专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI636481B 半導體製造用之內部電漿格柵有权
简体标题：半导体制造用之内部等离子格栅
公开(公告)号：TWI636481B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：TW103112593
申请日：2014-04-03
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：席恩哈密特 , SINGH, HARMEET , 立爾托爾斯滕 , LILL, THORSTEN , 瓦海地瓦西德 , VAHEDI, VAHID , 派特森艾立克斯 , PATERSON, ALEX , 堤圖司莫妮卡 , TITUS, MONICA , 卡麥希葛瑞 , KAMARTHY, GOWRI
IPC分类号： H01J37/305 , H01L21/3065

2. 发明专利

TW201817899A 以可移動邊緣環與氣體注射調整達成之晶圓上臨界尺寸均勻性控制审中-公开
简体标题：以可移动边缘环与气体注射调整达成之晶圆上临界尺寸均匀性控制
公开(公告)号：TW201817899A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW106127406
申请日：2017-08-14
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：張依婷 , ZHANG, YITING , 斯里拉曼沙拉維納布里恩 , SRIRAMAN, SARAVANAPRIYAN , 派特森艾立克斯 , PATERSON, ALEX
IPC分类号： C23C14/22 , C23C16/455 , H01J37/32
摘要：一種基板支撐件，位於一基板處理系統中，該基板支撐件包含一內部部分、及一外部部分。該內部部分係設置於一氣體分配裝置下方，該氣體分配裝置係用以將第一處理氣體引導向該內部部分。該外部部分包含一邊緣環，該邊緣環係環繞該內部部分的一外周邊而設置以至少部分地圍繞該內部部分、及佈置於該內部部分上的一基板。該邊緣環係用以相對於該內部部分而升高及降低，並用以將第二處理氣體引導向該內部部分。一控制器判定於處理期間沉積在該基板上的材料之分佈，並基於判定的該分佈而選擇性地調整該邊緣環的一位置、及選擇性地調整該第一處理氣體及該第二處理氣體其中至少一者的流量。
简体摘要：一种基板支撑件，位于一基板处理系统中，该基板支撑件包含一内部部分、及一外部部分。该内部部分系设置于一气体分配设备下方，该气体分配设备系用以将第一处理气体引导向该内部部分。该外部部分包含一边缘环，该边缘环系环绕该内部部分的一外周边而设置以至少部分地围绕该内部部分、及布置于该内部部分上的一基板。该边缘环系用以相对于该内部部分而升高及降低，并用以将第二处理气体引导向该内部部分。一控制器判定于处理期间沉积在该基板上的材料之分布，并基于判定的该分布而选择性地调整该边缘环的一位置、及选择性地调整该第一处理气体及该第二处理气体其中至少一者的流量。

3. 发明专利

TW201725649A 藉由介接腔室進行之易損零件的自動更換审中-公开
简体标题：借由介接腔室进行之易损零件的自动更换
公开(公告)号：TW201725649A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105133481
申请日：2016-10-18
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：杰納堤達蒙蒂龍 , GENETTI, DAMON TYRONE , 麥可卻斯尼瓊 , MCCHESNEY, JON , 派特森艾立克斯 , PATERSON, ALEX , 威特科威克德瑞克約翰 , WITKOWICKI, DEREK JOHN , 恩戈奧斯汀 , NGO, AUSTIN
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/683 , H01L21/687
CPC分类号： H01L21/6875 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/67386 , H01L21/67742 , H01L21/6838 , H01L21/68707 , H01L21/68735 , H01L21/68785
摘要：一種叢集工具組件包含一真空轉移模組及一製程模組，該製程模組具有連接至該真空轉移模組的第一側。隔離閥具有第一側及第二側，該隔離閥的第一側係耦接至該製程模組的第二側。更換站係耦接至隔離閥的第二側。更換站包含交換處理器及零件緩衝部。零件緩衝部包含容納新或舊易損零件的複數隔室。製程模組包含升降機構，以使安裝於製程模組中之易損零件的位置能夠抵達上升位置。上升位置提供交換處理器進行存取，以達成易損零件從製程模組的移除及在零件緩衝部之隔室中的儲存。更換站的交換處理器係配置成從零件緩衝部提供一替代易損零件返回至製程模組。升降機構係配置成接收由交換處理器所提供之用於更換的易損零件，並使該易損零件降低至安裝位置。藉由交換處理器及製程模組的更換係在製程模組與更換站維持於真空狀態時進行。
简体摘要：一种集群工具组件包含一真空转移模块及一制程模块，该制程模块具有连接至该真空转移模块的第一侧。隔离阀具有第一侧及第二侧，该隔离阀的第一侧系耦接至该制程模块的第二侧。更换站系耦接至隔离阀的第二侧。更换站包含交换处理器及零件缓冲部。零件缓冲部包含容纳新或旧易损零件的复数隔室。制程模块包含直升电梯构，以使安装于制程模块中之易损零件的位置能够抵达上升位置。上升位置提供交换处理器进行存取，以达成易损零件从制程模块的移除及在零件缓冲部之隔室中的存储。更换站的交换处理器系配置成从零件缓冲部提供一替代易损零件返回至制程模块。直升电梯构系配置成接收由交换处理器所提供之用于更换的易损零件，并使该易损零件降低至安装位置。借由交换处理器及制程模块的更换系在制程模块与更换站维持于真空状态时进行。

