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1. 发明专利

TWI690984B 半導體元件及其製作方法有权
简体标题：半导体组件及其制作方法
公开(公告)号：TWI690984B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW105125383
申请日：2016-08-10
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：許智凱 , HSU, CHIH-KAI , 傅思逸 , FU, SSU-I , 洪裕祥 , HUNG, YU-HSIANG , 程偉麒 , CHENG, WEI-CHI , 鄭志祥 , JENQ, JYH-SHYANG
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/40

2. 发明专利

TWI653762B 具有金屬閘極之半導體元件之製作方法有权
简体标题：具有金属闸极之半导体组件之制作方法
公开(公告)号：TWI653762B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW103135079
申请日：2014-10-08
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：許智凱 , HSU, CHIH KAI , 洪裕祥 , HUNG, YU HSIANG , 傅思逸 , FU, SSU I , 鄭志祥 , JENQ, JYH SHYANG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28

3. 发明专利

TWI633669B 半導體元件及其製程有权
简体标题：半导体组件及其制程
公开(公告)号：TWI633669B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：TW103145830
申请日：2014-12-26
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：洪裕祥 , HUNG, YU HSIANG , 林昭宏 , LIN, CHAO HUNG , 陳映璁 , CHEN, YING TSUNG , 許智凱 , HSU, CHIH KAI , 傅思逸 , FU, SSU I , 鄭志祥 , JENQ, JYH SHYANG , 蔡世鴻 , TSAI, SHIH HUNG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28

4. 发明专利

TWI608527B 半導體製程有权
简体标题：半导体制程
公开(公告)号：TWI608527B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW103120175
申请日：2014-06-11
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：吳彥良 , WU, YEN LIANG , 張仲甫 , CHANG, CHUNG FU , 洪裕祥 , HUNG, YU HSIANG , 傅思逸 , FU, SSU I , 呂曼綾 , LU, MAN LING , 劉家榮 , LIU, CHIA JONG , 沈文駿 , SHEN, WEN JIUN , 陳意維 , CHEN, YI WEI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/306
CPC分类号： H01L29/6656 , H01L21/26586 , H01L29/6659 , H01L29/66636 , H01L29/7834

5. 发明专利

TW201614717A 半導體元件及其製作方法审中-公开
简体标题：半导体组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201614717A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW103135423
申请日：2014-10-13
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：楊智偉 , YANG, CHIH WEI , 劉玉峯 , LIU, YU FENG , 柯建村 , KE, JIAN CUN , 許家福 , HSU, CHIA FU , 劉恩銓 , LIOU, EN CHIUAN , 傅思逸 , FU, SSU I , 許啟茂 , HSU, CHI MAO , 何念葶 , HO, NIEN TING , 楊玉如 , YANG, YU RU , 王裕平 , WANG, YU PING , 賴建銘 , LAI, CHIEN MING , 陳奕文 , CHEN, YI WEN , 曾于庭 , TSENG, YU TING , 蔡雅卉 , TSAI, YA HUEI , 黃建中 , HUANG, CHIEN CHUNG , 謝宗殷 , HSIEH, TSUNG YIN , 吳宏益 , WU, HUNG YI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/4966 , H01L21/28088 , H01L21/321 , H01L21/823431 , H01L21/82345 , H01L27/088 , H01L29/517 , H01L29/66545
摘要：本發明揭露一種製作半導體元件的方法。首先提供一基底，該基底具有一層間介電層設於其上，然後形成一第一凹槽、一第二凹槽以及一第三凹槽於層間介電層中，形成一材料層於層間介電層上並填入第一凹槽、第二凹槽及第三凹槽，對第一凹槽內之材料層進行一第一處理製程以及對第一凹槽內與第二凹槽內之材料層進行一第二處理製程。
简体摘要：本发明揭露一种制作半导体组件的方法。首先提供一基底，该基底具有一层间介电层设于其上，然后形成一第一凹槽、一第二凹槽以及一第三凹槽于层间介电层中，形成一材料层于层间介电层上并填入第一凹槽、第二凹槽及第三凹槽，对第一凹槽内之材料层进行一第一处理制程以及对第一凹槽内与第二凹槽内之材料层进行一第二处理制程。

6. 发明专利

TWI524394B 具有金屬閘極之半導體元件之製作方法有权
简体标题：具有金属闸极之半导体组件之制作方法
公开(公告)号：TWI524394B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW100146624
申请日：2011-12-15
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：傅思逸 , FU, SSU I , 江文泰 , CHIANG, WEN TAI , 陳映璁 , CHEN, YING TSUNG , 蔡世鴻 , TSAI, SHIH HUNG , 林建廷 , LIN, CHIEN TING , 許啟茂 , HSU, CHI MAO , 林進富 , LIN, CHIN FU
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/8238 , H01L29/423 , H01L27/092

7. 发明专利

TWI485782B 具有金屬閘極之半導體元件及其製作方法有权
简体标题：具有金属闸极之半导体组件及其制作方法
公开(公告)号：TWI485782B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW099142635
申请日：2010-12-07
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：傅思逸 , FU, SSU I , 曾奕銘 , TSENG, I MING , 劉恩銓 , LIOU, EN CHIUAN , 陳正國 , CHEN, CHENG GUO
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78

