专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW202018789A 元件製造方法审中-公开
简体标题：组件制造方法
公开(公告)号：TW202018789A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW109102232
申请日：2015-08-26
申请人：日商尼康股份有限公司 , NIKON CORPORATION
发明人：奈良圭 , NARA, KEI , 中積誠 , NAKAZUMI, MAKOTO , 西康孝 , NISHI, YASUTAKA
IPC分类号： H01L21/28 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L51/50 , H01L33/10 , H05K3/20
摘要：能減輕電子元件製造業者之負擔，且製造高精度電子元件。將構成電子元件之至少一部分積層構造體形成於轉印基板即第1基板上後，將積層構造體轉印至第2基板上的元件製造方法，具備：第1步驟，藉由於第1基板上形成第1導電層，於第1導電層上形成功能層，於功能層上形成第2導電層，以形成積層構造體；以及第2步驟，以第2導電層位於第2基板側之方式使第1基板與第2基板暫時接近或緊貼，以將積層構造體轉印至第2基板。
简体摘要：能减轻电子组件制造业者之负担，且制造高精度电子组件。将构成电子组件之至少一部分积层构造体形成于转印基板即第1基板上后，将积层构造体转印至第2基板上的组件制造方法，具备：第1步骤，借由于第1基板上形成第1导电层，于第1导电层上形成功能层，于功能层上形成第2导电层，以形成积层构造体；以及第2步骤，以第2导电层位于第2基板侧之方式使第1基板与第2基板暂时接近或紧贴，以将积层构造体转印至第2基板。

2. 发明专利

TWI688126B 發光裝置及應用其之背光模組有权
简体标题：发光设备及应用其之背光模块
公开(公告)号：TWI688126B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW105108595
申请日：2016-03-18
申请人：新世紀光電股份有限公司 , GENESIS PHOTONICS INC.
发明人：洪政暐 , CHENG-WEI, HUNG , 林育鋒 , YU-FENG, LIN
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/10 , H01L33/54 , G02B5/30

3. 发明专利

TWI664746B 半導體發光元件有权
简体标题：半导体发光组件
公开(公告)号：TWI664746B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW107121744
申请日：2015-06-17
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：張敏南 , CHANG,MING NAN , 駱武聰 , LO,WU TSUNG , 李世昌 , LEE,SHIH CHANG , 楊宇智 , YANG,YU CHIH
IPC分类号： H01L33/10

4. 发明专利

TW201841385A III族氮化物半導體發光元件及其製造方法审中-公开
简体标题： III族氮化物半导体发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201841385A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107110482
申请日：2018-03-27
申请人：日商同和電子科技股份有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：渡邉康弘 , WATANABE, YASUHIRO
IPC分类号： H01L33/10 , H01L33/14 , H01L33/32
摘要：本發明提供一種可較先前維持發光輸出的可靠性提高的III族氮化物半導體發光元件及其製造方法。本發明的III族氮化物半導體發光元件於基板上依次具備n型半導體層、發光層、p型電子阻擋層、包含AlxGa1-xN的p型接觸層及p側反射電極，自所述發光層的中心發光波長為265 nm以上且330 nm以下，所述p型接觸層與所述p側反射電極相接，且所述p型接觸層的厚度為20 nm以上且80 nm以下，所述p型接觸層的Al組成比x滿足下述式（1）。 [數1] 2.09-0.006×λp≦x≦2.25-0.006×λp···式（1）其中，所述式（1）中，λp為所述中心發光波長（nm）。
简体摘要：本发明提供一种可较先前维持发光输出的可靠性提高的III族氮化物半导体发光组件及其制造方法。本发明的III族氮化物半导体发光组件于基板上依次具备n型半导体层、发光层、p型电子阻挡层、包含AlxGa1-xN的p型接触层及p侧反射电极，自所述发光层的中心发光波长为265 nm以上且330 nm以下，所述p型接触层与所述p侧反射电极相接，且所述p型接触层的厚度为20 nm以上且80 nm以下，所述p型接触层的Al组成比x满足下述式（1）。 [数1] 2.09-0.006×λp≦x≦2.25-0.006×λp···式（1）其中，所述式（1）中，λp为所述中心发光波长（nm）。

5. 发明专利

TWI639250B 具有反射式層序列的發光二極體晶片有权
简体标题：具有反射式层串行的发光二极管芯片
公开(公告)号：TWI639250B
公开(公告)日：2018-10-21
申请号：TW105137869
申请日：2016-11-18
申请人：德商歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：包爾約翰尼斯 , BAUR, JOHANNES , 史密特沃夫甘 , SCHMID, WOLFGANG
IPC分类号： H01L33/10

