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1. 发明专利

TWI694586B 與改良射頻模組有關的系統、裝置及方法有权
简体标题：与改良射频模块有关的系统、设备及方法
公开(公告)号：TWI694586B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW108110264
申请日：2015-02-25
申请人：美商西凱渥資訊處理科技公司 , SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人：瑞思尼爾魯斯亞倫 , REISNER, RUSS ALAN , 金喬瑞查德 , KING, JOEL RICHARD , 阿倫席夫 , ALON, ZIV , 克灣亭萬 , KWAN, TIN WAI , 利雅琳阿樂克西 A , LYALIN, ALEKSEY A. , 蘇曉東 , XU, XIAODONG
IPC分类号： H01L25/07

2. 发明专利

TW201505047A 實施為積體被動裝置之低損耗阻抗變壓器及其相關方法审中-公开
简体标题：实施为积体被动设备之低损耗阻抗变压器及其相关方法
公开(公告)号：TW201505047A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW103115418
申请日：2014-04-29
申请人：西凱渥資訊處理科技公司 , SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人：孫衛明 , SUN, WEIMIN , 萊雅林艾勒科斯A , LYALIN, ALEKSEY A. , 瑞思尼爾魯斯亞倫 , REISNER, RUSS ALAN
IPC分类号： H01F27/28 , H01F41/02 , H03H7/38
CPC分类号： H03H7/38 , H01F27/2804 , H01F30/02 , H01F41/02 , H01F2027/2809 , H01L23/66 , H01L28/10 , H01L2223/6655 , H01L2223/6672 , H01L2224/49171 , H03F1/565 , H03F3/191 , H03F3/195 , H03F2200/387 , H03F2200/391 , H03H7/175 , H03H7/1758 , H03H7/1775 , H03H2001/0064 , H03H2001/0078 , Y10T29/4902
摘要：本發明揭示與實施為積體被動裝置(IPD)之低損耗阻抗變壓器有關的裝置及方法。在一些實施例中，一種IPD可包括實施於一主體內之一自耦變壓器。該自耦變壓器可包括實施於間隔一距離之各別平面中的主要及次要金屬跡線。該自耦變壓器可經組態以(例如)促進射頻(RF)信號之阻抗匹配。在一些實施例中，該IPD可包括一表面，該表面允許在上面安裝一或多個組件，以提供RF模組中之空間節省。揭示可受益於此等IPD之製造方法以及產品的實例。
简体摘要：本发明揭示与实施为积体被动设备(IPD)之低损耗阻抗变压器有关的设备及方法。在一些实施例中，一种IPD可包括实施于一主体内之一自耦变压器。该自耦变压器可包括实施于间隔一距离之各别平面中的主要及次要金属迹线。该自耦变压器可经组态以(例如)促进射频(RF)信号之阻抗匹配。在一些实施例中，该IPD可包括一表面，该表面允许在上面安装一或多个组件，以提供RF模块中之空间节省。揭示可受益于此等IPD之制造方法以及产品的实例。

3. 发明专利

TW201424260A 用於減少與射頻功率耦合器相關之插入損耗效應之電路及方法审中-公开
简体标题：用于减少与射频功率耦合器相关之插入损耗效应之电路及方法
公开(公告)号：TW201424260A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102139137
申请日：2013-10-29
申请人：西凱渥資訊處理科技公司 , SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人：瑞思尼爾魯斯亞倫 , REISNER, RUSS ALAN , 鮑德溫約翰C , BALDWIN, JOHN C.
IPC分类号： H03H7/38 , H04B1/38
CPC分类号： H04B1/04 , H04B1/006 , H04B1/0458
摘要：本發明揭示用於減少與射頻(RF)功率耦合器相關之插入損耗效應之電路及方法。在一些實施中，一RF電路可包括一第一路徑，其經組態以在一第一頻帶中路由一第一RF信號；及一第二路徑，其經組態以在一第二頻帶中路由一第二RF信號。該RF電路可進一步包括一功率偵測器，其具有一第一耦合器，該第一耦合器經組態以沿該第一路徑偵測功率；及一第二耦合器，該第二耦合器經組態以沿該第二路徑偵測功率。該第一耦合器及該等第二耦合器可以一菊鏈組態連接。該RF電路可進一步包括一調整電路，其沿該第一路徑及該等第二路徑中之至少一者實施。該調整電路可經組態以將與該功率偵測器相關之一頻率回應特徵移動至一不同頻率範圍。
简体摘要：本发明揭示用于减少与射频(RF)功率耦合器相关之插入损耗效应之电路及方法。在一些实施中，一RF电路可包括一第一路径，其经组态以在一第一频带中路由一第一RF信号；及一第二路径，其经组态以在一第二频带中路由一第二RF信号。该RF电路可进一步包括一功率侦测器，其具有一第一耦合器，该第一耦合器经组态以沿该第一路径侦测功率；及一第二耦合器，该第二耦合器经组态以沿该第二路径侦测功率。该第一耦合器及该等第二耦合器可以一菊链组态连接。该RF电路可进一步包括一调整电路，其沿该第一路径及该等第二路径中之至少一者实施。该调整电路可经组态以将与该功率侦测器相关之一频率回应特征移动至一不同频率范围。

