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1. 发明专利

TWI636716B 在陶瓷基材上製造多平面鍍金屬層的方法有权
简体标题：在陶瓷基材上制造多平面镀金属层的方法
公开(公告)号：TWI636716B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：TW103103864
申请日：2014-02-06
申请人：製陶技術股份有限公司 , CERAMTEC GMBH
发明人：阿德勒席格魯 , ADLER, SIGURD , 提姆阿爾福列德 , THIMM, ALFRED , 迪爾須羅蘭 , DILSCH, ROLAND
IPC分类号： H05K3/12 , H05K1/02

2. 发明专利

TW201405861A ＬＥＤ用途之反射光的基材审中-公开
公开(公告)号：TW201405861A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW102124157
申请日：2013-07-05
申请人：製陶技術股份有限公司 , CERAMTEC GMBH
发明人：多恩亞歷山大 , DOHN, ALEXANDER , 提姆阿爾福列德 , THIMM, ALFRED
IPC分类号： H01L33/10 , H01L33/02 , H01L33/30
CPC分类号： H01L33/60 , C23C14/34 , C23C18/54 , H01L33/0095 , H01L33/46 , H01L33/62
摘要：一種陶瓷基材(1)，具有一上側(4)及一與該上側(5)對立的下側，其中在該上側(4)上施有一鍍金屬層(2)，與至少一LED(3)的電端子元件連接成導電，為了長久性提高反射，故在該下側(5)上設有一反光層(6)，將光線反射到該LED。此外還關於一種製造一種如申請專利範圍第1~8項中任一項之陶瓷基材(1)的方法，該反光層(6)利用濺鍍、網版印刷或鍍覆程序施覆在該下側，或該反光層(6)呈氧化物層的形式藉著將基材在一種含氧的大氣中在＞500℃的溫度轉變而施覆上去。
简体摘要：一种陶瓷基材(1)，具有一上侧(4)及一与该上侧(5)对立的下侧，其中在该上侧(4)上施有一镀金属层(2)，与至少一LED(3)的电端子组件连接成导电，为了长久性提高反射，故在该下侧(5)上设有一反光层(6)，将光线反射到该LED。此外还关于一种制造一种如申请专利范围第1~8项中任一项之陶瓷基材(1)的方法，该反光层(6)利用溅镀、网版印刷或镀覆进程施覆在该下侧，或该反光层(6)呈氧化物层的形式借着将基材在一种含氧的大气中在＞500℃的温度转变而施复上去。

3. 发明专利

TWI613177B 製造一基材的方法有权
简体标题：制造一基材的方法
公开(公告)号：TWI613177B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW101142579
申请日：2012-11-15
申请人：製陶技術股份有限公司 , CERAMTEC GMBH
发明人：多恩亞歷山大 , DOHN, ALEXANDER , 雷南斯羅蘭 , LENEIS, ROLAND , 赫曼克勞斯 , HERRMANN, KLAUS , 提姆阿爾福列德 , THIMM, ALFRED , 海格特歐斯卡 , HELGERT, OSKAR , 阿德勒席格魯 , ADLER, SIGURD
IPC分类号： C04B37/02
CPC分类号： H05K1/0296 , C23C18/1608 , C23C18/1612 , C23C18/165 , C23C18/1651 , C23C18/1868 , C23C18/204 , H05K1/0284 , H05K1/0306 , H05K3/0029 , H05K3/107 , H05K3/1258 , H05K3/185 , Y10T29/49165