4. 发明专利

TWI515761B 具有變壓器耦合型電漿線圈區域間的電漿密度去耦合結構之法拉第屏蔽有权
简体标题：具有变压器耦合型等离子线圈区域间的等离子密度去耦合结构之法拉第屏蔽
公开(公告)号：TWI515761B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW102138117
申请日：2013-10-22
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：龍茂林 , LONG, MAOLIN , 派特森艾立克斯 , PATERSON, ALEX , 馬須理齊 , MARSH, RICKY , 吳垠 , WU, YING , 朱爾瑞約翰 , DREWERY, JOHN
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67 , H05K9/00

5. 发明专利

TWI488213B 法拉第屏及使用該法拉第屏的電漿處理室有权
简体标题：法拉第屏及使用该法拉第屏的等离子处理室
公开(公告)号：TWI488213B
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：TW101114694
申请日：2012-04-25
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：朱爾瑞約翰 , DREWERY, JOHN , 龍茂林 , LONG, MAOLIN , 派特森艾立克斯 , PATERSON, ALEX
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32651 , H01J37/321 , H01J37/32633

6. 发明专利

TW201432777A 具有變壓器耦合型電漿線圈區域間的電漿密度去耦合結構之法拉第屏蔽审中-公开
简体标题：具有变压器耦合型等离子线圈区域间的等离子密度去耦合结构之法拉第屏蔽
公开(公告)号：TW201432777A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102138117
申请日：2013-10-22
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：龍茂林 , LONG, MAOLIN , 派特森艾立克斯 , PATERSON, ALEX , 馬須理齊 , MARSH, RICKY , 吳垠 , WU, YING , 朱爾瑞約翰 , DREWERY, JOHN
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67 , H05K9/00
摘要：本發明提供法拉第屏蔽、以及結合法拉第屏蔽之電漿處理腔室。電漿腔室包括：一靜電夾盤，用以接收基板；一介電窗，連接至腔室的頂部，介電窗係設置在靜電夾盤上方；以及一法拉第屏蔽。法拉第屏蔽係設置在腔室內部，且定義在靜電夾盤與介電窗之間。法拉第屏蔽包括：一內部區域，具有包括第一及第二複數槽孔之內徑範圍；以及一外部區域，具有包括第三複數槽孔之外徑範圍。內部區域鄰接外部區域。法拉第屏蔽亦包括一帶環，帶環將內部區域與外部區域隔開，以使第一及第二複數槽孔不與第三複數槽孔連接。
简体摘要：本发明提供法拉第屏蔽、以及结合法拉第屏蔽之等离子处理腔室。等离子腔室包括：一静电夹盘，用以接收基板；一介电窗，连接至腔室的顶部，介电窗系设置在静电夹盘上方；以及一法拉第屏蔽。法拉第屏蔽系设置在腔室内部，且定义在静电夹盘与介电窗之间。法拉第屏蔽包括：一内部区域，具有包括第一及第二复数槽孔之内径范围；以及一外部区域，具有包括第三复数槽孔之外径范围。内部区域邻接外部区域。法拉第屏蔽亦包括一带环，带环将内部区域与外部区域隔开，以使第一及第二复数槽孔不与第三复数槽孔连接。

7. 发明专利

TW201401939A 用以控制電漿處理室中之電漿的方法及設備审中-公开
简体标题：用以控制等离子处理室中之等离子的方法及设备
公开(公告)号：TW201401939A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102111934
申请日：2013-04-02
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：帕那格普洛斯席爾多爾斯 , PANAGOPOULOS, THEODOROS , 霍藍德約翰 , HOLLAND, JOHN , 派特森艾立克斯 , PATERSON, ALEX
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/3211
摘要：本發明揭露用以控制電漿處理系統中之電漿的方法及設備，該電漿處理系統具有至少一感應式耦合電漿(ICP)處理腔室。該ICP腔室至少使用第一/中心RF線圈、設置成與第一/中心RF線圈同心之第二/邊緣RF線圈、以及具有至少一第三/中間RF線圈的RF線圈組，該第三/中間RF線圈係以使得第三/中間RF線圈設置在第一/中心RF線圈與第二/邊緣RF線圈之間的方式而設置成與第一/中心RF線圈及第二/邊緣RF線圈同心。於處理期間，供給相同方向的RF電流至第一/中心RF線圈及第二/邊緣RF線圈，而供給相反方向(相對於供給至第一/中心RF線圈及第二/邊緣RF線圈的電流之方向)的RF電流至第三/中間RF線圈。
简体摘要：本发明揭露用以控制等离子处理系统中之等离子的方法及设备，该等离子处理系统具有至少一感应式耦合等离子(ICP)处理腔室。该ICP腔室至少使用第一/中心RF线圈、设置成与第一/中心RF线圈同心之第二/边缘RF线圈、以及具有至少一第三/中间RF线圈的RF线圈组，该第三/中间RF线圈系以使得第三/中间RF线圈设置在第一/中心RF线圈与第二/边缘RF线圈之间的方式而设置成与第一/中心RF线圈及第二/边缘RF线圈同心。于处理期间，供给相同方向的RF电流至第一/中心RF线圈及第二/边缘RF线圈，而供给相反方向(相对于供给至第一/中心RF线圈及第二/边缘RF线圈的电流之方向)的RF电流至第三/中间RF线圈。