4. 发明专利

TW201640737A 具有降低耦合係數變化之耦合器、製造其之方法及相關封裝晶片及無線裝置审中-公开
简体标题：具有降低耦合系数变化之耦合器、制造其之方法及相关封装芯片及无线设备
公开(公告)号：TW201640737A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW105124211
申请日：2011-07-29
申请人：西凱渥資訊處理科技公司 , SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人：李陽 , LI, YANG , 朱軒昂 , ZHU, XUANANG , 黃庭福V , HOANG, DINHPHUOC V. , 章國豪 , ZHANG, GUOHAO , 瑞思尼爾魯斯亞倫 , REISNER, RUSS ALAN , 普瑞荷德柯德米特里 , PRIKHODKO, DMITRI , 郭峻昇 , GUO, JIUNN SHENG , 史考斯布列德利大衛 , SCOLES, BRADLEY DAVID , 維偉羅絲大衛二世 , VIVEIROS, DAVID JR.
IPC分类号： H01P5/04 , H01P5/12
CPC分类号： H01P5/184 , H01P5/185 , H01P5/187 , Y10T29/49002 , Y10T29/49169 , Y10T29/49208
摘要：本發明揭示一種具有高方向性及低耦合係數變化之耦合器。此一耦合器包含與一第一埠及一第二埠相關聯之一第一跡線。該第一跡線包含一第一主臂、將該第一主臂連接至該第二埠之一第一連接跡線及該第一主臂與該第一連接跡線之間之一非零角。此外，該耦合器包括與一第三埠及一第四埠相關聯之一第二跡線。該第二跡線包含一第二主臂。另一此耦合器包含一第一跡線，其具有大致平行於一第二邊緣且與該第二邊緣大致等長之一第一邊緣。該第一跡線包含大致平行於一第四邊緣之一第三邊緣。該第四邊緣被分成三個區段。外區段與該第三邊緣相距一第一距離。中間區段與該第三邊緣相距一第二距離。此外，該耦合器包含一第二跡線，其包含大致平行於一第二邊緣且與該第二邊緣大致等長之一第一邊緣。該第二跡線包含大致平行於一第四邊緣之一第三邊緣。該第四邊緣被分成三個區段。外區段與該第三邊緣相距一第一距離。中間區段與該第三邊緣相距一第二距離。另一此耦合器包含與一第一埠及一第二埠相關聯之一第一跡線。該第一埠係大致組態為一輸入埠且該第二埠係大致組態為一輸出埠。該耦合器進一步包含與一第三埠及一第四埠相關聯之一第二跡線。該第三埠係大致組態為一耦合埠且該第四埠係大致組態為一隔離埠。另外，該耦合器包含經組態以引進一不連續面而誘發該耦合器中之一失配之一第一電容器。
简体摘要：本发明揭示一种具有高方向性及低耦合系数变化之耦合器。此一耦合器包含与一第一端口及一第二端口相关联之一第一迹线。该第一迹线包含一第一主臂、将该第一主臂连接至该第二端口之一第一连接迹线及该第一主臂与该第一连接迹线之间之一非零角。此外，该耦合器包括与一第三端口及一第四端口相关联之一第二迹线。该第二迹线包含一第二主臂。另一此耦合器包含一第一迹线，其具有大致平行于一第二边缘且与该第二边缘大致等长之一第一边缘。该第一迹线包含大致平行于一第四边缘之一第三边缘。该第四边缘被分成三个区段。外区段与该第三边缘相距一第一距离。中间区段与该第三边缘相距一第二距离。此外，该耦合器包含一第二迹线，其包含大致平行于一第二边缘且与该第二边缘大致等长之一第一边缘。该第二迹线包含大致平行于一第四边缘之一第三边缘。该第四边缘被分成三个区段。外区段与该第三边缘相距一第一距离。中间区段与该第三边缘相距一第二距离。另一此耦合器包含与一第一端口及一第二端口相关联之一第一迹线。该第一端口系大致组态为一输入端口且该第二端口系大致组态为一输出端口。该耦合器进一步包含与一第三端口及一第四端口相关联之一第二迹线。该第三端口系大致组态为一耦合端口且该第四端口系大致组态为一隔离端口。另外，该耦合器包含经组态以引进一不连续面而诱发该耦合器中之一失配之一第一电容器。