6. 发明专利

TW201828491A 具有增加之提取的包含發光二極體的光電元件审中-公开
简体标题：具有增加之提取的包含发光二极管的光电组件
公开(公告)号：TW201828491A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106142102
申请日：2017-12-01
申请人：原子能和可替代能源委員會 , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人：湯普萊爾法蘭寇斯 , TEMPLIER, FRANCOIS , 布達米薩利姆 , BOUTAMI, SALIM
IPC分类号： H01L33/10 , H01L33/24
摘要：一種光電元件，包括能夠提供電磁輻射並夾置在第一與第二半導體層之間的主動區，該第一半導體層界定一表面並包括第一部分，該第一部分與該主動區接觸並界定該表面的第一部並在界定該表面的第二部的第二部分中延伸，該第二部分形成單模波導，該光電元件包括覆蓋該第一部的反射電磁輻射的不透明部分，並且在該第二部上包括能夠從該第二部分提取該電磁輻射的繞射光柵。
简体摘要：一种光电组件，包括能够提供电磁辐射并夹置在第一与第二半导体层之间的主动区，该第一半导体层界定一表面并包括第一部分，该第一部分与该主动区接触并界定该表面的第一部并在界定该表面的第二部的第二部分中延伸，该第二部分形成单模波导，该光电组件包括覆盖该第一部的反射电磁辐射的不透明部分，并且在该第二部上包括能够从该第二部分提取该电磁辐射的绕射光栅。

7. 发明专利

TWI621279B 發光元件與顯示裝置有权
简体标题：发光组件与显示设备
公开(公告)号：TWI621279B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW106104076
申请日：2017-02-08
申请人：英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 , PLAYNITRIDE INC.
发明人：賴育弘 , LAI, YU-HUNG
IPC分类号： H01L33/10 , H01L33/36 , H01L27/15

8. 发明专利

TW201813124A 紫外光光學模組审中-公开
简体标题：紫外光光学模块
公开(公告)号：TW201813124A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW105131591
申请日：2016-09-30
申请人：錼創科技股份有限公司 , PLAYNITRIDE INC.
发明人：呂文傑 , LU, WEN-JIE , 孫聖淵 , SUN, SHENG-YUAN
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/10
摘要：紫外光光學模組包含一座體、一光源模組以及一反射件。該光源模組是配置於該座體上，該光源模組包含一第一光源用以發出具一第一波長的紫外光，以及一第二光源用以發出具一第二波長的紫外光，該第二波長相異於該第一波長。該反射件是以可調之方式配置於該座體上，用以選擇性地反射該第一光源或該第二光源發出的紫外光。其中當該反射件配置於該座體上的一第一位置時，該反射件反射該第一光源發出的紫外光；當該反射件配置於該座體上的一第二位置時，該反射件反射該第二光源發出的紫外光。
简体摘要：紫外光光学模块包含一座体、一光源模块以及一反射件。该光源模块是配置于该座体上，该光源模块包含一第一光源用以发出具一第一波长的紫外光，以及一第二光源用以发出具一第二波长的紫外光，该第二波长相异于该第一波长。该反射件是以可调之方式配置于该座体上，用以选择性地反射该第一光源或该第二光源发出的紫外光。其中当该反射件配置于该座体上的一第一位置时，该反射件反射该第一光源发出的紫外光；当该反射件配置于该座体上的一第二位置时，该反射件反射该第二光源发出的紫外光。

9. 发明专利

TWI604632B 發光二極體裝置有权
简体标题：发光二极管设备
公开(公告)号：TWI604632B
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW102114988
申请日：2013-04-25
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳怡名 , CHEN, YI MING , 顧浩民 , KU, HAO MIN , 呂志強 , LU, CHIH CHIANG , 徐子傑 , HSU, TZU CHIEH
IPC分类号： H01L33/10
CPC分类号： H01L33/10 , H01L33/38 , H01L33/405

10. 发明专利

TWI602320B 紫外光光學模組有权
简体标题：紫外光光学模块
公开(公告)号：TWI602320B
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：TW105131591
申请日：2016-09-30
申请人：錼創科技股份有限公司 , PLAYNITRIDE INC.
发明人：呂文傑 , LU, WEN-JIE , 孫聖淵 , SUN, SHENG-YUAN
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/10

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式