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1. 发明专利

TW201242467A 利用導電橋和扇出重新分配層在半導體晶粒上形成積體被動裝置之半導體裝置和方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING INTEGRATED PASSIVE DEVICE OVER SEMICONDUCTOR DIE WITH CONDUCTIVE BRIDGE AND FAN-OUT REDISTRIBUTION LAYER 审中-公开
简体标题：利用导电桥和扇出重新分配层在半导体晶粒上形成积体被动设备之半导体设备和方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING INTEGRATED PASSIVE DEVICE OVER SEMICONDUCTOR DIE WITH CONDUCTIVE BRIDGE AND FAN-OUT REDISTRIBUTION LAYER
公开(公告)号：TW201242467A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW100146754
申请日：2011-12-16
申请人：史達晶片有限公司
发明人：林耀劍 , 劉凱 , 陳康
IPC分类号： H05K , H01L
CPC分类号： H01L28/10 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/5223 , H01L23/5227 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/16 , H01L2223/6677 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1206 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19042 , H01L2924/30107 , H03H2001/0078 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：一種半導體裝置係具有一第一半導體晶粒。一第一電感器係形成在該第一半導體晶粒之上。一第二電感器係形成在該第一電感器之上並且與該第一電感器對準。一絕緣層係形成在該第一半導體晶粒以及該第一及第二電感器之上。一導電橋係形成在該絕緣層之上並且電連接在該第二電感器以及該第一半導體晶粒之間。在一實施例中,該半導體裝置係具有一第二半導體晶粒,並且一導電層係形成在該第一及第二半導體晶粒之間。在另一實施例中,一電容器係形成在該第一半導體晶粒之上。在另一實施例中,該絕緣層在該第一半導體晶粒的覆蓋區之上係具有一第一厚度,並且在該第一半導體晶粒的覆蓋區之外係具有一小於該第一厚度的第二厚度。
简体摘要：一种半导体设备系具有一第一半导体晶粒。一第一电感器系形成在该第一半导体晶粒之上。一第二电感器系形成在该第一电感器之上并且与该第一电感器对准。一绝缘层系形成在该第一半导体晶粒以及该第一及第二电感器之上。一导电桥系形成在该绝缘层之上并且电连接在该第二电感器以及该第一半导体晶粒之间。在一实施例中,该半导体设备系具有一第二半导体晶粒,并且一导电层系形成在该第一及第二半导体晶粒之间。在另一实施例中,一电容器系形成在该第一半导体晶粒之上。在另一实施例中,该绝缘层在该第一半导体晶粒的覆盖区之上系具有一第一厚度,并且在该第一半导体晶粒的覆盖区之外系具有一小于该第一厚度的第二厚度。

2. 发明专利

TW200701272A 積體半導體電感器及其方法 INTEGRATED SEMICONDUCTOR INDUCTOR AND METHOD THEREFOR 审中-公开
简体标题：积体半导体电感器及其方法 INTEGRATED SEMICONDUCTOR INDUCTOR AND METHOD THEREFOR
公开(公告)号：TW200701272A
公开(公告)日：2007-01-01
申请号：TW095101226
申请日：2006-01-12
申请人：半導體組件工業公司 SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C.
发明人：萊恩J 荷利 HURLEY, RYAN J.
IPC分类号： H01F
CPC分类号： H01L23/5227 , H01F17/0006 , H01F17/0013 , H01F41/041 , H01L27/08 , H01L28/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H03H7/0107 , H03H7/1766 , H03H2001/0064 , H03H2001/0078 , Y10T29/4902 , H01L2924/00
摘要：在一實施例中,形成一多層電感器,其疊加於一半導體基板上。
简体摘要：在一实施例中,形成一多层电感器,其叠加于一半导体基板上。

3. 发明专利

TWI395240B 積體半導體電感器及其形成方法與積體半導體濾波器有权
简体标题：积体半导体电感器及其形成方法与积体半导体滤波器
公开(公告)号：TWI395240B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW095101226
申请日：2006-01-12
申请人：半導體組件工業公司 , SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C.
发明人：萊恩J 荷利 , HURLEY, RYAN J.
IPC分类号： H01F5/00
CPC分类号： H01L23/5227 , H01F17/0006 , H01F17/0013 , H01F41/041 , H01L27/08 , H01L28/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H03H7/0107 , H03H7/1766 , H03H2001/0064 , H03H2001/0078 , Y10T29/4902 , H01L2924/00