5. 发明专利

TW201640736A 具有降低耦合係數變化之耦合器、製造其之方法及相關封裝晶片及無線裝置审中-公开
简体标题：具有降低耦合系数变化之耦合器、制造其之方法及相关封装芯片及无线设备
公开(公告)号：TW201640736A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW105124209
申请日：2011-07-29
申请人：西凱渥資訊處理科技公司 , SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人：李陽 , LI, YANG , 朱軒昂 , ZHU, XUANANG , 黃庭福V , HOANG, DINHPHUOC V. , 章國豪 , ZHANG, GUOHAO , 瑞思尼爾魯斯亞倫 , REISNER, RUSS ALAN , 普瑞荷德柯德米特里 , PRIKHODKO, DMITRI , 郭峻昇 , GUO, JIUNN SHENG , 史考斯布列德利大衛 , SCOLES, BRADLEY DAVID , 維偉羅絲大衛二世 , VIVEIROS, DAVID JR.
IPC分类号： H01P5/04
CPC分类号： H01P5/184 , H01P5/185 , H01P5/187 , Y10T29/49002 , Y10T29/49169 , Y10T29/49208
摘要：本發明揭示一種具有高方向性及低耦合係數變化之耦合器。此一耦合器包含與一第一埠及一第二埠相關聯之一第一跡線。該第一跡線包含一第一主臂、將該第一主臂連接至該第二埠之一第一連接跡線及該第一主臂與該第一連接跡線之間之一非零角。此外，該耦合器包括與一第三埠及一第四埠相關聯之一第二跡線。該第二跡線包含一第二主臂。另一此耦合器包含一第一跡線，其具有大致平行於一第二邊緣且與該第二邊緣大致等長之一第一邊緣。該第一跡線包含大致平行於一第四邊緣之一第三邊緣。該第四邊緣被分成三個區段。外區段與該第三邊緣相距一第一距離。中間區段與該第三邊緣相距一第二距離。此外，該耦合器包含一第二跡線，其包含大致平行於一第二邊緣且與該第二邊緣大致等長之一第一邊緣。該第二跡線包含大致平行於一第四邊緣之一第三邊緣。該第四邊緣被分成三個區段。外區段與該第三邊緣相距一第一距離。中間區段與該第三邊緣相距一第二距離。另一此耦合器包含與一第一埠及一第二埠相關聯之一第一跡線。該第一埠係大致組態為一輸入埠且該第二埠係大致組態為一輸出埠。該耦合器進一步包含與一第三埠及一第四埠相關聯之一第二跡線。該第三埠係大致組態為一耦合埠且該第四埠係大致組態為一隔離埠。另外，該耦合器包含經組態以引進一不連續面而誘發該耦合器中之一失配之一第一電容器。
简体摘要：本发明揭示一种具有高方向性及低耦合系数变化之耦合器。此一耦合器包含与一第一端口及一第二端口相关联之一第一迹线。该第一迹线包含一第一主臂、将该第一主臂连接至该第二端口之一第一连接迹线及该第一主臂与该第一连接迹线之间之一非零角。此外，该耦合器包括与一第三端口及一第四端口相关联之一第二迹线。该第二迹线包含一第二主臂。另一此耦合器包含一第一迹线，其具有大致平行于一第二边缘且与该第二边缘大致等长之一第一边缘。该第一迹线包含大致平行于一第四边缘之一第三边缘。该第四边缘被分成三个区段。外区段与该第三边缘相距一第一距离。中间区段与该第三边缘相距一第二距离。此外，该耦合器包含一第二迹线，其包含大致平行于一第二边缘且与该第二边缘大致等长之一第一边缘。该第二迹线包含大致平行于一第四边缘之一第三边缘。该第四边缘被分成三个区段。外区段与该第三边缘相距一第一距离。中间区段与该第三边缘相距一第二距离。另一此耦合器包含与一第一端口及一第二端口相关联之一第一迹线。该第一端口系大致组态为一输入端口且该第二端口系大致组态为一输出端口。该耦合器进一步包含与一第三端口及一第四端口相关联之一第二迹线。该第三端口系大致组态为一耦合端口且该第四端口系大致组态为一隔离端口。另外，该耦合器包含经组态以引进一不连续面而诱发该耦合器中之一失配之一第一电容器。

