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1. 发明专利

TW201729099A 記憶體管理方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置审中-公开
简体标题：内存管理方法、内存控制电路单元与内存存储设备
公开(公告)号：TW201729099A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105104043
申请日：2016-02-05
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：陳國榮 , TAN, KOK-YONG , 顏鴻聖 , YAN, HORNG-SHENG
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/08
CPC分类号： G06F3/0605 , G06F3/0652 , G06F3/0659 , G06F3/0665 , G06F3/0679 , G06F12/0246 , G06F2212/1016 , G06F2212/214 , G06F2212/657 , G06F2212/7201 , G06F2212/7205
摘要：本發明提供用於可複寫式非揮發性記憶體模組的一種記憶體管理方法。記憶體管理方法包括從主機系統接收調整指令，其中所述調整指令用以指示多個邏輯單元中的至少一邏輯單元所儲存的資料是無效的；根據所述調整指令更新邏輯位址狀態表，其中所述邏輯位址狀態表反應出所述邏輯單元中的每一邏輯單元所儲存的資料的資料狀態，其中所述資料狀態包括第一狀態或第二狀態；以及倘若符合預定條件，根據所述邏輯位址狀態表與所述實體位址狀態表來更新實體位址狀態表，其中所述實體位址狀態表反應出所述實體程式化單元中的每一實體程式化單元所儲存的資料的所述資料狀態。
简体摘要：本发明提供用于可复写式非挥发性内存模块的一种内存管理方法。内存管理方法包括从主机系统接收调整指令，其中所述调整指令用以指示多个逻辑单元中的至少一逻辑单元所存储的数据是无效的；根据所述调整指令更新逻辑位址状态表，其中所述逻辑位址状态表反应出所述逻辑单元中的每一逻辑单元所存储的数据的数据状态，其中所述数据状态包括第一状态或第二状态；以及倘若符合预定条件，根据所述逻辑位址状态表与所述实体位址状态表来更新实体位址状态表，其中所述实体位址状态表反应出所述实体进程化单元中的每一实体进程化单元所存储的数据的所述数据状态。

2. 发明专利

TW201715530A 有效資料合併方法、記憶體控制器與記憶體儲存裝置审中-公开
简体标题：有效数据合并方法、内存控制器与内存存储设备
公开(公告)号：TW201715530A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW104134800
申请日：2015-10-23
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：顏鴻聖 , YAN, HORNG-SHENG
IPC分类号： G11C16/14 , G06F12/08
CPC分类号： G06F3/0638 , G06F3/0604 , G06F3/061 , G06F3/065 , G06F3/0652 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F3/0688
摘要：本發明提出一種有效資料合併方法、記憶體控制器與記憶體儲存裝置。本方法包括：將資料區中的實體抹除單元至少分組至一第一群組與一第二群組，其中記錄第一群組的實體抹除單元中的特殊態樣資料的整理表未被儲存於可複寫式非揮發性記憶體模組中，且記錄第二群組的實體抹除單元中的特殊態樣資料的整理表已被儲存於可複寫式非揮發性記憶體模組中；從第二群組中選擇一第一實體抹除單元；以及將第一實體抹除單元中的有效資料複製至一第二實體抹除單元，其中所述有效資料並不包括第一實體抹除單元中的特殊態樣資料。
简体摘要：本发明提出一种有效数据合并方法、内存控制器与内存存储设备。本方法包括：将数据区中的实体抹除单元至少分组至一第一群组与一第二群组，其中记录第一群组的实体抹除单元中的特殊态样数据的整理表未被存储于可复写式非挥发性内存模块中，且记录第二群组的实体抹除单元中的特殊态样数据的整理表已被存储于可复写式非挥发性内存模块中；从第二群组中选择一第一实体抹除单元；以及将第一实体抹除单元中的有效数据复制至一第二实体抹除单元，其中所述有效数据并不包括第一实体抹除单元中的特殊态样数据。

