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1. 发明专利

TWI393202B 薄膜太陽能電池畫線缺陷檢測方法有权
简体标题：薄膜太阳能电池画线缺陷检测方法
公开(公告)号：TWI393202B
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：TW098141853
申请日：2009-12-08
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：林昆蔚 , LIN, KUN WEI , 江易軒 , CHIANG, YI HSUAN , 陳俊廷 , CHEN, CHUN TING
IPC分类号： H01L21/66 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521

2. 发明专利

TWI440175B 具有氧化鋅薄膜之半導體元件有权
简体标题：具有氧化锌薄膜之半导体组件
公开(公告)号：TWI440175B
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW099137581
申请日：2010-11-02
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：賴豊文 , LAI, LI WEN , 張均豪 , CHANG, CHUN HAO , 林昆蔚 , LIN, KUN WEI , 陳俊廷 , CHEN, CHUN TING
IPC分类号： H01L29/22

3. 发明专利

TW201220495A 具有氧化鋅薄膜之半導體元件 SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ZINC OXIDE FILM 审中-公开
简体标题：具有氧化锌薄膜之半导体组件 SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ZINC OXIDE FILM
公开(公告)号：TW201220495A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：TW099137581
申请日：2010-11-02
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：賴豊文 , 張均豪 , 林昆蔚 , 陳俊廷
IPC分类号： H01L
摘要：一種具有氧化鋅薄膜之半導體元件,其包含一基板及一含摻雜物之氧化鋅薄膜。該氧化鋅薄膜係設於該基板上,又該氧化鋅薄膜係包括至少兩個具有不同載子型態之區域。
简体摘要：一种具有氧化锌薄膜之半导体组件,其包含一基板及一含掺杂物之氧化锌薄膜。该氧化锌薄膜系设于该基板上,又该氧化锌薄膜系包括至少两个具有不同载子型态之区域。

4. 发明专利

TW201024714A 矽晶片缺陷的檢測裝置及方法 APPARATUS AND METHOD FOR DETECTING CRACKS IN SILICON WAFER 审中-公开
简体标题：硅芯片缺陷的检测设备及方法 APPARATUS AND METHOD FOR DETECTING CRACKS IN SILICON WAFER
公开(公告)号：TW201024714A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：TW097151888
申请日：2008-12-31
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：林昆蔚 , 江易軒 , 陳俊廷 , 張裕修
IPC分类号： G01N , H01L
摘要：一種矽晶片裂痕的檢測裝置，本發明之檢測裝置包括下光源、上光源、取像元件和處理模組。下光源可以產生具有一第一光線向矽晶片下表面照射，而上光源可以產生具有一第二光線向系晶片的上表面照射。另外，取像元件可以在下光源照射該矽晶片下表面時，對該矽晶片的上表面取像而產生一第一影像資料，並且在上光源照射矽晶片上表面時，對矽晶片的上表面取像而產生一第二影像資料。另外，處理模組可以將第一影像資料和第二影像資料進行運算，以分析出矽晶片上的缺陷。
简体摘要：一种硅芯片裂痕的检测设备，本发明之检测设备包括下光源、上光源、取像组件和处理模块。下光源可以产生具有一第一光线向硅芯片下表面照射，而上光源可以产生具有一第二光线向系芯片的上表面照射。另外，取像组件可以在下光源照射该硅芯片下表面时，对该硅芯片的上表面取像而产生一第一影像数据，并且在上光源照射硅芯片上表面时，对硅芯片的上表面取像而产生一第二影像数据。另外，处理模块可以将第一影像数据和第二影像数据进行运算，以分析出硅芯片上的缺陷。

5. 发明专利

TWI488349B 複合阻障層結構及包括此結構之封裝結構有权
简体标题：复合阻障层结构及包括此结构之封装结构
公开(公告)号：TWI488349B
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：TW101142560
申请日：2012-11-15
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：王登彥 , WANG, TENG YEN , 賴豊文 , LAI, LI WEN , 陳俊廷 , CHEN, CHUN TING , 林昆蔚 , LIN, KUN WEI
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/52