6. 发明专利

TWI640160B 用於射頻應用之基於自耦變壓器之阻抗匹配電路及方法有权
简体标题：用于射频应用之基于自耦变压器之阻抗匹配电路及方法
公开(公告)号：TWI640160B
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW103115417
申请日：2014-04-29
申请人：西凱渥資訊處理科技公司 , SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人：萊雅林艾勒科斯A , LYALIN, ALEKSEY A. , 孫衛明 , SUN, WEIMIN , 穆爾梅爾尼可拉斯奎因 , MUHLMEYER, NICHOLAS QUINN , 瑞思尼爾魯斯亞倫 , REISNER, RUSS ALAN
IPC分类号： H03H7/38

7. 发明专利

TWI587630B 用於減少與射頻功率耦合器相關之插入損耗效應之電路及方法有权
简体标题：用于减少与射频功率耦合器相关之插入损耗效应之电路及方法
公开(公告)号：TWI587630B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW102139137
申请日：2013-10-29
申请人：西凱渥資訊處理科技公司 , SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人：瑞思尼爾魯斯亞倫 , REISNER, RUSS ALAN , 鮑德溫約翰C , BALDWIN, JOHN C.
IPC分类号： H03H7/38 , H04B1/38
CPC分类号： H04B1/04 , H04B1/006 , H04B1/0458

8. 发明专利

TW201717543A 用於減少與射頻功率耦合器相關之插入損耗效應之電路及方法审中-公开
简体标题：用于减少与射频功率耦合器相关之插入损耗效应之电路及方法
公开(公告)号：TW201717543A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105139170
申请日：2013-10-29
申请人：西凱渥資訊處理科技公司 , SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人：瑞思尼爾魯斯亞倫 , REISNER, RUSS ALAN , 鮑德溫約翰C , BALDWIN, JOHN C.
IPC分类号： H03H7/38 , H04B1/38
CPC分类号： H04B1/04 , H04B1/006 , H04B1/0458
摘要：本發明揭示用於減少與射頻(RF)功率耦合器相關之插入損耗效應之電路及方法。在一些實施中，一RF電路可包括一第一路徑，其經組態以在一第一頻帶中路由一第一RF信號；及一第二路徑，其經組態以在一第二頻帶中路由一第二RF信號。該RF電路可進一步包括一功率偵測器，其具有一第一耦合器，該第一耦合器經組態以沿該第一路徑偵測功率；及一第二耦合器，該第二耦合器經組態以沿該第二路徑偵測功率。該第一耦合器及該等第二耦合器可以一菊鏈組態連接。該RF電路可進一步包括一調整電路，其沿該第一路徑及該等第二路徑中之至少一者實施。該調整電路可經組態以將與該功率偵測器相關之一頻率回應特徵移動至一不同頻率範圍。
简体摘要：本发明揭示用于减少与射频(RF)功率耦合器相关之插入损耗效应之电路及方法。在一些实施中，一RF电路可包括一第一路径，其经组态以在一第一频带中路由一第一RF信号；及一第二路径，其经组态以在一第二频带中路由一第二RF信号。该RF电路可进一步包括一功率侦测器，其具有一第一耦合器，该第一耦合器经组态以沿该第一路径侦测功率；及一第二耦合器，该第二耦合器经组态以沿该第二路径侦测功率。该第一耦合器及该等第二耦合器可以一菊链组态连接。该RF电路可进一步包括一调整电路，其沿该第一路径及该等第二路径中之至少一者实施。该调整电路可经组态以将与该功率侦测器相关之一频率回应特征移动至一不同频率范围。