4. 发明专利

TWI348268B 使用電感器步驟對稱之電感器佈局 INDUCTOR LAYOUT USING STEP SYMMETRY FOR INDUCTORS 有权
简体标题：使用电感器步骤对称之电感器布局 INDUCTOR LAYOUT USING STEP SYMMETRY FOR INDUCTORS
公开(公告)号：TWI348268B
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW094104255
申请日：2005-02-14
申请人：亞瑟羅斯通訊股份有限公司
发明人：馬諾里斯特洛維蒂
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H03H7/0115 , H01F2017/0073 , H03H7/1775 , H03H2001/0078 , Y10T29/4902 , Y10T29/49071 , Y10T29/49073
摘要：一差動電路佈局乃可以具優勢地為了電感器而使用步驟對稱以及為了電路的其餘部分而使用鏡像對稱。互連區段可以被用以將該等電感器的終端連接至在該電路中的其他構件。這些互連區段乃會產生自該等電感器的該步驟對稱而至該等其他構件的該鏡像對稱的過渡。為了提供此過渡，一電感器的該等終端以及其所相關的互連區段乃會形成在該電感器的一中心軸上。較具優勢地是，此混合對稱可以消除該共模磁場(common-mode magnetic field)，降低該寄生電感器耦接，以及平衡在該差動電路兩側的寄生佈線電容(parasitic wiring capacitances)。
简体摘要：一差动电路布局乃可以具优势地为了电感器而使用步骤对称以及为了电路的其余部分而使用镜像对称。互连区段可以被用以将该等电感器的终端连接至在该电路中的其他构件。这些互连区段乃会产生自该等电感器的该步骤对称而至该等其他构件的该镜像对称的过渡。为了提供此过渡，一电感器的该等终端以及其所相关的互连区段乃会形成在该电感器的一中心轴上。较具优势地是，此混合对称可以消除该共模磁场(common-mode magnetic field)，降低该寄生电感器耦接，以及平衡在该差动电路两侧的寄生布线电容(parasitic wiring capacitances)。

5. 发明专利

TW250591B 電感–電容元件、半導體裝置及電感–電容元件之製造方法失效
简体标题：电感–电容组件、半导体设备及电感–电容组件之制造方法
公开(公告)号：TW250591B
公开(公告)日：1995-07-01
申请号：TW083106789
申请日：1994-07-25
申请人： TIF股份有限公司
发明人：中西努 , 池田毅 , 岡本明
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H03H7/0115 , H01L27/08 , H01L2924/0002 , H03B5/1841 , H03H7/0123 , H03H2001/0064 , H03H2001/0071 , H03H2001/0078 , H01L2924/00
摘要：在經介以絕緣層26在ｐ型矽基板30上所形成具所定形狀之閘電極10上，加以電壓而形成之通道22使得ｐ型矽基板30表面附近相隔位置形成的第１擴散領域12和第２擴散領域14間相連接而形成，
通道22和閘電極10雙方都成為電感器導體之功能，同時，兩者之間形成分佈常數狀態的電容器構成為在寬頻帶範圍具良好衰減特性之電壓-電容元件，半導體裝置及其製造方法。
該電感-電容元件及半導體裝置可用金氧半導體 (MOS)製造技術簡單的製造，當製造成為半導體基板的一部分時，可省略後續工程中之組裝作業。又，也可將其形成為積體電路 (I．C) 或大規模積體電路 (LSI) 之一部分。
简体摘要：在经介以绝缘层26在ｐ型硅基板30上所形成具所定形状之闸电极10上，加以电压而形成之信道22使得ｐ型硅基板30表面附近相隔位置形成的第１扩散领域12和第２扩散领域14间相连接而形成，信道22和闸电极10双方都成为电感器导体之功能，同时，两者之间形成分布常数状态的电容器构成为在宽带带范围具良好衰减特性之电压-电容组件，半导体设备及其制造方法。该电感-电容组件及半导体设备可用金属氧化物半导体 (MOS)制造技术简单的制造，当制造成为半导体基板的一部分时，可省略后续工程中之组装作业。又，也可将其形成为集成电路 (I．C) 或大规模集成电路 (LSI) 之一部分。

6. 发明专利

TW200941933A 含有電感與電容並聯的電路元件 CIRCUIT DEVICE WITH INDUCTOR AND CAPACITOR IN PARALLEL CONNECTION 审中-公开
简体标题：含有电感与电容并联的电路组件 CIRCUIT DEVICE WITH INDUCTOR AND CAPACITOR IN PARALLEL CONNECTION
公开(公告)号：TW200941933A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：TW097109909
申请日：2008-03-20
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：李明緯 , 王錦荔
IPC分类号： H03H
CPC分类号： H03H7/0115 , H03H7/1766 , H03H2001/0064 , H03H2001/0078
摘要：一種含有電感與電容並聯的電路元件，包括一平面型電感，內埋於一絕緣材料層中，其中平面型電感有一環繞線部，一第一連接端與一第二連接端。第一連接端與第二連接端位於不同高度，且有一重疊區域。一電容介電層位於第一連接端與第二連接端之間的該重疊區域內，與第一連接端及第二連接端構成一電容。
简体摘要：一种含有电感与电容并联的电路组件，包括一平面型电感，内埋于一绝缘材料层中，其中平面型电感有一环绕线部，一第一连接端与一第二连接端。第一连接端与第二连接端位于不同高度，且有一重叠区域。一电容介电层位于第一连接端与第二连接端之间的该重叠区域内，与第一连接端及第二连接端构成一电容。

