訊高於一設定值,切換至低於該設定值時,該永磁馬達具有相同的轉速、以及相同的轉距,並使行車速度維持平順感。
    • 本揭露系一种双模式驱动方法及设备,提供具霍尔传感器的永磁马达,其中永磁马达的电流系以方波控制模式启动后,电流会切换在弦波控制模式下。包括有开关设备、方波产生器、弦波产生器、以及方波与弦波电流的选择开关,其一端系连接该开关设备。经由本揭露第一增益放大器、第二增益放大器、第一电流转换器、以及第二电流转换器,所输出的方波电流命令、以及弦波电流命令,系当该转速信息低于一设置值,切换至高于该设置值时,或是当该转速信息高于一设置值,切换至低于该设置值时,该永磁马达具有相同的转速、以及相同的转距,并使行车速度维持平顺感。
    • 2. 发明专利
    • 具有防逆接保護的馬達控制器
    • 具有防逆接保护的马达控制器
    • TW201414179A
    • 2014-04-01
    • TW101135930
    • 2012-09-28
    • 財團法人工業技術研究院INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
    • 莊坤倫CHUANG, KUN LUN張欣宏CHANG, SHIN HUNG陳兆章CHEN, TSHAW CHUANG
    • H02P29/00H02H7/08
    • H02H9/00H02H7/08H02H11/002H02P1/00
    • 一種具有防逆接保護的馬達控制器,包括預充電單元、保護單元、轉換單元與控制單元。預充電單元用以經由第一導電路徑接收電源訊號,並依據控制訊號,以將電源訊號轉換成預充電訊號。保護單元用以經由第二導電路徑接收電源訊號,用以依據電源訊號的極性,而決定是否輸出電源訊號。轉換單元耦接保護單元,用以接收保護單元所輸出的電源訊號,並將保護單元所輸出的電源訊號轉換成工作電壓。控制單元耦接轉換單元與預充電單元,用以接收工作電壓,以產生控制訊號。流經第二導電路徑之電源訊號的電流小於流經第一導電路徑之電源訊號的電流。
    • 一种具有防逆接保护的马达控制器,包括预充电单元、保护单元、转换单元与控制单元。预充电单元用以经由第一导电路径接收电源信号,并依据控制信号,以将电源信号转换成预充电信号。保护单元用以经由第二导电路径接收电源信号,用以依据电源信号的极性,而决定是否输出电源信号。转换单元耦接保护单元,用以接收保护单元所输出的电源信号,并将保护单元所输出的电源信号转换成工作电压。控制单元耦接转换单元与预充电单元,用以接收工作电压,以产生控制信号。流经第二导电路径之电源信号的电流小于流经第一导电路径之电源信号的电流。
    • 6. 发明专利
    • 具有散熱功能之馬達驅控器及其散熱方法
    • 具有散热功能之马达驱控器及其散热方法
    • TW201526480A
    • 2015-07-01
    • TW102147403
    • 2013-12-20
    • 財團法人工業技術研究院INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
    • 林國楨LIN, KOU TZENG劉麗芬LIU, LI FEN吳敏全WU, MIN CHUAN林安宏LIN, AN HUNG張欣宏CHANG, SHIN HUNG張伯華CHANG, PO HUA
    • H02K9/02
    • H02K11/0073H05K7/20909
    • 一種具有散熱功能之馬達驅控器及其散熱方法,馬達驅控器包括:第一與第二功率模組,係呈串列排列;第一與第二散熱器,係分別設置於第一與第二功率模組上,並各自具有第一及第二鰭片;第一與第二隔板,係分別設置於第一及第二鰭片上;殼體,係設置於第一與第二隔板之外側,且殼體與第一隔板之間形成有第一通道;導管,係連接第一散熱器之後端部並延伸至殼體之出風口附近;第一流道,係依序通過第一鰭片之間隙及導管,供第一冷空氣之導入以與第一功率模組進行熱交換而產生第一熱空氣,並供該第一熱空氣經由該第一流道排出至殼體之出風口外;以及第二流道,係依序通過第一通道及第二鰭片之間隙,供第二冷空氣之導入以與第二功率模組進行熱交換而產生第二熱空氣,並供該第二熱空氣經由該第二流道排出至殼體之出風口外。
