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1. 发明专利

TWI684312B 線纜有权
简体标题：线缆
公开(公告)号：TWI684312B
公开(公告)日：2020-02-01
申请号：TW107135715
申请日：2018-10-11
申请人：聚鼎科技股份有限公司 , POLYTRONICS TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：董朕宇 , DONG, ZHEN YU , 張永賢 , CHANG, YUNG HSIEN , 顏修哲 , YEN, HSIU CHE , 張耀德 , CHANG, YAO TE , 李品萱 , LI, PIN SYUAN
IPC分类号： H02H5/04 , H01R24/48

2. 发明专利

TW201604901A 正溫度係數元件审中-公开
简体标题：正温度系数组件
公开(公告)号：TW201604901A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW103125979
申请日：2014-07-30
申请人：聚鼎科技股份有限公司 , POLYTRONICS TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：羅國彰 , LO, KUO CHANG , 張耀德 , CHANG, YAO TE
IPC分类号： H01C7/02
CPC分类号： H01C17/06586 , H01C7/027
摘要：一種PTC元件包含二個電極層以及疊設於該二個電極層之間的一PTC材料層。該PTC材料層的體積電阻值小於0.2Ω-cm，且包含結晶性高分子聚合物、高導電陶瓷填料以及結晶性低分子量有機化合物。該結晶性高分子聚合物包含熱塑性高分子、熱固性高分子或其組合。高導電陶瓷填料散佈於該結晶性高分子聚合物中，其體積電阻值小於500μΩ-cm，且佔PTC材料層之體積百分比在40%~70%的範圍。結晶性低分子量有機化合物的分子量小於5000，且佔PTC材料層之體積百分比在6-30%的範圍，熔點在70 ~110℃，熔點溫度分布範圍小於20℃。正溫度係數元件在60℃的維持電流除以其遮蓋面積的值大於0.2A/mm2，且60℃之維持電流是25℃之維持電流的40~95%。PTC元件的觸發溫度小於95℃。
简体摘要：一种PTC组件包含二个电极层以及叠设于该二个电极层之间的一PTC材料层。该PTC材料层的体积电阻值小于0.2Ω-cm，且包含结晶性高分子聚合物、高导电陶瓷填料以及结晶性低分子量有机化合物。该结晶性高分子聚合物包含热塑性高分子、热固性高分子或其组合。高导电陶瓷填料散布于该结晶性高分子聚合物中，其体积电阻值小于500μΩ-cm，且占PTC材料层之体积百分比在40%~70%的范围。结晶性低分子量有机化合物的分子量小于5000，且占PTC材料层之体积百分比在6-30%的范围，熔点在70 ~110℃，熔点温度分布范围小于20℃。正温度系数组件在60℃的维持电流除以其遮盖面积的值大于0.2A/mm2，且60℃之维持电流是25℃之维持电流的40~95%。PTC组件的触发温度小于95℃。

3. 发明专利

TW202015301A 線纜审中-公开
简体标题：线缆
公开(公告)号：TW202015301A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW107135715
申请日：2018-10-11
申请人：聚鼎科技股份有限公司 , POLYTRONICS TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：董朕宇 , DONG, ZHEN YU , 張永賢 , CHANG, YUNG HSIEN , 顏修哲 , YEN, HSIU CHE , 張耀德 , CHANG, YAO TE , 李品萱 , LI, PIN SYUAN
IPC分类号： H02H5/04 , H01R24/48
摘要：一種線纜包含電源導線、資料導線和第一PTC元件。該電源導線用於在來源端裝置和接收端裝置之間傳輸電源。該資料導線用於在來源端裝置和接收端裝置之間傳輸資料。該第一PTC元件耦接於該第一資料導線，當溫度達到第一觸發溫度時，電阻急遽增加，從而抑制通過資料導線的電流。其中該第一PTC元件的觸發溫度在55~80oC，該第一PTC元件的電阻於85oC時大於20 kΩ，100oC時大於80 kΩ，該資料導線的電流不超過20 mA。
简体摘要：一种线缆包含电源导线、数据导线和第一PTC组件。该电源导线用于在来源端设备和接收端设备之间传输电源。该数据导线用于在来源端设备和接收端设备之间传输数据。该第一PTC组件耦接于该第一数据导线，当温度达到第一触发温度时，电阻急遽增加，从而抑制通过数据导线的电流。其中该第一PTC组件的触发温度在55~80oC，该第一PTC组件的电阻于85oC时大于20 kΩ，100oC时大于80 kΩ，该数据导线的电流不超过20 mA。