6. 发明专利

TW201421841A 雷射光路之穩定裝置及其方法审中-公开
简体标题：激光光路之稳定设备及其方法
公开(公告)号：TW201421841A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW101144918
申请日：2012-11-30
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：沈威志 , SHEN, WEI CHIH , 陳佳旭 , CHEN, CHIA HSU , 陳俊廷 , CHEN, CHUN TING
IPC分类号： H01S3/13 , H01S3/136
摘要：一種雷射光路之穩定裝置，包括一第一光學元件、一第二光學元件以及一光束中心檢測模組。第一光學元件用以調整一雷射光路。第二光學元件位於第一光學元件調整後之雷射光路上。光束中心檢測模組用以量測雷射光束中心點於二檢測點上的位置，以提供第一光學元件與第二光學元件調整雷射光路之依據。
简体摘要：一种激光光路之稳定设备，包括一第一光学组件、一第二光学组件以及一光束中心检测模块。第一光学组件用以调整一激光光路。第二光学组件位于第一光学组件调整后之激光光路上。光束中心检测模块用以量测激光光束中心点于二检测点上的位置，以提供第一光学组件与第二光学组件调整激光光路之依据。

7. 实用新型

TWM534342U 面板結構與檢測系統有权
简体标题：皮肤结构与检测系统
公开(公告)号：TWM534342U
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW105213776
申请日：2016-09-07
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：莊博全 , CHUANG, BOR-CHUAN , 陳俊廷 , CHEN, JIUN-TING , 李正南 , LEE, CHENG-NAN , 唐敏注 , TUNG, MEAN-JUE , 湯士源 , TONG, SHI-YUAN
IPC分类号： G01R31/02

8. 发明专利

TWI450650B 可撓式基材及可撓式電子裝置有权
简体标题：可挠式基材及可挠式电子设备
公开(公告)号：TWI450650B
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：TW100117018
申请日：2011-05-16
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：賴豊文 , LAI, LI WEN , 林昆蔚 , LIN, KUN WEI , 陳俊廷 , CHEN, CHUN TING , 張均豪 , CHANG, CHUN HAO
IPC分类号： H05K1/03 , H01L23/14
CPC分类号： H05K1/189 , H01L51/0097 , H01L51/5253 , H05K1/0271 , H05K1/0393 , H05K1/185 , H05K2201/0162 , H05K2201/10106 , Y02E10/549 , Y10T428/2495 , Y10T428/265 , Y10T428/31507 , Y10T428/31667 , Y10T428/31721 , Y10T428/31855

9. 发明专利

TWI447955B 發光二極體元件、其導光結構的形成方法與形成設備有权
简体标题：发光二极管组件、其导光结构的形成方法与形成设备
公开(公告)号：TWI447955B
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW100142979
申请日：2011-11-23
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：陳俊廷 , CHEN, CHUN TING , 沈威志 , SHEN, WEI CHIH , 賴豊文 , LAI, LI WEN
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/20 , H01L2933/0091

10. 发明专利

TW201427132A 複合漸變折射層結構及包括此結構之封裝結構审中-公开
简体标题：复合渐变折射层结构及包括此结构之封装结构
公开(公告)号：TW201427132A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW101148228
申请日：2012-12-19
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：陳俊廷 , CHEN, CHUN TING , 林昆蔚 , LIN, KUN WEI , 賴豊文 , LAI, LI WEN
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/54
CPC分类号： G02B1/115
摘要：本揭露之一實施例，提供一種複合漸變折射層結構，包括：一基板；以及一複合漸變折射層，形成於該基板上，其中該複合漸變折射層具有一第一表面與一第二表面，該第一表面為一入光側，該第二表面為一出光側，該複合漸變折射層之各層由氧化鋅矽所構成，且該複合漸變折射層之折射率自該第一表面至該第二表面遞減。本揭露另提供一種包括此複合漸變折射層結構之封裝結構。
简体摘要：本揭露之一实施例，提供一种复合渐变折射层结构，包括：一基板；以及一复合渐变折射层，形成于该基板上，其中该复合渐变折射层具有一第一表面与一第二表面，该第一表面为一入光侧，该第二表面为一出光侧，该复合渐变折射层之各层由氧化锌硅所构成，且该复合渐变折射层之折射率自该第一表面至该第二表面递减。本揭露另提供一种包括此复合渐变折射层结构之封装结构。

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