    • 一种具有散热功能之马达驱控器及其散热方法,马达驱控器包括:第一与第二功率模块,系呈串行排列;第一与第二散热器,系分别设置于第一与第二功率模块上,并各自具有第一及第二鳍片;第一与第二隔板,系分别设置于第一及第二鳍片上;壳体,系设置于第一与第二隔板之外侧,且壳体与第一隔板之间形成有第一信道;导管,系连接第一散热器之后端部并延伸至壳体之出风口附近;第一流道,系依序通过第一鳍片之间隙及导管,供第一冷空气之导入以与第一功率模块进行热交换而产生第一热空气,并供该第一热空气经由该第一流道排出至壳体之出风口外;以及第二流道,系依序通过第一信道及第二鳍片之间隙,供第二冷空气之导入以与第二功率模块进行热交换而产生第二热空气,并供该第二热空气经由该第二流道排出至壳体之出风口外。
    • 9. 发明专利
    • 馬達控制器之驅動與保護裝置
    • 马达控制器之驱动与保护设备
    • TW201421904A
    • 2014-06-01
    • TW101142855
    • 2012-11-16
    • 財團法人工業技術研究院INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
    • 陳兆章CHEN, TSHAW CHUANG張欣宏CHANG, SHIN HUNG林宇洲LIN, YEU JOU
    • H03K17/08H02P29/00
    • 本揭露提供一種馬達控制器之驅動與保護裝置,其包含有:一閘極驅動電路,用以接受一脈波寬度調變訊號,並送出一驅動訊號;一電流感知器,用以偵測流經一直流匯流排之電流;一電流比較電路,取得流經該直流匯流排之電流所產生之電壓後,經過該電流比較器之一第一數位訊號;一電壓比較電路,取得該直流匯流排之電壓後,分壓經過該電壓比較電路之一第二數位訊號;一溫度比較電路,取得一功率元件之溫度電壓後,經過該溫度比較電路之一第三數位訊號;以及一邏輯電路,取得該第一、第二與第三數位訊號,並產生一第四數位訊號,用於使該閘極驅動電路失效。
    • 本揭露提供一种马达控制器之驱动与保护设备,其包含有:一闸极驱动电路,用以接受一脉波宽度调制信号,并送出一驱动信号;一电流感知器,用以侦测流经一直流总线之电流;一电流比较电路,取得流经该直流总线之电流所产生之电压后,经过该电流比较器之一第一数码信号;一电压比较电路,取得该直流总线之电压后,分压经过该电压比较电路之一第二数码信号;一温度比较电路,取得一功率组件之温度电压后,经过该温度比较电路之一第三数码信号;以及一逻辑电路,取得该第一、第二与第三数码信号,并产生一第四数码信号,用于使该闸极驱动电路失效。
    • 10. 发明专利
    • 半導體結構及其製造方法 MASK AND VERIFYING METHOD OF EXPOSING RECIPE OF EXPOSURE EQUIPMENT USING THE SAME
    • 半导体结构及其制造方法 MASK AND VERIFYING METHOD OF EXPOSING RECIPE OF EXPOSURE EQUIPMENT USING THE SAME
    • TW201225244A
    • 2012-06-16
    • TW099141980
    • 2010-12-02
    • 財團法人工業技術研究院
    • 彭明燦丁一華張欣宏
    • H01L
    • 半導體結構及其製造方法。半導體結構包括一第一基材、一第一半導體元件、一第二基材與一第二半導體元件。第一基材具有相對的一第一基材表面與一第二基材表面。第一半導體元件係配置於第一基材表面上。第一半導體元件包括分開的一第一電極與一第二電極。第二基材具有相對的一第三基材表面與一第四基材表面。第二半導體元件係配置於第三基材表面上。第二半導體元件包括分開的一第三電極與一第四電極。第一基材表面係面對第三基材表面。第一半導體元件與第二半導體元件其中至少一個係氮化鎵電晶體。第一電極係電性連接至第三電極。第二電極係電性連接至第四電極。
    • 半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一第一基材、一第一半导体组件、一第二基材与一第二半导体组件。第一基材具有相对的一第一基材表面与一第二基材表面。第一半导体组件系配置于第一基材表面上。第一半导体组件包括分开的一第一电极与一第二电极。第二基材具有相对的一第三基材表面与一第四基材表面。第二半导体组件系配置于第三基材表面上。第二半导体组件包括分开的一第三电极与一第四电极。第一基材表面系面对第三基材表面。第一半导体组件与第二半导体组件其中至少一个系氮化镓晶体管。第一电极系电性连接至第三电极。第二电极系电性连接至第四电极。