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1. 发明专利

TW200805659A 自我對準之互補雙擴散金氧半導體 SELF-ALIGNED COMPLEMENTARY LDMOS 审中-公开
简体标题：自我对准之互补双扩散金属氧化物半导体 SELF-ALIGNED COMPLEMENTARY LDMOS
公开(公告)号：TW200805659A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：TW096111844
申请日：2007-04-03
申请人：菲爾卻德半導體公司 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATON
发明人：蔡軍 CAI, JUN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/0869 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823857 , H01L27/092 , H01L29/0878 , H01L29/1083 , H01L29/1087 , H01L29/42364 , H01L29/42368 , H01L29/456 , H01L29/66689
摘要：本發明包含一種具有一縮減之大小、一高崩潰電壓及一低導通狀態電阻的橫向雙擴散金氧半導體(LDMOS)。此係藉由在該裝置之汲極側提供一厚閘極氧化物而達成,該厚閘極氧化物在關閉狀態中縮減電場擁擠,以縮減崩潰電壓,且其在該漂移區中形成一累積層,以便在導通狀態中縮減裝置電阻。一裝置型式包含在該裝置之源極側具有一薄閘極氧化物的一低臨限電壓型式,而且該裝置的一高臨限電壓型式包含在該源極側的一厚閘極氧化物。可將該LDMOS配置於具有一N型源極的一LNDMOS或具有一P型源極的一LPDMOS中。該裝置之源極完全對準於該閘極之相鄰氧化物間隔物之下,以提供一大SOA、以縮減裝置大小及縮減裝置洩漏。
简体摘要：本发明包含一种具有一缩减之大小、一高崩溃电压及一低导通状态电阻的横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)。此系借由在该设备之汲极侧提供一厚闸极氧化物而达成,该厚闸极氧化物在关闭状态中缩减电场拥挤,以缩减崩溃电压,且其在该漂移区中形成一累积层,以便在导通状态中缩减设备电阻。一设备型式包含在该设备之源极侧具有一薄闸极氧化物的一低临限电压型式,而且该设备的一高临限电压型式包含在该源极侧的一厚闸极氧化物。可将该LDMOS配置于具有一N型源极的一LNDMOS或具有一P型源极的一LPDMOS中。该设备之源极完全对准于该闸极之相邻氧化物间隔物之下,以提供一大SOA、以缩减设备大小及缩减设备泄漏。

2. 发明专利

TW200843102A 積體無鎖定隔離閘雙極電晶體 INTEGRATED LATCH-UP FREE INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：积体无锁定隔离闸双极晶体管 INTEGRATED LATCH-UP FREE INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
公开(公告)号：TW200843102A
公开(公告)日：2008-11-01
申请号：TW096145443
申请日：2007-11-29
申请人：菲爾卻德半導體公司 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATON
发明人：蔡軍 CAI, JUN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7394 , H01L29/0634 , H01L29/0834 , H01L29/0847
摘要：一種橫向隔離閘雙極電晶體(LIGBT),其包含半導體基板和在半導體基板內的陽極區。基板內之第一傳導率型的陰極區係橫向地與陽極區隔離,及基板內之第二傳導率型的陰極區係安置在陽極區對面之第一傳導率型之陰極區附近及側邊上。半導體基板內之漂移區在陽極區和第一傳導率型的陰極區之間延伸。一隔離閘在運作上耦合到第一傳導率型的陰極區並且置於陽極區對面的第一傳導率型的陰極區側邊上。一隔離片覆蓋於第二傳導率型的陰極區。隔離片的橫向尺寸和第二傳導率型的陰極區基本上相等及基本上小於第一傳導率型的陰極區的橫向尺寸。
简体摘要：一种横向隔离闸双极晶体管(LIGBT),其包含半导体基板和在半导体基板内的阳极区。基板内之第一传导率型的阴极区系横向地与阳极区隔离,及基板内之第二传导率型的阴极区系安置在阳极区对面之第一传导率型之阴极区附近及侧边上。半导体基板内之漂移区在阳极区和第一传导率型的阴极区之间延伸。一隔离闸在运作上耦合到第一传导率型的阴极区并且置于阳极区对面的第一传导率型的阴极区侧边上。一隔离片覆盖于第二传导率型的阴极区。隔离片的横向尺寸和第二传导率型的阴极区基本上相等及基本上小于第一传导率型的阴极区的横向尺寸。

