会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 7. 发明专利
    • 超自對準構槽型雙擴散金屬氧化物半導體電晶體結構及其製造方法 SUPER-SELF-ALIGNED TRENCH-DMOS STRUCTURE AND METHOD
    • 超自对准构槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管结构及其制造方法 SUPER-SELF-ALIGNED TRENCH-DMOS STRUCTURE AND METHOD
    • TW201007945A
    • 2010-02-16
    • TW098118749
    • 2009-06-05
    • 萬國半導體股份有限公司
    • 赫爾伯特 弗蘭茨娃
    • H01L
    • H01L29/66734H01L21/2257H01L29/04H01L29/0865H01L29/0869H01L29/41766H01L29/456H01L29/66727H01L29/7813
    • 一種半導體器件,包括一個形成於N-型外延層之內P-型體區層;一個形成於位於P-型體區和N-型外延層之內的溝槽內的柵電極;一個緊鄰柵電極的由P-型體區所形成的頂部源極區;一個沿柵電極側壁設置的、且位於柵電極和源極之間、柵電極和P-型體區之間、柵電極和N-型外延層之間的柵絕緣體;一個位於柵電極上方的絕緣帽;以及一個沿源極側壁和柵絕緣體側壁設置的N+型摻雜隔片。源極包含由隔片擴散而來的N+型摻雜物。一個包含P型摻雜物的體接觸區形成自N-型外延層。接觸區與一個或者多個P-型體區層的P-型摻雜區以及源極相接觸。製造這一器件的方法也同時公開。本發明的實施例同樣可以應用於P溝道器件。
    • 一种半导体器件,包括一个形成于N-型外延层之内P-型体区层;一个形成于位于P-型体区和N-型外延层之内的沟槽内的栅电极;一个紧邻栅电极的由P-型体区所形成的顶部源极区;一个沿栅电极侧壁设置的、且位于栅电极和源极之间、栅电极和P-型体区之间、栅电极和N-型外延层之间的栅绝缘体;一个位于栅电极上方的绝缘帽;以及一个沿源极侧壁和栅绝缘体侧壁设置的N+型掺杂隔片。源极包含由隔片扩散而来的N+型掺杂物。一个包含P型掺杂物的体接触区形成自N-型外延层。接触区与一个或者多个P-型体区层的P-型掺杂区以及源极相接触。制造这一器件的方法也同时公开。本发明的实施例同样可以应用于P沟道器件。