3. 发明专利

TWI591643B 資料保護方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置有权
简体标题：数据保护方法、内存控制电路单元与内存存储设备
公开(公告)号：TWI591643B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW105108736
申请日：2016-03-22
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：顏鴻聖 , YAN, HORNG-SHENG , 陳國榮 , TAN, KOK-YONG
IPC分类号： G11C16/22 , G06F12/16
CPC分类号： G06F3/0619 , G06F3/0655 , G06F3/0688 , G06F11/1068 , G11C29/52 , G11C29/76

4. 发明专利

TWI563507B 記憶體管理方法、記憶體控制電路單元以及記憶體儲存裝置有权
简体标题：内存管理方法、内存控制电路单元以及内存存储设备
公开(公告)号：TWI563507B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW104121373
申请日：2015-07-01
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：顏鴻聖 , YAN, HORNG SHENG , 陳國榮 , TAN, KOK-YONG
IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/08 , G11C16/02
CPC分类号： G06F3/0655 , G06F3/061 , G06F3/0679 , G06F12/0246 , G06F2212/7201 , G06F2212/7209

5. 发明专利

TW201704999A 記憶體管理方法、記憶體控制電路單元及記憶體儲存裝置审中-公开
简体标题：内存管理方法、内存控制电路单元及内存存储设备
公开(公告)号：TW201704999A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104123602
申请日：2015-07-21
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：陳國榮 , TAN, KOK-YONG , 顏鴻聖 , YAN, HORNG-SHENG
IPC分类号： G06F12/02
CPC分类号： G06F3/0679 , G06F3/0616 , G06F3/0652 , G06F12/0246
摘要：本發明提供一種記憶體管理方法、記憶體控制電路單元及記憶體儲存裝置。在一範例實施例中，所述記憶體管理方法包括：接收第一寫入指令與對應於第一寫入指令的第一寫入資料並獲得第一數目；程式化第一寫入資料並搬移儲存於多個第一實體程式化單元中的第一儲存資料，其中第一實體程式化單元之總數符合第一數目；接收第二寫入指令與對應於第二寫入指令的第二寫入資料並獲得第二數目；程式化第二寫入資料並搬移儲存於多個第二實體程式化單元中的第二儲存資料，其中第二實體程式化單元之總數符合第二數目；以及抹除至少一實體抹除單元。藉此，可減少資料整併程序中系統資源的浪費。
简体摘要：本发明提供一种内存管理方法、内存控制电路单元及内存存储设备。在一范例实施例中，所述内存管理方法包括：接收第一写入指令与对应于第一写入指令的第一写入数据并获得第一数目；进程化第一写入数据并搬移存储于多个第一实体进程化单元中的第一存储数据，其中第一实体进程化单元之总数符合第一数目；接收第二写入指令与对应于第二写入指令的第二写入数据并获得第二数目；进程化第二写入数据并搬移存储于多个第二实体进程化单元中的第二存储数据，其中第二实体进程化单元之总数符合第二数目；以及抹除至少一实体抹除单元。借此，可减少数据整并进程中系统资源的浪费。

6. 发明专利

TWI554884B 記憶體管理方法、記憶體控制電路單元及記憶體儲存裝置有权
简体标题：内存管理方法、内存控制电路单元及内存存储设备
公开(公告)号：TWI554884B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW104123602
申请日：2015-07-21
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：陳國榮 , TAN, KOK-YONG , 顏鴻聖 , YAN, HORNG-SHENG
IPC分类号： G06F12/02
CPC分类号： G06F3/0679 , G06F3/0616 , G06F3/0652 , G06F12/0246