3. 发明专利

TW200837949A 積體互補低電壓射頻橫向雙擴散金屬氧化物半導體電晶體 INTEGRATED COMPLEMENTARY LOW VOLTAGE RF-LDMOS 审中-公开
简体标题：积体互补低电压射频横向双扩散金属氧化物半导体晶体管 INTEGRATED COMPLEMENTARY LOW VOLTAGE RF-LDMOS
公开(公告)号：TW200837949A
公开(公告)日：2008-09-16
申请号：TW097100448
申请日：2008-01-04
申请人：菲爾卻德半導體公司 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATON
发明人：蔡軍 CAI, JUN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/0847 , H01L29/1083 , H01L29/1087 , H01L29/4175 , H01L29/42368 , H01L29/456 , H01L29/4933 , H01L29/66659 , H01L29/7835
摘要：本發明揭示互補射頻橫向雙擴散金屬氧化物半導體電晶體,其在分離閘極氧化物上方具有閘極電極。第二導電率類型的一源極分隔體係從第一導電率類型的源極分接層橫向延伸至最薄閘極氧化物上方的該閘極電極的約略邊緣處。該第一導電率類型的一主體係從該源極分接層的約略底部中心處延伸至該基板表面並且位於該分離閘極氧化物的大部分薄區段下方。該源極分隔體約略具有該閘極側壁氧化物的長度且自對齊閘極電極。該主體同樣自對齊閘極電極。該汲極被至少一緩衝區包圍,該至少一緩衝區自對齊最厚閘極氧化物上方的閘極電極的另一邊緣且延伸至該汲極下方且橫向延伸在該最厚閘極氧化物的下方。該源極分接層與汲極二者均自對齊該等閘極側壁氧化物並且因而會與該閘極電極橫向隔開。
简体摘要：本发明揭示互补射频横向双扩散金属氧化物半导体晶体管,其在分离闸极氧化物上方具有闸极电极。第二导电率类型的一源极分隔体系从第一导电率类型的源极分接层横向延伸至最薄闸极氧化物上方的该闸极电极的约略边缘处。该第一导电率类型的一主体系从该源极分接层的约略底部中心处延伸至该基板表面并且位于该分离闸极氧化物的大部分薄区段下方。该源极分隔体约略具有该闸极侧壁氧化物的长度且自对齐闸极电极。该主体同样自对齐闸极电极。该汲极被至少一缓冲区包围,该至少一缓冲区自对齐最厚闸极氧化物上方的闸极电极的另一边缘且延伸至该汲极下方且横向延伸在该最厚闸极氧化物的下方。该源极分接层与汲极二者均自对齐该等闸极侧壁氧化物并且因而会与该闸极电极横向隔开。

4. 发明专利

TW200616239A 非對稱異摻雜高電壓金氧半導體場效電晶體 ASYMMETRIC HETERO-DOPED HIGH-VOLTAGE MOSFET (AH2MOS) 审中-公开
简体标题：非对称异掺杂高电压金属氧化物半导体场效应管 ASYMMETRIC HETERO-DOPED HIGH-VOLTAGE MOSFET (AH2MOS)
公开(公告)号：TW200616239A
公开(公告)日：2006-05-16
申请号：TW094123607
申请日：2005-07-12
申请人：菲爾卻德半導體公司 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATON
发明人：蔡軍 CAI, JUN , 麥可哈利-使德 HARLETY-STEAD, MICHAEL , 金G 哈特 HOLT, JIM G.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/0847 , H01L21/823425 , H01L21/823481 , H01L29/0878 , H01L29/1045 , H01L29/1083 , H01L29/665 , H01L29/66659 , H01L29/66681 , H01L29/7816 , H01L29/7835
摘要：本發明係關於一種非對稱異摻雜金氧(AH^2MOS)半導體設備，其包括一基板及一位於該基板之頂部上且安置於一源極區與一汲極區之間的絕緣閘極。在該閘極之一側上形成異摻雜槽區及源極區。該槽區具有第二極性之摻雜劑。一源極區安置於各個槽區內部且具有與該第二極性相反之第一極性的摻雜劑。在該閘極之另一側上形成異摻雜緩衝區及漂移區。該等緩衝區包含該第二極性之摻雜劑。該等漂移區安置於該等緩衝區內部且以該第一極性之摻雜劑摻雜。一汲極N＋分接頭區安置於該漂移區中。
简体摘要：本发明系关于一种非对称异掺杂金氧(AH^2MOS)半导体设备，其包括一基板及一位于该基板之顶部上且安置于一源极区与一汲极区之间的绝缘闸极。在该闸极之一侧上形成异掺杂槽区及源极区。该槽区具有第二极性之掺杂剂。一源极区安置于各个槽区内部且具有与该第二极性相反之第一极性的掺杂剂。在该闸极之另一侧上形成异掺杂缓冲区及漂移区。该等缓冲区包含该第二极性之掺杂剂。该等漂移区安置于该等缓冲区内部且以该第一极性之掺杂剂掺杂。一汲极N＋分接头区安置于该漂移区中。