9. 发明专利

TWI557982B 具有降低耦合係數變化之耦合器、製造其之方法及相關封裝晶片及無線裝置有权
简体标题：具有降低耦合系数变化之耦合器、制造其之方法及相关封装芯片及无线设备
公开(公告)号：TWI557982B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW100127118
申请日：2011-07-29
申请人：西凱渥資訊處理科技公司 , SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人：李陽 , LI, YANG , 朱軒昂 , ZHU, XUANANG , 黃庭福V , HOANG, DINHPHUOC V. , 章國豪 , ZHANG, GUOHAO , 瑞思尼爾魯斯亞倫 , REISNER, RUSS ALAN , 普瑞荷德柯德米特里 , PRIKHODKO, DMITRI , 郭峻昇 , GUO, JIUNN SHENG , 史考斯布列德利大衛 , SCOLES, BRADLEY DAVID , 維偉羅絲大衛二世 , VIVEIROS, DAVID JR.
IPC分类号： H01P5/04
CPC分类号： H01P5/184 , H01P5/185 , H01P5/187 , Y10T29/49002 , Y10T29/49169 , Y10T29/49208

10. 发明专利

TW201537720A 與改良射頻模組有關的系統、裝置及方法审中-公开
简体标题：与改良射频模块有关的系统、设备及方法
公开(公告)号：TW201537720A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW104106103
申请日：2015-02-25
申请人：西凱渥資訊處理科技公司 , SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人：瑞思尼爾魯斯亞倫 , REISNER, RUSS ALAN , 金喬瑞查德 , KING, JOEL RICHARD , 阿倫席夫 , ALON, ZIV , 克灣亭萬 , KWAN, TIN WAI , 利雅琳阿樂克西A , LYALIN, ALEKSEY A. , 蘇曉東 , XU, XIAODONG
IPC分类号： H01L25/07
CPC分类号： H04B1/40 , H01L23/66 , H01L25/50 , H01L29/737 , H01L2223/6611 , H01L2223/6655 , H01L2223/6677 , H01L2223/6683 , H01L2224/05554 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H03F1/56 , H03F3/19 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/24 , H03F3/245 , H03F2200/111 , H03F2200/451 , H03F2200/534 , H03F2203/21106 , H03F2203/21139 , H03F2203/21142 , H04B1/0458 , H04B2001/0408 , H04W72/0453 , H04W84/042 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要：本發明揭示與改良射頻(RF)模組有關的系統、裝置及方法。在一些實施例，一RF模組可包含：一封裝基板；一功率放大器(PA)總成，其係實施於經安裝在該封裝基板上之一第一晶粒上；及一控制器電路，其係實施於經安裝在該第一晶粒上之一第二晶粒上。該控制器電路可經結構設計以提供對該PA總成之至少某一控制。該RF模組可進一步包含一或多個輸出匹配網路(OMN)裝置，該一或多個輸出匹配網路(OMN)裝置係安裝於該封裝基板上，且經結構設計以提供該PA總成之輸出匹配功能性。該RF模組可進一步包含經安裝於各OMN裝置上之一頻帶選擇開關裝置。
简体摘要：本发明揭示与改良射频(RF)模块有关的系统、设备及方法。在一些实施例，一RF模块可包含：一封装基板；一功率放大器(PA)总成，其系实施于经安装在该封装基板上之一第一晶粒上；及一控制器电路，其系实施于经安装在该第一晶粒上之一第二晶粒上。该控制器电路可经结构设计以提供对该PA总成之至少某一控制。该RF模块可进一步包含一或多个输出匹配网络(OMN)设备，该一或多个输出匹配网络(OMN)设备系安装于该封装基板上，且经结构设计以提供该PA总成之输出匹配功能性。该RF模块可进一步包含经安装于各OMN设备上之一频带选择开关设备。

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