7. 发明专利

TW201528269A 錯誤處理方法、記憶體儲存裝置與記憶體控制電路單元审中-公开
简体标题：错误处理方法、内存存储设备与内存控制电路单元
公开(公告)号：TW201528269A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103100843
申请日：2014-01-09
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：顏鴻聖 , YAN, HORNG SHENG
IPC分类号： G11C16/06 , G11C29/52
CPC分类号： G06F11/0727 , G06F11/073 , G06F11/0742 , G06F11/076
摘要：本發明提出一種錯誤處理方法、記憶體儲存裝置與記憶體控制電路單元。此方法包括：取得對應一通道的完成事件；判斷此完成事件是否為失敗事件；若完成事件為失敗事件，停止該通道的運作，並且對此通道所對應的計數值執行第一更新運算；若完成事件不是失敗事件，維持第一通道所對應的計數值不變；以及處理完成事件。其中處理完成事件的步驟包括：若完成事件為失敗事件，對第一通道所對應的計數值執行第二更新運算；若計數值符合一臨界條件時，恢復第一通道的運作。藉此，可以增加存取的效能。
简体摘要：本发明提出一种错误处理方法、内存存储设备与内存控制电路单元。此方法包括：取得对应一信道的完成事件；判断此完成事件是否为失败事件；若完成事件为失败事件，停止该信道的运作，并且对此信道所对应的计数值运行第一更新运算；若完成事件不是失败事件，维持第一信道所对应的计数值不变；以及处理完成事件。其中处理完成事件的步骤包括：若完成事件为失败事件，对第一信道所对应的计数值运行第二更新运算；若计数值符合一临界条件时，恢复第一信道的运作。借此，可以增加存取的性能。

8. 发明专利

TWI467578B 錯誤處理方法、記憶體儲存裝置與記憶體控制電路單元有权
简体标题：错误处理方法、内存存储设备与内存控制电路单元
公开(公告)号：TWI467578B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103100843
申请日：2014-01-09
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：顏鴻聖 , YAN, HORNG SHENG
IPC分类号： G11C16/06 , G11C29/52
CPC分类号： G06F11/0727 , G06F11/073 , G06F11/0742 , G06F11/076

9. 发明专利

TW201735044A 資料保護方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置审中-公开
简体标题：数据保护方法、内存控制电路单元与内存存储设备
公开(公告)号：TW201735044A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105108736
申请日：2016-03-22
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：顏鴻聖 , YAN, HORNG-SHENG , 陳國榮 , TAN, KOK-YONG
IPC分类号： G11C16/22 , G06F12/16
CPC分类号： G06F3/0619 , G06F3/0655 , G06F3/0688 , G06F11/1068 , G11C29/52 , G11C29/76
摘要：一種用於可複寫式非揮發性記憶體模組的資料保護方法。此方法包括將多個實體頁面指派至多個編碼群組，其中每一個實體頁面儲存有使用者資料與對應使用者資料的同位碼。此方法也包括分別地編碼所述編碼群組的實體頁面的使用者資料以產生分別地對應所述編碼群組的多個群組同位碼。此方法中將所述實體頁面指派至所述編碼群組包括將第一實體頁面分組至第一編碼群組且將第二實體頁面分組至第二編碼群組，其中第一實體頁面是由第一字元線上的記憶胞所形成，第二實體頁面是由相鄰於第一字元線的第二字元線上的記憶胞所形成。
简体摘要：一种用于可复写式非挥发性内存模块的数据保护方法。此方法包括将多个实体页面指派至多个编码群组，其中每一个实体页面存储有用户数据与对应用户数据的同位码。此方法也包括分别地编码所述编码群组的实体页面的用户数据以产生分别地对应所述编码群组的多个群组同位码。此方法中将所述实体页面指派至所述编码群组包括将第一实体页面分组至第一编码群组且将第二实体页面分组至第二编码群组，其中第一实体页面是由第一字符在线的记忆胞所形成，第二实体页面是由相邻于第一字符线的第二字符在线的记忆胞所形成。

10. 发明专利

TWI571881B 有效資料合併方法、記憶體控制器與記憶體儲存裝置有权
简体标题：有效数据合并方法、内存控制器与内存存储设备
公开(公告)号：TWI571881B
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：TW104134800
申请日：2015-10-23
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：顏鴻聖 , YAN, HORNG-SHENG
IPC分类号： G11C16/14 , G06F12/08
CPC分类号： G06F3/0638 , G06F3/0604 , G06F3/061 , G06F3/065 , G06F3/0652 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F3/0688

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