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1. 发明专利

TWI619200B 具有雙井區之金屬氧化物半導體元件及其製造方法有权
简体标题：具有双井区之金属氧化物半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI619200B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW105109353
申请日：2016-03-25
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃宗義 , HUANG, TSUNG-YI
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/8238 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/1083 , H01L21/823493 , H01L29/66659 , H01L29/66689 , H01L29/7816 , H01L29/7835

2. 发明专利

TWI596672B 橫向雙擴散金屬氧化物半導體電晶體及其製造方法有权
简体标题：横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TWI596672B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW104106343
申请日：2015-02-26
申请人：矽力杰半導體技術(杭州)有限公司 , SILERGY SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY (HANGZHOU) LTD.
发明人：游步東 , 王猛 , 呂政
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/772
CPC分类号： H01L29/66681 , H01L29/0653 , H01L29/0878 , H01L29/42368 , H01L29/66689 , H01L29/7816

3. 发明专利

TWI569413B 包括積體電路的電子裝置及其形成方法有权
简体标题：包括集成电路的电子设备及其形成方法
公开(公告)号：TWI569413B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW099119320
申请日：2010-06-14
申请人：半導體組件工業公司 , SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C.
发明人：羅卻特蓋瑞H , LOECHELT, GARY H. , 葛利夫納高登M , GRIVNA, GORDON M.
IPC分类号： H01L27/085 , H01L21/8232 , H01L21/22
CPC分类号： H01L21/823892 , H01L21/2815 , H01L21/823814 , H01L21/823828 , H01L27/092 , H01L29/0653 , H01L29/1083 , H01L29/4175 , H01L29/41758 , H01L29/41766 , H01L29/42376 , H01L29/66659 , H01L29/66689 , H01L29/66696 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

4. 发明专利

TW201622136A 含有利用傾斜注入工藝製備的超級結結構的半導體器件审中-公开
简体标题：含有利用倾斜注入工艺制备的超级结结构的半导体器件
公开(公告)号：TW201622136A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104128582
申请日：2015-08-31
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：帕德馬納班卡西克 , PADMANABHAN, KARTHIK , 博德馬督兒 , BOBDE, MADHUR , 管靈鵬 , GUAN, LINGPENG , 張磊 , ZHANG, LEI , 耶爾馬茲哈姆紮 , YILMAZ, HAMZA
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/26586 , H01L21/26513 , H01L21/324 , H01L29/0634 , H01L29/0653 , H01L29/0661 , H01L29/0676 , H01L29/0696 , H01L29/086 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/42376 , H01L29/66689 , H01L29/7802 , H01L29/7803 , H01L29/7816 , H01L29/7823
摘要：本發明揭露一種半導體器件，包括一個利用N-型和P-型同步傾斜注入到溝槽側壁中，製備而成的超級結結構。N-型和P-型同步傾斜注入使用不同的注入能量和不同擴散速率的摻雜物，以至於退火後，形成交替的N-型和P-型薄半導體區。交替的N-型和P-型薄半導體區構成一個超級結結構，其中所形成的空間電荷平衡區提高了半導體器件的擊穿電壓性能。
简体摘要：本发明揭露一种半导体器件，包括一个利用N-型和P-型同步倾斜注入到沟槽侧壁中，制备而成的超级结结构。N-型和P-型同步倾斜注入使用不同的注入能量和不同扩散速率的掺杂物，以至于退火后，形成交替的N-型和P-型薄半导体区。交替的N-型和P-型薄半导体区构成一个超级结结构，其中所形成的空间电荷平衡区提高了半导体器件的击穿电压性能。