4. 发明专利

TWI643215B 過電流保護元件有权
简体标题：过电流保护组件
公开(公告)号：TWI643215B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106130668
申请日：2017-09-07
申请人：聚鼎科技股份有限公司 , POLYTRONICS TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：顏修哲 , YEN, HSIU CHE , 張永賢 , CHANG, YUNG HSIEN , 董朕宇 , DONG, ZHEN YU , 張耀德 , CHANG, YAO TE , 王紹裘 , WANG, DAVID SHAU CHEW
IPC分类号： H01C7/02

5. 实用新型

TWM484176U 過電流保護元件結構有权
简体标题：过电流保护组件结构
公开(公告)号：TWM484176U
公开(公告)日：2014-08-11
申请号：TW103204078
申请日：2014-03-11
申请人：聚鼎科技股份有限公司 , POLYTRONICS TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：利文峯 , LEE, WEN FENG , 沙益安 , SHA, YI AN , 張耀德 , CHANG, YAO TE
IPC分类号： H01C7/02

6. 发明专利

TW201332937A 過電流保護元件审中-公开
简体标题：过电流保护组件
公开(公告)号：TW201332937A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101103836
申请日：2012-02-07
申请人：聚鼎科技股份有限公司 , POLYTRONICS TECHNOLOGY CORP.
发明人：羅國彰 , LO, KUO CHANG , 張耀德 , CHANG, YAO TE , 梁雅芳 , LIANG, YA FANG , 沙益安 , SHA, YI AN , 王紹裘 , WANG, DAVID SHAU CHEW
IPC分类号： C04B35/52 , H01C7/02
CPC分类号： H01C7/13 , H01C7/027 , H01C17/0652 , H01C17/06586
摘要：一過電流保護元件包含二金屬箔片及一PTC材料層。PTC材料層係疊設於該二金屬箔片之間，且體積電阻值小於0.4Ω-cm。PTC材料層包含(i)結晶性高分子聚合物；以及(ii)導電陶瓷填料，其係散佈於該結晶性高分子聚合物之中。該導電陶瓷填料為六方緊密堆積結構，且佔該PTC材料層之重量百分比係介於70%至95%之間。該元件經過反覆觸發(trip)300次後能將電阻再現性比值(trip jump)控制在小於等於25，藉由選用該導電填料可以有效增進材料之電阻再現性。
简体摘要：一过电流保护组件包含二金属箔片及一PTC材料层。PTC材料层系叠设于该二金属箔片之间，且体积电阻值小于0.4Ω-cm。PTC材料层包含(i)结晶性高分子聚合物；以及(ii)导电陶瓷填料，其系散布于该结晶性高分子聚合物之中。该导电陶瓷填料为六方紧密堆积结构，且占该PTC材料层之重量百分比系介于70%至95%之间。该组件经过反复触发(trip)300次后能将电阻再现性比值(trip jump)控制在小于等于25，借由选用该导电填料可以有效增进材料之电阻再现性。

7. 发明专利

TWI440616B 過電流保護元件有权
简体标题：过电流保护组件
公开(公告)号：TWI440616B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：TW101103836
申请日：2012-02-07
申请人：聚鼎科技股份有限公司 , POLYTRONICS TECHNOLOGY CORP.
发明人：羅國彰 , LO, KUO CHANG , 張耀德 , CHANG, YAO TE , 梁雅芳 , LIANG, YA FANG , 沙益安 , SHA, YI AN , 王紹裘 , WANG, DAVID SHAU CHEW
IPC分类号： C04B35/52 , H01C7/02
CPC分类号： H01C7/13 , H01C7/027 , H01C17/0652 , H01C17/06586

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