8. 发明专利

TW201448120A 半導體裝置及其製作方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制作方法
公开(公告)号：TW201448120A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW102120119
申请日：2013-06-06
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：洪裕祥 , HUNG, YU HSIANG , 傅思逸 , FU, SSU I , 張仲甫 , CHANG, CHUNG FU , 陳正國 , CHEN, CHENG GUO , 林建廷 , LIN, CHIEN TING
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L21/84 , H01L29/78
摘要：一種半導體裝置，包括鰭狀突起結構、絕緣結構、閘極結構、以及磊晶結構。鰭狀突起結構係延伸出基板之表面且具有一頂面以及二側面。絕緣結構係環繞鰭狀突出結構。閘極結構包覆部份鰭狀突起結構的頂面以及二側面，以及覆蓋部份絕緣結構。其中位於閘極結構下方的絕緣結構具有一第一頂面，位於閘極結構兩側的絕緣結構具有一第二頂面，且第一頂面與高於第二頂面。磊晶結構係設置於閘極結構的一側且直接接觸鰭狀突起結構。
简体摘要：一种半导体设备，包括鳍状突起结构、绝缘结构、闸极结构、以及磊晶结构。鳍状突起结构系延伸出基板之表面且具有一顶面以及二侧面。绝缘结构系环绕鳍状突出结构。闸极结构包覆部份鳍状突起结构的顶面以及二侧面，以及覆盖部份绝缘结构。其中位于闸极结构下方的绝缘结构具有一第一顶面，位于闸极结构两侧的绝缘结构具有一第二顶面，且第一顶面与高于第二顶面。磊晶结构系设置于闸极结构的一侧且直接接触鳍状突起结构。

9. 发明专利

TW201447988A 半導體製程审中-公开
简体标题：半导体制程
公开(公告)号：TW201447988A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW102120395
申请日：2013-06-07
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：張仲甫 , CHANG, CHUNG FU , 傅思逸 , FU, SSU I , 洪裕祥 , HUNG, YU HSIANG , 陳正國 , CHEN, CHENG GUO , 林建廷 , LIN, CHIEN TING
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336
摘要：一種半導體製程包含有下述步驟。首先，覆蓋並蝕刻一第一間隙壁材料以形成一第一間隙壁於一第一閘極側邊的一基底上，但保留覆蓋一第二閘極的第一間隙壁材料。接續，形成一第一磊晶層於第一間隙壁側邊的基底中。續之，形成一第二間隙壁材料覆蓋第一閘極，再蝕刻覆蓋第二閘極的第一間隙壁材料，以形成一第二間隙壁。其後，形成一第二磊晶層於第二間隙壁側邊的基底中。之後，移除第二間隙壁材料。而後，全面形成一雙材料層，其中雙材料層具有一底層以及一頂層。然後，蝕刻頂層但保留第一磊晶層以及第二磊晶層上的底層，以形成一第三間隙壁。
简体摘要：一种半导体制程包含有下述步骤。首先，覆盖并蚀刻一第一间隙壁材料以形成一第一间隙壁于一第一闸极侧边的一基底上，但保留覆盖一第二闸极的第一间隙壁材料。接续，形成一第一磊晶层于第一间隙壁侧边的基底中。续之，形成一第二间隙壁材料覆盖第一闸极，再蚀刻覆盖第二闸极的第一间隙壁材料，以形成一第二间隙壁。其后，形成一第二磊晶层于第二间隙壁侧边的基底中。之后，移除第二间隙壁材料。而后，全面形成一双材料层，其中双材料层具有一底层以及一顶层。然后，蚀刻顶层但保留第一磊晶层以及第二磊晶层上的底层，以形成一第三间隙壁。

10. 发明专利

TW201318071A 多閘極電晶體元件之製作方法审中-公开
简体标题：多闸极晶体管组件之制作方法
公开(公告)号：TW201318071A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW100137502
申请日：2011-10-17
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：蔡世鴻 , TSAI, SHIH HUNG , 林建良 , LIN, CHIEN LIANG , 林建廷 , LIN, CHIEN TING , 傅思逸 , FU, SSU I , 陳映璁 , CHEN, YING TSUNG
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
摘要：一種多閘極電晶體元件之製作方法，首先提供一半導體基底，且該半導體基底上形成有一圖案化半導體層、一閘極介電層與一閘極層。隨後於該半導體基底上形成一複合絕緣層，該複合絕緣層至少包含一第一絕緣層與一第二絕緣層。之後進行一第一蝕刻製程，以於該閘極層周圍形成一第一側壁子，同時於該圖案化半導體層周圍形成一第二側壁子。之後移除該第二側壁子以暴露出覆蓋部分該圖案化半導體層之部分第一絕緣層，同時移除部分該第一側壁子，以於該閘極層周圍形成一第三側壁子。最後移除暴露出之該第一絕緣層，以暴露出該圖案化半導體層。
简体摘要：一种多闸极晶体管组件之制作方法，首先提供一半导体基底，且该半导体基底上形成有一图案化半导体层、一闸极介电层与一闸极层。随后于该半导体基底上形成一复合绝缘层，该复合绝缘层至少包含一第一绝缘层与一第二绝缘层。之后进行一第一蚀刻制程，以于该闸极层周围形成一第一侧壁子，同时于该图案化半导体层周围形成一第二侧壁子。之后移除该第二侧壁子以暴露出覆盖部分该图案化半导体层之部分第一绝缘层，同时移除部分该第一侧壁子，以于该闸极层周围形成一第三侧壁子。最后移除暴露出之该第一绝缘层，以暴露出该图案化半导体层。

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