4. 发明专利

TW201442582A 在陶瓷基材上製造多平面鍍金屬層的方法审中-公开
简体标题：在陶瓷基材上制造多平面镀金属层的方法
公开(公告)号：TW201442582A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW103103864
申请日：2014-02-06
申请人：製陶技術股份有限公司 , CERAMTEC GMBH
发明人：阿德勒席格魯 , ADLER, SIGURD , 提姆阿爾福列德 , THIMM, ALFRED , 迪爾須羅蘭 , DILSCH, ROLAND
IPC分类号： H05K3/12 , H05K1/02
CPC分类号： H05K3/1216 , C22F1/08 , H01L21/4867 , H01L23/49844 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/22 , Y10T428/24355 , H01L2924/00
摘要：一種在陶瓷基材上製造由銅構成的多平面鍍金屬層的方法，該陶瓷基材(4)由AlN或Al2O3構成，其中將高功率區域(1)和弱功率區域(2)做到該一陶瓷基材(4)上，較高功率區域(4)具較高載電能力的鍍金屬層，該弱功率區域(2)具較小載電能力的鍍金屬層，包含以下依序實施的方法步驟：(e)用一共同的底鍍金屬層印刷上去，當作該高功率區域(1)和該弱功率區域(2)，該底鍍金屬層由一含玻璃的銅基礎銲膏構成，用網版印刷或棉棒印刷上去，其厚度為20~50微米；(f)用不含玻璃成分的銅加厚銲膏數次或次印刷在該高功率區域(1)印刷到底鍍金屬層上以將底鍍金屬層加厚，利用網版印刷或模版印刷一直印到銅總厚度300~500微米為止；(g)將具有該高功率區域(1)和弱功率區域(2)的鍍金屬的陶瓷基材(4)共同在850~950℃在氮氣中燒入；(h)將該高功率區域(1)用機械方式整平以造成一平坦表面，其粗糙度R2＜5微米。此外關於一種鍍金屬的基材(4)，由AlN或Al2O3構成，具有由銅構成的多平面鍍金屬，其具有高功率區域(1)和弱功率區域(2)，該高功率區域(1)具有較大載電能力的鍍金屬層，該弱功率區域(1)具有較小載電能力的鍍金屬層，該基材係利用上述的方法製造，其中：在高功率區域(1)中的鍍金屬層的厚度為180~220微米，在弱功率區域(2)中的鍍金屬層的厚度為20~50微米，且該鍍金屬層的附著強度超過60N/平方毫米。(圖1)
简体摘要：一种在陶瓷基材上制造由铜构成的多平面镀金属层的方法，该陶瓷基材(4)由AlN或Al2O3构成，其中将高功率区域(1)和弱功率区域(2)做到该一陶瓷基材(4)上，较高功率区域(4)具较高载电能力的镀金属层，该弱功率区域(2)具较小载电能力的镀金属层，包含以下依序实施的方法步骤：(e)用一共同的底镀金属层印刷上去，当作该高功率区域(1)和该弱功率区域(2)，该底镀金属层由一含玻璃的铜基础焊膏构成，用网版印刷或棉棒印刷上去，其厚度为20~50微米；(f)用不含玻璃成分的铜加厚焊膏数次或次印刷在该高功率区域(1)印刷到底镀金属层上以将底镀金属层加厚，利用网版印刷或模版印刷一直印到铜总厚度300~500微米为止；(g)将具有该高功率区域(1)和弱功率区域(2)的镀金属的陶瓷基材(4)共同在850~950℃在氮气中烧入；(h)将该高功率区域(1)用机械方式整平以造成一平坦表面，其粗糙度R2＜5微米。此外关于一种镀金属的基材(4)，由AlN或Al2O3构成，具有由铜构成的多平面镀金属，其具有高功率区域(1)和弱功率区域(2)，该高功率区域(1)具有较大载电能力的镀金属层，该弱功率区域(1)具有较小载电能力的镀金属层，该基材系利用上述的方法制造，其中：在高功率区域(1)中的镀金属层的厚度为180~220微米，在弱功率区域(2)中的镀金属层的厚度为20~50微米，且该镀金属层的附着强度超过60N/平方毫米。(图1)

