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1. 发明专利

TWI393202B 薄膜太陽能電池畫線缺陷檢測方法有权
简体标题：薄膜太阳能电池画线缺陷检测方法
公开(公告)号：TWI393202B
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：TW098141853
申请日：2009-12-08
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：林昆蔚 , LIN, KUN WEI , 江易軒 , CHIANG, YI HSUAN , 陳俊廷 , CHEN, CHUN TING
IPC分类号： H01L21/66 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521

2. 发明专利

TWI404894B 照明系統有权
简体标题：照明系统
公开(公告)号：TWI404894B
公开(公告)日：2013-08-11
申请号：TW098144316
申请日：2009-12-22
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：林柏衡 , LIN, PO HENG , 劉建聖 , LIU, CHIEN SHENG , 陳佳旭 , CHEN, CHIA HSU , 江易軒 , CHIANG, YI HSUAN
IPC分类号： F21V9/14
CPC分类号： G02B27/48

3. 发明专利

TWI352196B 反射率量測裝置 A REFLECTANCE MEASURING APPARATUS 有权
简体标题：反射率量测设备 A REFLECTANCE MEASURING APPARATUS
公开(公告)号：TWI352196B
公开(公告)日：2011-11-11
申请号：TW096143833
申请日：2007-11-20
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：林昆蔚 , 江易軒 , 鄭龍宇 , 張裕修
IPC分类号： G01M
CPC分类号： G01N21/55
摘要：本發明提供一種反射率量測裝置，該裝置除了可以量測由待測物直接反射之反射光之外，更可以藉由一反射罩之設計，以接收由該待測物發散之大角度反射光。在一實施例中，該反射罩具有一拋物曲面，以將大角度之反射光調制成平行光而投射至光偵測器上。在另一實施例中，該反射罩具有一橢圓曲面以將大角度之散射光聚焦至光偵測器上。
简体摘要：本发明提供一种反射率量测设备，该设备除了可以量测由待测物直接反射之反射光之外，更可以借由一反射罩之设计，以接收由该待测物发散之大角度反射光。在一实施例中，该反射罩具有一抛物曲面，以将大角度之反射光调制成平行光而投射至光侦测器上。在另一实施例中，该反射罩具有一椭圆曲面以将大角度之散射光聚焦至光侦测器上。

4. 发明专利

TW201024714A 矽晶片缺陷的檢測裝置及方法 APPARATUS AND METHOD FOR DETECTING CRACKS IN SILICON WAFER 审中-公开
简体标题：硅芯片缺陷的检测设备及方法 APPARATUS AND METHOD FOR DETECTING CRACKS IN SILICON WAFER
公开(公告)号：TW201024714A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：TW097151888
申请日：2008-12-31
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：林昆蔚 , 江易軒 , 陳俊廷 , 張裕修
IPC分类号： G01N , H01L
摘要：一種矽晶片裂痕的檢測裝置，本發明之檢測裝置包括下光源、上光源、取像元件和處理模組。下光源可以產生具有一第一光線向矽晶片下表面照射，而上光源可以產生具有一第二光線向系晶片的上表面照射。另外，取像元件可以在下光源照射該矽晶片下表面時，對該矽晶片的上表面取像而產生一第一影像資料，並且在上光源照射矽晶片上表面時，對矽晶片的上表面取像而產生一第二影像資料。另外，處理模組可以將第一影像資料和第二影像資料進行運算，以分析出矽晶片上的缺陷。
简体摘要：一种硅芯片裂痕的检测设备，本发明之检测设备包括下光源、上光源、取像组件和处理模块。下光源可以产生具有一第一光线向硅芯片下表面照射，而上光源可以产生具有一第二光线向系芯片的上表面照射。另外，取像组件可以在下光源照射该硅芯片下表面时，对该硅芯片的上表面取像而产生一第一影像数据，并且在上光源照射硅芯片上表面时，对硅芯片的上表面取像而产生一第二影像数据。另外，处理模块可以将第一影像数据和第二影像数据进行运算，以分析出硅芯片上的缺陷。

5. 发明专利

TW201122371A 照明系統 ILLUMINATION SYSTEM 审中-公开
简体标题：照明系统 ILLUMINATION SYSTEM
公开(公告)号：TW201122371A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：TW098144316
申请日：2009-12-22
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：林柏衡 , 劉建聖 , 陳佳旭 , 江易軒
IPC分类号： F21V
CPC分类号： G02B27/48
摘要：一種照明系統，包括一光源及一磁光元件。光源適於發出一光束，且光束至少部分具有偏振性。磁光元件配置於光束的傳遞路徑上，且包括多個磁光材料單元。這些磁光材料單元適於配置於光束的傳遞路徑上，且這些磁光材料單元的旋光度至少部分不相同。磁光元件適於運動，以使這些磁光材料單元相對於光束運動。
简体摘要：一种照明系统，包括一光源及一磁光组件。光源适于发出一光束，且光束至少部分具有偏振性。磁光组件配置于光束的传递路径上，且包括多个磁光材料单元。这些磁光材料单元适于配置于光束的传递路径上，且这些磁光材料单元的旋光度至少部分不相同。磁光组件适于运动，以使这些磁光材料单元相对于光束运动。

6. 发明专利

TW201120973A 薄膜太陽能電池畫線缺陷檢測方法 INSPECTION METHOD FOR SCRIBING DEFECT OF THIN FILM SOLAR CELL 审中-公开
简体标题：薄膜太阳能电池画线缺陷检测方法 INSPECTION METHOD FOR SCRIBING DEFECT OF THIN FILM SOLAR CELL
公开(公告)号：TW201120973A
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：TW098141853
申请日：2009-12-08
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：林昆蔚 , 江易軒 , 陳俊廷
IPC分类号： H01L
CPC分类号： Y02P70/521
摘要：本發明提供一種薄膜太陽能電池畫線缺陷檢測方法，包括以下步驟：提供一薄膜太陽能電池，其製作方式包括以第一道製程對一透明導電層畫線，以第二道製程對一光吸收層畫線，以第三道製程對一導電層與光吸收層畫線；施加一電流於該薄膜太陽能電池中，使該薄膜太陽能電池發光；以及以一影像擷取模組擷取該薄膜太陽能電池發光之影像，其中影像中不發光之直線為畫線處，藉由該畫線處左右呈現亮暗圖形決定畫線缺陷之位置。
简体摘要：本发明提供一种薄膜太阳能电池画线缺陷检测方法，包括以下步骤：提供一薄膜太阳能电池，其制作方式包括以第一道制程对一透明导电层画线，以第二道制程对一光吸收层画线，以第三道制程对一导电层与光吸收层画线；施加一电流于该薄膜太阳能电池中，使该薄膜太阳能电池发光；以及以一影像截取模块截取该薄膜太阳能电池发光之影像，其中影像中不发光之直线为画线处，借由该画线处左右呈现亮暗图形决定画线缺陷之位置。

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