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1. 发明专利

TWI633669B 半導體元件及其製程有权
简体标题：半导体组件及其制程
公开(公告)号：TWI633669B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：TW103145830
申请日：2014-12-26
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：洪裕祥 , HUNG, YU HSIANG , 林昭宏 , LIN, CHAO HUNG , 陳映璁 , CHEN, YING TSUNG , 許智凱 , HSU, CHIH KAI , 傅思逸 , FU, SSU I , 鄭志祥 , JENQ, JYH SHYANG , 蔡世鴻 , TSAI, SHIH HUNG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28

2. 发明专利

TW201738962A 閘介電層的製造方法审中-公开
简体标题：闸介电层的制造方法
公开(公告)号：TW201738962A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW105112766
申请日：2016-04-25
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：黃同雋 , HUANG, TONG-JYUN , 蔡世鴻 , TSAI, SHIH-HUNG , 馮立偉 , FENG, LI-WEI , 鄭志祥 , JENQ, JYH-SHYANG
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/316
摘要：一種閘介電層的製造方法，包括下列步驟。提供氧化物層。在N2O的環境中，對氧化物層進行第一回火製程。在進行第一回火製程之後，在NH3的環境中，對氧化物層進行第二回火製程。
简体摘要：一种闸介电层的制造方法，包括下列步骤。提供氧化物层。在N2O的环境中，对氧化物层进行第一回火制程。在进行第一回火制程之后，在NH3的环境中，对氧化物层进行第二回火制程。

3. 发明专利

TWI584482B 互補式金氧半場效電晶體結構、金氧半場效電晶體結構及其製作方法有权
简体标题：互补式金氧半场效应管结构、金氧半场效应管结构及其制作方法
公开(公告)号：TWI584482B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW102100617
申请日：2013-01-08
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：林建廷 , LIN, CHIEN TING , 蔡世鴻 , TSAI, SHIH HUNG
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28

4. 发明专利

TW201717282A 半導體元件及其製作方法审中-公开
简体标题：半导体组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201717282A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW104136926
申请日：2015-11-10
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：馮立偉 , FENG, LI-WEI , 蔡世鴻 , TSAI, SHIH-HUNG , 林昭宏 , LIN, CHAO-HUNG , 林建廷 , LIN, CHIEN-TING , 陳立強 , CHEN, LI-CHIANG , 鄭志祥 , JENQ, JYH-SHYANG
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/8244 , H01L27/088 , H01L27/11 , H01L29/772
CPC分类号： H01L21/823431 , H01L21/3086 , H01L27/0886 , H01L27/1104 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/66795
摘要：本發明揭露一種製作半導體元件的方法。首先提供一基底，然後形成一第一軸心體、一第二軸心體、一第三軸心體以及一第四軸心體於基底上，該第一軸心體及該第二軸心體之間具有一第一間距，該第二軸心體及該第三軸心體之間具有一第二間距，該第三軸心體及該第四軸心體之間具有一第三間距，其中第一間距等於第三間距但不同於第二間距。接著於第一軸心體、第二軸心體、第三軸心體以及第四軸心體旁形成側壁子，並去除該第一間距及該第三間距內之側壁子。
简体摘要：本发明揭露一种制作半导体组件的方法。首先提供一基底，然后形成一第一轴心体、一第二轴心体、一第三轴心体以及一第四轴心体于基底上，该第一轴心体及该第二轴心体之间具有一第一间距，该第二轴心体及该第三轴心体之间具有一第二间距，该第三轴心体及该第四轴心体之间具有一第三间距，其中第一间距等于第三间距但不同于第二间距。接着于第一轴心体、第二轴心体、第三轴心体以及第四轴心体旁形成侧壁子，并去除该第一间距及该第三间距内之侧壁子。

5. 发明专利

TW201703155A 半導體元件及其製作方法审中-公开
简体标题：半导体组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201703155A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW104121285
申请日：2015-07-01
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：馮立偉 , FENG, LI-WEI , 蔡世鴻 , TSAI, SHIH-HUNG , 林昭宏 , LIN, CHAO-HUNG , 洪世芳 , HONG, SHIH-FANG , 鄭志祥 , JENQ, JYH-SHYANG
IPC分类号： H01L21/335 , H01L27/085 , H01L29/772
CPC分类号： H01L21/76229 , H01L21/823412 , H01L21/823431 , H01L21/823821 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L27/1104
摘要：本發明揭露一種製作半導體元件的方法。首先提供一基底，該基底上具有一第一區域、一第二區域以及一第三區域，然後形成複數個側壁子於第一區域、該第二區域及第三區域，形成一第一圖案化遮罩覆蓋第一區域及二區域之側壁子，以及去除第三區域之側壁子。
简体摘要：本发明揭露一种制作半导体组件的方法。首先提供一基底，该基底上具有一第一区域、一第二区域以及一第三区域，然后形成复数个侧壁子于第一区域、该第二区域及第三区域，形成一第一图案化遮罩覆盖第一区域及二区域之侧壁子，以及去除第三区域之侧壁子。