5. 发明专利

TW201424500A 將貫穿接點鍍金屬的方法审中-公开
简体标题：将贯穿接点镀金属的方法
公开(公告)号：TW201424500A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102127203
申请日：2013-07-30
申请人：製陶技術股份有限公司 , CERAMTEC GMBH
发明人：赫曼克勞斯 , HERRMANN, KLAUS , 提姆阿爾福列德 , THIMM, ALFRED
IPC分类号： H05K3/42 , C04B37/02
CPC分类号： H05K1/115 , C04B41/009 , C04B41/5127 , C04B41/88 , C04B2111/00844 , H01B1/16 , H05K3/0094 , C04B35/00 , C04B35/10 , C04B35/581 , C04B14/12 , C04B41/4539 , C04B41/457 , C04B41/5006 , C04B41/5012 , C04B41/5035 , C04B41/5049 , C04B41/5155
摘要：一種在一電路板中製造電貫穿接點的方法，包含將一銲膏混合，將銲膏放入一電路板的孔中，在熱作用下將該銲膏硬化，其中該銲膏至少包含一種可導電的材料以及一些填充劑，其中，該些填充劑在硬化時體積增加，因此該可導電材料在熱作用時硬化造成的體積收縮被抵消。此外關於一種具有鍍金屬之貫穿接點的電路板，其係依上述的方法製造者，包含至少一種導電材料和一些填充劑，其中，該鍍金屬將電路板的孔封閉成密封。
简体摘要：一种在一电路板中制造电贯穿接点的方法，包含将一焊膏混合，将焊膏放入一电路板的孔中，在热作用下将该焊膏硬化，其中该焊膏至少包含一种可导电的材料以及一些填充剂，其中，该些填充剂在硬化时体积增加，因此该可导电材料在热作用时硬化造成的体积收缩被抵消。此外关于一种具有镀金属之贯穿接点的电路板，其系依上述的方法制造者，包含至少一种导电材料和一些填充剂，其中，该镀金属将电路板的孔封闭成密封。

6. 发明专利

TW201341339A 埋入基材中的金屬構造审中-公开
简体标题：埋入基材中的金属构造
公开(公告)号：TW201341339A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW101142579
申请日：2012-11-15
申请人：製陶技術股份有限公司 , CERAMTEC GMBH
发明人：多恩亞歷山大 , DOHN, ALEXANDER , 雷南斯羅蘭 , LENEIS, ROLAND , 赫曼克勞斯 , HERRMANN, KLAUS , 提姆阿爾福列德 , THIMM, ALFRED , 海格特歐斯卡 , HELGERT, OSKAR , 阿德勒席格魯 , ADLER, SIGURD
IPC分类号： C04B37/02
CPC分类号： H05K1/0296 , C23C18/1608 , C23C18/1612 , C23C18/165 , C23C18/1651 , C23C18/1868 , C23C18/204 , H05K1/0284 , H05K1/0306 , H05K3/0029 , H05K3/107 , H05K3/1258 , H05K3/185 , Y10T29/49165
摘要：一種製造一基材的方法，該基材具有埋入之導電之金屬構造或鍍金屬層，其特別用於當電路板者，為了除了二度空間之平坦及平面式（亦即板形的）基材外還要使三度空間式（亦即彎曲或角形的）基材能鍍金屬到深的底，故用雷射技術將渠溝及／或凹隙做入基材中，然後在該渠溝及／或凹隙中產生該金屬構造。
简体摘要：一种制造一基材的方法，该基材具有埋入之导电之金属构造或镀金属层，其特别用于当电路板者，为了除了二度空间之平坦及平面式（亦即板形的）基材外还要使三度空间式（亦即弯曲或角形的）基材能镀金属到深的底，故用激光技术将渠沟及／或凹隙做入基材中，然后在该渠沟及／或凹隙中产生该金属构造。

7. 发明专利

TWI587769B 將貫穿接點鍍金屬的方法有权
简体标题：将贯穿接点镀金属的方法
公开(公告)号：TWI587769B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW102127203
申请日：2013-07-30
申请人：製陶技術股份有限公司 , CERAMTEC GMBH
发明人：赫曼克勞斯 , HERRMANN, KLAUS , 提姆阿爾福列德 , THIMM, ALFRED
IPC分类号： H05K3/42 , C04B37/02
CPC分类号： H05K1/115 , C04B41/009 , C04B41/5127 , C04B41/88 , C04B2111/00844 , H01B1/16 , H05K3/0094 , C04B35/00 , C04B35/10 , C04B35/581 , C04B14/12 , C04B41/4539 , C04B41/457 , C04B41/5006 , C04B41/5012 , C04B41/5035 , C04B41/5049 , C04B41/5155