5. 发明专利

TW200845393A 短頻道低電壓、中電壓及高電壓互補金氧半導體裝置 SHORT CHANNEL LV, MV, AND HV CMOS DEVICES 审中-公开
简体标题：短频道低电压、中电压及高电压互补金属氧化物半导体设备 SHORT CHANNEL LV, MV, AND HV CMOS DEVICES
公开(公告)号：TW200845393A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW097108764
申请日：2008-03-12
申请人：菲爾卻德半導體公司 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATON
发明人：蔡軍 CAI, JUN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7833 , H01L21/823412 , H01L21/823418 , H01L21/823462 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823857 , H01L29/0653 , H01L29/1045 , H01L29/1083 , H01L29/1087 , H01L29/42368 , H01L29/665 , H01L29/66568 , H01L29/66575 , H01L29/6659 , H01L29/66659 , H01L29/7834
摘要：本發明揭示一種低電壓、中電壓與高電壓互補金氧半導體裝置,其具有與在源極與汲極及閘極下方延伸但未越過該等閘極之中間之該等源極與汲極相同導電率類型的較高緩衝層,且具有自該等較高緩衝層下方延伸至越過該等閘極之該中間之與該等較高緩衝層該相反導電率類型的較低塊狀緩衝層,以在該等閘極下方形成該兩個塊狀緩衝層之一重疊。可使用兩個遮罩層,植入用於NMOS與PMOS FET兩者之該等較高緩衝層與該等較低塊狀緩衝層。該等較高緩衝層連同該等較低塊狀緩衝層為中電壓與高電壓裝置提供一降低表面電場區域。
简体摘要：本发明揭示一种低电压、中电压与高电压互补金属氧化物半导体设备,其具有与在源极与汲极及闸极下方延伸但未越过该等闸极之中间之该等源极与汲极相同导电率类型的较高缓冲层,且具有自该等较高缓冲层下方延伸至越过该等闸极之该中间之与该等较高缓冲层该相反导电率类型的较低块状缓冲层,以在该等闸极下方形成该两个块状缓冲层之一重叠。可使用两个遮罩层,植入用于NMOS与PMOS FET两者之该等较高缓冲层与该等较低块状缓冲层。该等较高缓冲层连同该等较低块状缓冲层为中电压与高电压设备提供一降低表面电场区域。

