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1. 发明专利

TWI642129B 用於半導體基板處理設備之冷卻銷升降機槳有权
简体标题：用于半导体基板处理设备之冷却销直升电梯桨
公开(公告)号：TWI642129B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW103124410
申请日：2014-07-16
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：費雪安德里斯 , FISCHER, ANDREAS , 拉森汀 , LARSON, DEAN
IPC分类号： H01L21/67

2. 发明专利

TW201521137A 用於半導體基板處理設備之冷卻銷升降機槳审中-公开
简体标题：用于半导体基板处理设备之冷却销直升电梯桨
公开(公告)号：TW201521137A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW103124410
申请日：2014-07-16
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：費雪安德里斯 , FISCHER, ANDREAS , 拉森汀 , LARSON, DEAN
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/68742 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01L21/67109
摘要：一半導體基板處理設備包含一冷卻銷升降機槳，用以舉高及降低半導體基板。該半導體基板處理設備包含一處理室，於其中進行對半導體基板的處理；一加熱支座，用以支撐處理室中之半導體基板；以及位於該支座下方之冷卻銷升降機槳。該冷卻銷升降機槳包含一遮熱板以及位於該遮熱板之外周圍部分中之至少一流動通道，冷卻劑可循環流通於該流動通道而將冷卻銷升降機槳之該遮熱板所吸收的熱能移除。該冷卻銷升降機槳可垂直移動，俾使遮熱板之一上表面上之升降銷可行進通過該支座中之相對應的孔洞，且一冷卻劑源係與該至少一流動通道流體相通。
简体摘要：一半导体基板处理设备包含一冷却销直升电梯桨，用以举高及降低半导体基板。该半导体基板处理设备包含一处理室，于其中进行对半导体基板的处理；一加热支座，用以支撑处理室中之半导体基板；以及位于该支座下方之冷却销直升电梯桨。该冷却销直升电梯桨包含一遮热板以及位于该遮热板之外周围部分中之至少一流动信道，冷却剂可循环流通于该流动信道而将冷却销直升电梯桨之该遮热板所吸收的热能移除。该冷却销直升电梯桨可垂直移动，俾使遮热板之一上表面上之升降销可行进通过该支座中之相对应的孔洞，且一冷却剂源系与该至少一流动信道流体相通。

3. 发明专利

TW201737405A 用於蝕刻均勻性控制之可變深度邊緣環审中-公开
简体标题：用于蚀刻均匀性控制之可变深度边缘环
公开(公告)号：TW201737405A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW106104190
申请日：2017-02-09
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：安格洛夫伊弗霖 , ANGELOV, IVELIN , 席拉岱克里斯蒂安 , SILADIE, CRISTIAN , 拉森汀 , LARSON, DEAN , 塞文森布萊恩 , SEVERSON, BRIAN
IPC分类号： H01L21/683 , H01L23/32
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32082 , H01J37/32715 , H01J2237/334
摘要：一基板支撐件包含用以支撐一基板的一內部部分、圍繞該內部部分的一邊緣環、及計算該基板支撐件的一期望的袋部深度的一控制器。袋部深度係對應於在該邊緣環之上表面與該基板之上表面之間的一距離。基於該期望的袋部深度，該控制器選擇性地控制一作動器以使該邊緣環及該內部部分其中至少一者升高及降低以調整在該邊緣環之上表面與該基板之上表面之間的該距離。
简体摘要：一基板支撑件包含用以支撑一基板的一内部部分、围绕该内部部分的一边缘环、及计算该基板支撑件的一期望的袋部深度的一控制器。袋部深度系对应于在该边缘环之上表面与该基板之上表面之间的一距离。基于该期望的袋部深度，该控制器选择性地控制一作动器以使该边缘环及该内部部分其中至少一者升高及降低以调整在该边缘环之上表面与该基板之上表面之间的该距离。

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