6. 发明专利

TWI524394B 具有金屬閘極之半導體元件之製作方法有权
简体标题：具有金属闸极之半导体组件之制作方法
公开(公告)号：TWI524394B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW100146624
申请日：2011-12-15
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：傅思逸 , FU, SSU I , 江文泰 , CHIANG, WEN TAI , 陳映璁 , CHEN, YING TSUNG , 蔡世鴻 , TSAI, SHIH HUNG , 林建廷 , LIN, CHIEN TING , 許啟茂 , HSU, CHI MAO , 林進富 , LIN, CHIN FU
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/8238 , H01L29/423 , H01L27/092

7. 发明专利

TW201503263A 半導體結構及其製作方法审中-公开
简体标题：半导体结构及其制作方法
公开(公告)号：TW201503263A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW102124990
申请日：2013-07-11
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：蔡世鴻 , TSAI, SHIH HUNG , 黃瑞民 , HUANG, RAI MIN , 曾奕銘 , TSENG, I MING , 林昱廷 , LIN, YU TING , 林建廷 , LIN, CHIEN TING
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28
摘要：一種半導體結構的製作方法，至少包括下列步驟。首先，形成至少圖案化遮罩於基底上，其中圖案化遮罩具有佈局圖案。繼以將佈局圖案轉移至基底，以形成至少一鰭狀結構於基底中。之後於鰭狀結構周圍形成淺溝渠絕緣結構。再施行水汽氧化製程，以氧化突出於淺溝渠絕緣的鰭狀結構，而以形成氧化層。最後完全去除氧化層。
简体摘要：一种半导体结构的制作方法，至少包括下列步骤。首先，形成至少图案化遮罩于基底上，其中图案化遮罩具有布局图案。继以将布局图案转移至基底，以形成至少一鳍状结构于基底中。之后于鳍状结构周围形成浅沟渠绝缘结构。再施行水汽氧化制程，以氧化突出于浅沟渠绝缘的鳍状结构，而以形成氧化层。最后完全去除氧化层。

8. 发明专利

TW201318071A 多閘極電晶體元件之製作方法审中-公开
简体标题：多闸极晶体管组件之制作方法
公开(公告)号：TW201318071A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW100137502
申请日：2011-10-17
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：蔡世鴻 , TSAI, SHIH HUNG , 林建良 , LIN, CHIEN LIANG , 林建廷 , LIN, CHIEN TING , 傅思逸 , FU, SSU I , 陳映璁 , CHEN, YING TSUNG
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
摘要：一種多閘極電晶體元件之製作方法，首先提供一半導體基底，且該半導體基底上形成有一圖案化半導體層、一閘極介電層與一閘極層。隨後於該半導體基底上形成一複合絕緣層，該複合絕緣層至少包含一第一絕緣層與一第二絕緣層。之後進行一第一蝕刻製程，以於該閘極層周圍形成一第一側壁子，同時於該圖案化半導體層周圍形成一第二側壁子。之後移除該第二側壁子以暴露出覆蓋部分該圖案化半導體層之部分第一絕緣層，同時移除部分該第一側壁子，以於該閘極層周圍形成一第三側壁子。最後移除暴露出之該第一絕緣層，以暴露出該圖案化半導體層。
简体摘要：一种多闸极晶体管组件之制作方法，首先提供一半导体基底，且该半导体基底上形成有一图案化半导体层、一闸极介电层与一闸极层。随后于该半导体基底上形成一复合绝缘层，该复合绝缘层至少包含一第一绝缘层与一第二绝缘层。之后进行一第一蚀刻制程，以于该闸极层周围形成一第一侧壁子，同时于该图案化半导体层周围形成一第二侧壁子。之后移除该第二侧壁子以暴露出覆盖部分该图案化半导体层之部分第一绝缘层，同时移除部分该第一侧壁子，以于该闸极层周围形成一第三侧壁子。最后移除暴露出之该第一绝缘层，以暴露出该图案化半导体层。

9. 发明专利

TWI647845B 半導體結構及其製作方法有权
简体标题：半导体结构及其制作方法
公开(公告)号：TWI647845B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW104120872
申请日：2015-06-29
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：馮立偉 , FENG, LI-WEI , 林建廷 , LIN, CHIEN-TING , 蔡世鴻 , TSAI, SHIH-HUNG , 傅思逸 , FU, SSU-I , 劉鴻輝 , LIU, HON-HUEI , 鄭志祥 , JENQ, JYH-SHYANG
IPC分类号： H01L29/772 , H01L29/04 , H01L21/335 , H01L21/20

10. 发明专利

TWI633596B 形成溝渠的方法有权
简体标题：形成沟渠的方法
公开(公告)号：TWI633596B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：TW104101229
申请日：2015-01-14
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：林昭宏 , LIN, CHAO HUNG , 洪世芳 , HONG, SHIH FANG , 馮立偉 , FENG, LI WEI , 蔡世鴻 , TSAI, SHIH HUNG , 傅思逸 , FU, SSU I , 鄭志祥 , JENQ, JYH SHYANG
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306

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