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1. 发明专利

TW201306122A 高壓斜角蝕刻製程审中-公开
简体标题：高压斜角蚀刻制程
公开(公告)号：TW201306122A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101116904
申请日：2012-05-11
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：方通 , FANG, TONG , 金允聖 , KIM, YUNSANG , 費雪安德里斯 , FISCHER, ANDREAS
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/02087 , H01J37/32366 , H01J37/32385 , H01L21/02021 , H01L21/3065 , H01L21/32136 , H01L21/32138
摘要：一種在斜角電漿處理腔室中對半導體進行斜角邊緣(bevel edge)處理的方法，其中該半導體基板係支撐在所設置的一半導體基板支撐部上。該方法包含將該斜角蝕刻機抽空至3到100 Torr的壓力，並且同時將RF電壓維持低於閾值；使一處理氣體流入該斜角電漿處理腔室；在該半導體基板的周邊，將該處理氣體激發成電漿；以及以該電漿對該半導體基板進行斜角處理。
简体摘要：一种在斜角等离子处理腔室中对半导体进行斜角边缘(bevel edge)处理的方法，其中该半导体基板系支撑在所设置的一半导体基板支撑部上。该方法包含将该斜角蚀刻机抽空至3到100 Torr的压力，并且同时将RF电压维持低于阈值；使一处理气体流入该斜角等离子处理腔室；在该半导体基板的周边，将该处理气体激发成等离子；以及以该等离子对该半导体基板进行斜角处理。

2. 发明专利

TWI545647B 利用大於晶圓直徑之電漿禁區環來控制斜角蝕刻膜輪廓有权
简体标题：利用大于晶圆直径之等离子禁区环来控制斜角蚀刻膜轮廓
公开(公告)号：TWI545647B
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：TW098108250
申请日：2009-03-13
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：方通 , FANG, TONG , 金允聖 , KIM, YUNSANG , 金其昌 , KIM, KEECHAN , 史托加寇維克喬治 , STOJAKOVIC, GEORGE
IPC分类号： H01L21/3065 , C23F1/08
CPC分类号： H01L21/67028 , H01J37/32642 , H01L21/02087 , H01L21/3065

3. 发明专利

TWI576908B 高壓斜角蝕刻製程有权
简体标题：高压斜角蚀刻制程
公开(公告)号：TWI576908B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW101116904
申请日：2012-05-11
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：方通 , FANG, TONG , 金允聖 , KIM, YUNSANG , 費雪安德里斯 , FISCHER, ANDREAS
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/02087 , H01J37/32366 , H01J37/32385 , H01L21/02021 , H01L21/3065 , H01L21/32136 , H01L21/32138

4. 发明专利

TWI508163B 高壓斜角蝕刻製程有权
简体标题：高压斜角蚀刻制程
公开(公告)号：TWI508163B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW098143367
申请日：2009-12-17
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：方通 , FANG, TONG , 金允聖 , KIM, YUNSANG S. , 費雪安德里斯 , FISCHER, ANDREAS
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32366 , H01L21/02021

5. 发明专利

TWI427725B 氣體調節以控制斜切邊緣蝕刻電漿腔室中之邊緣排除有权
简体标题：气体调节以控制斜切边缘蚀刻等离子腔室中之边缘排除
公开(公告)号：TWI427725B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW098102851
申请日：2009-01-23
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：方通 , FANG, TONG , 金允聖 , KIM, YUNSANG , 貝利三世安祖D , BAILEY III, ANDREW D. , 瑞谷塔客奧利維爾 , RIGOUTAT, OLIVIER , 史托加寇維克喬治 , STOJAKOVIC, GEORGE
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/32091 , H01J2237/3341 , H01L21/02087

6. 发明专利

TW201034073A 高壓斜角蝕刻製程 HIGH PRESSURE BEVEL ETCH PROCESS 审中-公开
简体标题：高压斜角蚀刻制程 HIGH PRESSURE BEVEL ETCH PROCESS
公开(公告)号：TW201034073A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW098143367
申请日：2009-12-17
申请人：蘭姆研究公司
发明人：方通 , 金允聖 , 費雪安德里斯
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32366 , H01L21/02021
摘要：一種在斜角邊緣蝕刻期間避免發弧之方法，其係在斜角蝕刻器中利用電漿對半導體基板進行斜角邊緣蝕刻，其中半導體基板被支撐在半導體基板支持部上。該方法包含：利用電漿於斜角蝕刻器中對半導體基板進行斜角邊緣蝕刻，而將斜角蝕刻器排空至3到100Torr之壓力，同時將晶圓上所察看之RF電壓維持在足夠低之數值，以避免發弧。
简体摘要：一种在斜角边缘蚀刻期间避免发弧之方法，其系在斜角蚀刻器中利用等离子对半导体基板进行斜角边缘蚀刻，其中半导体基板被支撑在半导体基板支持部上。该方法包含：利用等离子于斜角蚀刻器中对半导体基板进行斜角边缘蚀刻，而将斜角蚀刻器排空至3到100Torr之压力，同时将晶圆上所察看之RF电压维持在足够低之数值，以避免发弧。