8. 发明专利

TW201401367A 於快速氣體切換有用之電漿蝕刻室用腔室塡充物套組审中-公开
简体标题：于快速气体切换有用之等离子蚀刻室用腔室填充物套组
公开(公告)号：TW201401367A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102109025
申请日：2013-03-14
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：麥可卻斯尼瓊 , MCCHESNEY, JON , 帕那格普洛斯席爾 , PANAGOPOULOS, THEO , 派特森艾立克斯 , PATERSON, ALEX , 布雷爾克雷格 , BLAIR, CRAIG
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32477 , C23C16/4404 , H01J37/321 , H01J37/32458 , H01L21/30655
摘要：一種用於感應耦合電漿處理室的腔室填充物套組，在該感應耦合電漿處理室中，半導體基板乃由通過一個面對由懸臂卡盤所支撐之基板的窗之感應耦合射頻(RF,radio frequency)能量進行處理。該套組包括至少一可減少腔室中卡盤下面的下部腔室容積的腔室填充物。套組中的填充物，可被安裝在一腔室容積超過60升(liters)的標準腔室，並藉由使用不同大小的腔室填充物，可以減小腔室的容積來提供所需的氣體流導並配合基板處理過程中真空壓力的變化。該套組可包括頂部、中間、以及底部填充物，其中該頂部填充物有一截頭圓錐形內壁，而提供在卡盤周圍之具有所需大小的環形間隙，並且該中間填充物有一水平表面，而提供在卡盤下方之具有所需大小的垂直間隙。該底部填充物有一與位在腔室底部之真空出口有流體連通的中心開口，處理氣體和副產物係通過該真空出口從腔室中排出。該腔室填充物套組可被用來調整一標準腔室以配合不同的處理體系，例如需要寬廣之壓力變化但不改變基板和窗間之間隙的快速交替處理程序。
简体摘要：一种用于感应耦合等离子处理室的腔室填充物套组，在该感应耦合等离子处理室中，半导体基板乃由通过一个面对由悬臂卡盘所支撑之基板的窗之感应耦合射频(RF,radio frequency)能量进行处理。该套组包括至少一可减少腔室中卡盘下面的下部腔室容积的腔室填充物。套组中的填充物，可被安装在一腔室容积超过60升(liters)的标准腔室，并借由使用不同大小的腔室填充物，可以减小腔室的容积来提供所需的气体流导并配合基板处理过程中真空压力的变化。该套组可包括顶部、中间、以及底部填充物，其中该顶部填充物有一截头圆锥形内壁，而提供在卡盘周围之具有所需大小的环形间隙，并且该中间填充物有一水平表面，而提供在卡盘下方之具有所需大小的垂直间隙。该底部填充物有一与位在腔室底部之真空出口有流体连通的中心开口，处理气体和副产物系通过该真空出口从腔室中排出。该腔室填充物套组可被用来调整一标准腔室以配合不同的处理体系，例如需要宽广之压力变化但不改变基板和窗间之间隙的快速交替处理进程。

9. 发明专利

TWI698381B 前開式環件傳送盒有权
简体标题：前开式环件发送盒
公开(公告)号：TWI698381B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW105133988
申请日：2016-10-21
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：翁史考特 , WONG, SCOTT , 杰納堤達蒙蒂龍 , GENETTI, DAMON TYRONE , 威特科威克德瑞克約翰 , WITKOWICKI, DEREK JOHN , 派特森艾立克斯 , PATERSON, ALEX , 古德理查 H , GOULD, RICHARD H. , 恩戈奧斯汀 , NGO, AUSTIN , 伊斯托克馬克 , ESTOQUE, MARC
IPC分类号： B65D81/05 , B65D25/06 , B25J15/00 , B65G1/14 , H01L21/687

10. 发明专利

TWI623960B 半導體製造設備及其處理方法有权
简体标题：半导体制造设备及其处理方法
公开(公告)号：TWI623960B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：TW103111316
申请日：2014-03-26
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：麥可卻斯尼瓊 , MCCHESNEY, JON , 派特森艾立克斯 , PATERSON, ALEX
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/305

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式