8. 发明专利

TWI513672B 由高導熱陶瓷構成的連續壓製功能模製體有权
简体标题：由高导热陶瓷构成的连续压制功能模制体
公开(公告)号：TWI513672B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW099141615
申请日：2010-12-02
申请人：製陶技術股份有限公司 , CERAMTEC GMBH
发明人：多恩亞歷山大 , DOHN, ALEXANDER , 提姆阿爾福列德 , THIMM, ALFRED , 君特納葛哈 , GUENTHNER, GERHARD , 施勒阿克瑟 , SCHOELER, AXEL
IPC分类号： C04B35/581 , H01L33/64
CPC分类号： C04B35/581 , C04B35/6263 , C04B35/62695 , C04B35/628 , C04B35/632 , C04B35/63416 , C04B35/63424 , C04B35/6365 , C04B2235/3225 , C04B2235/3865 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/6021 , C04B2235/77 , C04B2235/94 , C04B2235/945 , C04B2235/95 , C04B2235/9607 , F21V29/004 , Y10T428/131

9. 发明专利

TW201302046A 具鋁冷卻體的陶瓷電路板审中-公开
简体标题：具铝冷却体的陶瓷电路板
公开(公告)号：TW201302046A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101111615
申请日：2012-04-02
申请人：製陶技術股份有限公司 , CERAMTEC GMBH
发明人：多恩亞歷山大 , DOHN, ALEXANDER , 提姆阿爾福列德 , THIMM, ALFRED
IPC分类号： H05K7/20 , H01L23/36
CPC分类号： H05K1/0201 , F21V29/508 , F21V29/80 , F21V29/86 , F21V29/89 , F21Y2115/10 , H01L23/3677 , H01L23/3735 , H01L33/642 , H01L2924/0002 , H05K1/0203 , H05K1/0306 , H05K3/0061 , H05K2201/10106 , H01L2924/00
摘要：一種由陶瓷構成的電路板(2)，具有一上側(2a)及一下側(2b)，其中在上側(2a)設有燒結的鍍金屬區域，而下側設計成冷卻體(3)形式，其中，在該下側(2b)也設有燒結的鍍金屬區域，在這些下側之鍍金屬區域上軟銲上一金屬冷卻體(3)。(圖1)
简体摘要：一种由陶瓷构成的电路板(2)，具有一上侧(2a)及一下侧(2b)，其中在上侧(2a)设有烧结的镀金属区域，而下侧设计成冷却体(3)形式，其中，在该下侧(2b)也设有烧结的镀金属区域，在这些下侧之镀金属区域上软焊上一金属冷却体(3)。(图1)

10. 发明专利

TWI525287B 由具有ＬＥＤ的可變規模的陶瓷二極體載體構成的陣列有权
简体标题：由具有ＬＥＤ的可变规模的陶瓷二极管载体构成的数组
公开(公告)号：TWI525287B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW099136422
申请日：2010-10-26
申请人：製陶技術股份有限公司 , CERAMTEC GMBH
发明人：多恩亞歷山大 , DOHN, ALEXANDER , 提姆阿爾福列德 , THIMM, ALFRED , 葛瑞格史提方 , GREGER, STEFAN , 帆特阿敏 , VEITL, ARMIN , 布朗庫特 , BRAUN, KURT
IPC分类号： F21V29/00 , F21Y101/02
CPC分类号： H01L23/3731 , F21K9/00 , F21S2/005 , F21V29/763 , F21V29/86 , F21W2131/103 , F21W2131/205 , F21Y2105/10 , F21Y2113/13 , F21Y2115/10 , H01L25/0753 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

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