5. 发明专利

TW201612982A 橫向雙擴散金屬氧化物半導體電晶體及其製造方法审中-公开
简体标题：横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TW201612982A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104106343
申请日：2015-02-26
申请人：矽力杰半導體技術(杭州)有限公司 , SILERGY SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY (HANGZHOU) LTD.
发明人：游步東 , 王猛 , 呂政
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/772
CPC分类号： H01L29/66681 , H01L29/0653 , H01L29/0878 , H01L29/42368 , H01L29/66689 , H01L29/7816
摘要：本發明公開了一種製造橫向雙擴散金屬氧化物半導體電晶體及其製造方法。所述方法包括：在半導體層的表面形成高壓閘極介電質；在半導體層上形成至少一部分與高壓閘極介電質相鄰的薄閘極介電質；在薄閘極介電質和高壓閘極介電質上形成閘極導體；採用第一掩模圖案化閘極導體，限定閘極導體的第一側壁，其中，第一側壁位於薄閘極介電質上方；採用第二掩模圖案化閘極導體，限定閘極導體的第二側壁，其中，第二側壁的至少一部分位於高壓閘極介電質上方；形成第一摻雜類型的源區和汲區，其中，該方法還包括經由第一掩模來注入摻雜劑，形成第二摻雜類型的體區，第二摻雜類型與第一摻雜類型相反。該方法簡化製程步驟並提高最終裝置的可靠性。
简体摘要：本发明公开了一种制造横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法。所述方法包括：在半导体层的表面形成高压闸极介电质；在半导体层上形成至少一部分与高压闸极介电质相邻的薄闸极介电质；在薄闸极介电质和高压闸极介电质上形成闸极导体；采用第一掩模图案化闸极导体，限定闸极导体的第一侧壁，其中，第一侧壁位于薄闸极介电质上方；采用第二掩模图案化闸极导体，限定闸极导体的第二侧壁，其中，第二侧壁的至少一部分位于高压闸极介电质上方；形成第一掺杂类型的源区和汲区，其中，该方法还包括经由第一掩模来注入掺杂剂，形成第二掺杂类型的体区，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反。该方法简化制程步骤并提高最终设备的可靠性。

6. 发明专利

TWI500140B 包括具有互相耦合的電晶體的積體電路的電子裝置有权
简体标题：包括具有互相耦合的晶体管的集成电路的电子设备
公开(公告)号：TWI500140B
公开(公告)日：2015-09-11
申请号：TW099119315
申请日：2010-06-14
申请人：半導體組件工業公司 , SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C.
发明人：羅卻特蓋瑞H , LOECHELT, GARY H. , 葛利夫納高登M , GRIVNA, GORDON M.
IPC分类号： H01L27/085 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/088 , H01L21/2815 , H01L21/76895 , H01L21/823814 , H01L21/823828 , H01L21/823892 , H01L27/092 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/10 , H01L29/1083 , H01L29/402 , H01L29/41708 , H01L29/4175 , H01L29/41766 , H01L29/42376 , H01L29/6625 , H01L29/66659 , H01L29/66689 , H01L29/66696 , H01L29/735 , H01L29/7816 , H01L29/7835 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

7. 发明专利

TWI471980B 具有單相裝置及雙相裝置之半導體結構及其製造方法有权
简体标题：具有单相设备及双相设备之半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI471980B
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW102105014
申请日：2008-10-24
申请人：艾斯堤維聖資產有限責任公司 , ESTIVATION PROPERTIES LLC
发明人：高格伊碧熙奴布拉薩拿 , GOGOI, BISHNU PRASANNA
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/76
CPC分类号： H01L29/7803 , H01L21/2815 , H01L21/823412 , H01L21/823456 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L27/0922 , H01L29/0638 , H01L29/0657 , H01L29/0878 , H01L29/1083 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/42376 , H01L29/456 , H01L29/4941 , H01L29/66689 , H01L29/66719 , H01L29/7802 , H01L29/7816

8. 发明专利

TWI462186B 雙重擴散源ＭＯＳＦＥＴ（ＬＤＭＯＳ）電晶體中之重摻雜區及其製造方法有权
简体标题：双重扩散源ＭＯＳＦＥＴ（ＬＤＭＯＳ）晶体管中之重掺杂区及其制造方法
公开(公告)号：TWI462186B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW097150976
申请日：2008-12-26
申请人：沃特拉半導體公司 , VOLTERRA SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：努尼佳馬可A , ZUNIGA, MARCO A , 尤埔東 , YOU, BUDONG
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H03K17/687
CPC分类号： H01L21/041 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L27/0922 , H01L29/0696 , H01L29/086 , H01L29/0865 , H01L29/66689 , H01L29/7816 , H01L29/7836