7. 发明专利

TW200949933A 利用大於晶圓直徑之電漿禁區環來控制斜角蝕刻膜輪廓 CONTROL OF BEVEL ETCH FILM PROFILE USING PLASMA EXCLUSION ZONE RINGS LARGER THAN THE WAFER DIAMETER 审中-公开
简体标题：利用大于晶圆直径之等离子禁区环来控制斜角蚀刻膜轮廓 CONTROL OF BEVEL ETCH FILM PROFILE USING PLASMA EXCLUSION ZONE RINGS LARGER THAN THE WAFER DIAMETER
公开(公告)号：TW200949933A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW098108250
申请日：2009-03-13
申请人：蘭姆研究公司
发明人：方通 , 金允聖 , 金其昌 , 史托加寇維克喬治
IPC分类号： H01L , C23F
CPC分类号： H01L21/67028 , H01J37/32642 , H01L21/02087 , H01L21/3065
摘要：提供一種半導體基板之斜角邊緣的清理方法。將半導體基板放置在電漿處理設備之反應腔室中之基板支座上。基板具有上覆基板之上表面及斜角邊緣之介電層，介電層沿伸於斜角邊緣之頂點上方及下方。將處理氣體導入反應腔室內，並將處理氣體激發成電漿。以電漿清理斜角邊緣，以便在不移除頂點上方之所有介電層的情況下，將頂點下方之介電層移除。
简体摘要：提供一种半导体基板之斜角边缘的清理方法。将半导体基板放置在等离子处理设备之反应腔室中之基板支座上。基板具有上覆基板之上表面及斜角边缘之介电层，介电层沿伸于斜角边缘之顶点上方及下方。将处理气体导入反应腔室内，并将处理气体激发成等离子。以等离子清理斜角边缘，以便在不移除顶点上方之所有介电层的情况下，将顶点下方之介电层移除。

8. 发明专利

TW200947590A 氣體調節以控制斜切邊緣蝕刻電漿腔室中之邊緣排除 GAS MODULATION TO CONTROL EDGE EXCLUSION IN A BEVEL EDGE ETCHING PLASMA CHAMBER 审中-公开
简体标题：气体调节以控制斜切边缘蚀刻等离子腔室中之边缘排除 GAS MODULATION TO CONTROL EDGE EXCLUSION IN A BEVEL EDGE ETCHING PLASMA CHAMBER
公开(公告)号：TW200947590A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW098102851
申请日：2009-01-23
申请人：蘭姆研究公司
发明人：方通 , 金允聖 , 貝利三世安祖D , 瑞谷塔客奧利維爾 , 史托加寇維克喬治
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/32091 , H01J2237/3341 , H01L21/02087
摘要：各種不同之實施例提供在靠近基板之斜切邊緣移除不需要之沉積物以改進製程良率的設備及方法。該實施例提供具有中央及邊緣氣體饋入器的設備及方法，該中央及邊緣氣體饋入器作為用以選擇最適斜切邊緣蝕刻處理之額外處理調整工具，以促使邊緣排除區域更向外朝向基板邊緣。進一步地，該實施例提供具有可改變斜切邊緣之蝕刻輪廓之調整氣體的設備及方法，並提供使用中央及邊緣氣體饋入器之組合來使處理及調整氣體流入至腔室內之設備及方法。調整氣體的用量及氣體饋入器的位置兩者皆影響在斜切邊緣上的蝕刻特性。總氣體流量、氣體輸送板及基板表面之間的間隙距離、壓力、及處理氣體的種類亦被發現會影響斜切邊緣蝕刻輪廓。
简体摘要：各种不同之实施例提供在靠近基板之斜切边缘移除不需要之沉积物以改进制程良率的设备及方法。该实施例提供具有中央及边缘气体馈入器的设备及方法，该中央及边缘气体馈入器作为用以选择最适斜切边缘蚀刻处理之额外处理调整工具，以促使边缘排除区域更向外朝向基板边缘。进一步地，该实施例提供具有可改变斜切边缘之蚀刻轮廓之调整气体的设备及方法，并提供使用中央及边缘气体馈入器之组合来使处理及调整气体流入至腔室内之设备及方法。调整气体的用量及气体馈入器的位置两者皆影响在斜切边缘上的蚀刻特性。总气体流量、气体输送板及基板表面之间的间隙距离、压力、及处理气体的种类亦被发现会影响斜切边缘蚀刻轮廓。

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