6. 发明专利

TW200807718A 高電壓側雙擴散金屬氧化物半導體 HIGH VOLTAGE LDMOS 审中-公开
简体标题：高电压侧双扩散金属氧化物半导体 HIGH VOLTAGE LDMOS
公开(公告)号：TW200807718A
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：TW096121652
申请日：2007-06-15
申请人：菲爾卻德半導體公司 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATON
发明人：蔡軍 CAI, JUN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/1083 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/41725 , H01L29/42356 , H01L29/4236 , H01L29/7825
摘要：本發明揭示一種半導體裝置,例如側雙擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)裝置,其包含:一半導體基板;一汲極區,其係在該半導體基板中;一源極區,其係在該半導體基板中與該汲極區側向隔開;及一漂移區,其係在該汲極區及該源極區間之該半導體基板中。一閘極係可操作以耦合至該源極區,該閘極係自該汲極區偏移定位在該源極區與該汲極區相對之一側上。當該裝置係在開啓狀態時,電流傾向於流動更深入該漂移區至該偏移閘極,而非接近該裝置表面。該漂移區較佳係包括至少第一及第二堆疊接面場效電晶體(JFET)。該第一及第二堆疊JFET包括一第一導電率類型之第一、第二及第三層;一在該第一及第二層中間的第四層包括該第一導電率類型及一第二導電率類型之交替柱,其係在該源極及汲極區間延伸;及一在該第二及第三層中間的第五層,該第五層包括該第一及該第二導電率類型之交替柱,其係在該源極及汲極區間延伸。
简体摘要：本发明揭示一种半导体设备,例如侧双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)设备,其包含:一半导体基板;一汲极区,其系在该半导体基板中;一源极区,其系在该半导体基板中与该汲极区侧向隔开;及一漂移区,其系在该汲极区及该源极区间之该半导体基板中。一闸极系可操作以耦合至该源极区,该闸极系自该汲极区偏移定位在该源极区与该汲极区相对之一侧上。当该设备系在开启状态时,电流倾向于流动更深入该漂移区至该偏移闸极,而非接近该设备表面。该漂移区较佳系包括至少第一及第二堆栈接面场效应管(JFET)。该第一及第二堆栈JFET包括一第一导电率类型之第一、第二及第三层;一在该第一及第二层中间的第四层包括该第一导电率类型及一第二导电率类型之交替柱,其系在该源极及汲极区间延伸;及一在该第二及第三层中间的第五层,该第五层包括该第一及该第二导电率类型之交替柱,其系在该源极及汲极区间延伸。

7. 发明专利

TW200620630A 具有堆疊異質摻雜邊緣及漸進漂移區域之改良式減少表面場的高壓P型金屬氧化半導體裝置 ENHANCED RESURF HVPMOS DEVICE WITH STACKED HETERO-DOPING RIM AND GRADUAL DRIFT REGION 审中-公开
简体标题：具有堆栈异质掺杂边缘及渐进漂移区域之改良式减少表面场的高压P型金属氧化半导体设备 ENHANCED RESURF HVPMOS DEVICE WITH STACKED HETERO-DOPING RIM AND GRADUAL DRIFT REGION
公开(公告)号：TW200620630A
公开(公告)日：2006-06-16
申请号：TW094130550
申请日：2005-09-06
申请人：菲爾卻德半導體公司 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATON
发明人：蔡軍 CAI, JUN , 麥可哈利-史戴德 HARLEY-STEAD, MICHAEL , 吉姆G 荷特 HOLT, JIM G.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7835 , H01L29/0847 , H01L29/1045 , H01L29/456 , H01L29/4933 , H01L29/665 , H01L29/66659
摘要：本發明係揭示一種形成於一基板上的高壓P型金屬氧化半導體裝置，該基板具有形成於一第二極性類型之一磊晶層中的一第一極性類型之一高壓(high voltage；HV)井，該裝置包括處於該基板上而至少部分在該高壓井上之一對場氧化物區域。絕緣閘極係形成於該基板上而介於該等場氧化物區域之間。堆疊異質摻雜邊緣係形成於該高壓井內，並與該等閘極之外部邊緣自我對齊。該第一極性類型之一緩衝區域係形成於該高壓井內而介於該等閘極的內部邊緣之間，且與該等內部邊緣自我對齊。該第二極性類型之一漂移區域係形成於該緩衝區域內而介於該等閘極的內部邊緣之間，且與該等內部邊緣自我對齊。該漂移區域包括具有一摻雜物濃度漸進變化之一區域，且包括該第二極性類型之一汲極區域。
简体摘要：本发明系揭示一种形成于一基板上的高压P型金属氧化半导体设备，该基板具有形成于一第二极性类型之一磊晶层中的一第一极性类型之一高压(high voltage；HV)井，该设备包括处于该基板上而至少部分在该高压井上之一对场氧化物区域。绝缘闸极系形成于该基板上而介于该等场氧化物区域之间。堆栈异质掺杂边缘系形成于该高压井内，并与该等闸极之外部边缘自我对齐。该第一极性类型之一缓冲区域系形成于该高压井内而介于该等闸极的内部边缘之间，且与该等内部边缘自我对齐。该第二极性类型之一漂移区域系形成于该缓冲区域内而介于该等闸极的内部边缘之间，且与该等内部边缘自我对齐。该漂移区域包括具有一掺杂物浓度渐进变化之一区域，且包括该第二极性类型之一汲极区域。

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