9. 发明专利

TW201330254A 橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效電晶體及其製造方法审中-公开
简体标题：横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法
公开(公告)号：TW201330254A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101129373
申请日：2012-08-14
申请人：茂力科技股份有限公司 , MONOLITHIC POWER SYSTEMS, INC.
发明人：迪斯尼唐納德 , DISNEY, DONALD , 張磊 , ZHANG, LEI , 李鐵生 , LI, TIESHENG
IPC分类号： H01L29/772 , H01L27/088 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L29/086 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/41766 , H01L29/42368 , H01L29/456 , H01L29/4933 , H01L29/665 , H01L29/66689 , H01L29/66696
摘要：本案提出了一種具有凹陷的源電極接觸的橫向DMOS及形成橫向DMOS的方法。根據本發明實施例的橫向DMOS包括凹陷的源電極接觸，其中該凹陷的源電極接觸包括凹陷部分，該凹陷部分縱向延伸穿過橫向DMOS的源極區並與其體區接觸，並且該凹陷部分與該極源極區和該體區電氣耦接。根據本發明實施例的橫向DMOS不僅具有較小的尺寸而且生產成本相對低。
简体摘要：本案提出了一种具有凹陷的源电极接触的横向DMOS及形成横向DMOS的方法。根据本发明实施例的横向DMOS包括凹陷的源电极接触，其中该凹陷的源电极接触包括凹陷部分，该凹陷部分纵向延伸穿过横向DMOS的源极区并与其体区接触，并且该凹陷部分与该极源极区和该体区电气耦接。根据本发明实施例的横向DMOS不仅具有较小的尺寸而且生产成本相对低。

10. 发明专利

TW201140835A 包括一埋入式絕緣層及一貫穿其延伸之垂直導電結構之電子裝置及其形成方法 ELECTRONIC DEVICE INCLUDING A BURIED INSULATING LAYER AND A VERTICAL CONDUCTIVE STRUCTURE EXTENDING THERETHROUGH AND A PROCESS OF FORMING THE SAME 审中-公开
简体标题：包括一埋入式绝缘层及一贯穿其延伸之垂直导电结构之电子设备及其形成方法 ELECTRONIC DEVICE INCLUDING A BURIED INSULATING LAYER AND A VERTICAL CONDUCTIVE STRUCTURE EXTENDING THERETHROUGH AND A PROCESS OF FORMING THE SAME
公开(公告)号：TW201140835A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW100102966
申请日：2011-01-26
申请人：半導體組件工業公司
发明人：羅卻特蓋瑞H , 葛利夫納高登M , 德貝爾彼得J
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66696 , H01L21/26586 , H01L21/2815 , H01L21/743 , H01L21/823475 , H01L27/1203 , H01L29/0626 , H01L29/0808 , H01L29/0821 , H01L29/0847 , H01L29/086 , H01L29/0878 , H01L29/1008 , H01L29/1083 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/4175 , H01L29/42376 , H01L29/6625 , H01L29/66659 , H01L29/66689 , H01L29/735 , H01L29/7824 , H01L29/7835 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種電子裝置，其可包括一埋入式導電區、位於該埋入式導電區上方之一埋入式絕緣層及配置在該埋入式絕緣層上方之一半導體層，其中該半導體層具有一主表面及一對置表面，且該埋入式導電區係配置成距該對置表面比距該主表面更近。該電子裝置亦可包括一第一電晶體之一載流電極，其中該載流電極係沿該主表面配置且與該埋入式導電層間隔開。該電子裝置亦可包括延伸穿過該埋入式絕緣層之一第一垂直導電結構，其中該第一垂直導電結構電連接至該載流電極及該埋入式導電區。
简体摘要：本发明揭示一种电子设备，其可包括一埋入式导电区、位于该埋入式导电区上方之一埋入式绝缘层及配置在该埋入式绝缘层上方之一半导体层，其中该半导体层具有一主表面及一对置表面，且该埋入式导电区系配置成距该对置表面比距该主表面更近。该电子设备亦可包括一第一晶体管之一载流电极，其中该载流电极系沿该主表面配置且与该埋入式导电层间隔开。该电子设备亦可包括延伸穿过该埋入式绝缘层之一第一垂直导电结构，其中该第一垂直导电结构电连接至该载流电极及该埋入式导电区。

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