7. 发明专利

TW318247B 隔離及信號濾波器變壓器失效
简体标题：隔离及信号滤波器变压器
公开(公告)号：TW318247B
公开(公告)日：1997-10-21
申请号：TW086104608
申请日：1997-04-10
申请人： 3Com公司
发明人：安東尼L.潘 , 艾力克R.大衛 , 馬萬A.法華 , 理查S.雷德
IPC分类号： H01F , H04L
CPC分类号： H01F17/0006 , H01F19/04 , H01F2019/085 , H03H7/427 , H03H2001/0078
摘要：本發明之一實施例包括一至少有一部份在一基板上形成之變壓器。此變壓器係用於電氣隔離及信號過濾。此變壓器包括下列元件。基板之一部份有二個穿過基板之孔。一亞鐵心穿過此二孔形成一迴圈。一主線圈是由一第一金屬軌線製成。第一金屬軌線環繞一孔形成一螺圈。第一金屬軌線至少有二個主端點作為變壓器之輸入。變壓器亦包括一次線圈。次線圈是由一第二金屬軌線製成。第二金屬軌線環繞另一孔形成一螺圈。第二金屬軌線至少有二個第二端點作為變壓器之輸出。第一金屬軌線之寄生電容以及主線圈之磁化電感使主端點所接收之信號在通過變壓器至第二端點時會被過濾。
简体摘要：本发明之一实施例包括一至少有一部份在一基板上形成之变压器。此变压器系用于电气隔离及信号过滤。此变压器包括下列组件。基板之一部份有二个穿过基板之孔。一亚铁心穿过此二孔形成一循环。一主线圈是由一第一金属轨线制成。第一金属轨线环绕一孔形成一螺圈。第一金属轨线至少有二个主端点作为变压器之输入。变压器亦包括一次线圈。次线圈是由一第二金属轨线制成。第二金属轨线环绕另一孔形成一螺圈。第二金属轨线至少有二个第二端点作为变压器之输出。第一金属轨线之寄生电容以及主线圈之磁化电感使主端点所接收之信号在通过变压器至第二端点时会被过滤。

8. 发明专利

TW275152B 電感–電容元件,半導体裝置及電感–電容元件之製造方法失效
简体标题：电感–电容组件,半导体设备及电感–电容组件之制造方法
公开(公告)号：TW275152B
公开(公告)日：1996-05-01
申请号：TW083107265
申请日：1994-08-09
申请人：池田毅 , 岡村進
发明人：池田毅 , 岡村進
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H03H7/0115 , H01L27/08 , H03H2001/0064 , H03H2001/0078

9. 发明专利

TW201505047A 實施為積體被動裝置之低損耗阻抗變壓器及其相關方法审中-公开
简体标题：实施为积体被动设备之低损耗阻抗变压器及其相关方法
公开(公告)号：TW201505047A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW103115418
申请日：2014-04-29
申请人：西凱渥資訊處理科技公司 , SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人：孫衛明 , SUN, WEIMIN , 萊雅林艾勒科斯A , LYALIN, ALEKSEY A. , 瑞思尼爾魯斯亞倫 , REISNER, RUSS ALAN
IPC分类号： H01F27/28 , H01F41/02 , H03H7/38
CPC分类号： H03H7/38 , H01F27/2804 , H01F30/02 , H01F41/02 , H01F2027/2809 , H01L23/66 , H01L28/10 , H01L2223/6655 , H01L2223/6672 , H01L2224/49171 , H03F1/565 , H03F3/191 , H03F3/195 , H03F2200/387 , H03F2200/391 , H03H7/175 , H03H7/1758 , H03H7/1775 , H03H2001/0064 , H03H2001/0078 , Y10T29/4902
摘要：本發明揭示與實施為積體被動裝置(IPD)之低損耗阻抗變壓器有關的裝置及方法。在一些實施例中，一種IPD可包括實施於一主體內之一自耦變壓器。該自耦變壓器可包括實施於間隔一距離之各別平面中的主要及次要金屬跡線。該自耦變壓器可經組態以(例如)促進射頻(RF)信號之阻抗匹配。在一些實施例中，該IPD可包括一表面，該表面允許在上面安裝一或多個組件，以提供RF模組中之空間節省。揭示可受益於此等IPD之製造方法以及產品的實例。
简体摘要：本发明揭示与实施为积体被动设备(IPD)之低损耗阻抗变压器有关的设备及方法。在一些实施例中，一种IPD可包括实施于一主体内之一自耦变压器。该自耦变压器可包括实施于间隔一距离之各别平面中的主要及次要金属迹线。该自耦变压器可经组态以(例如)促进射频(RF)信号之阻抗匹配。在一些实施例中，该IPD可包括一表面，该表面允许在上面安装一或多个组件，以提供RF模块中之空间节省。揭示可受益于此等IPD之制造方法以及产品的实例。

10. 发明专利

TW201431170A 雙工器與其線路結構暨射頻收發裝置审中-公开
简体标题：双工器与其线路结构暨射频收发设备
公开(公告)号：TW201431170A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102101933
申请日：2013-01-18
申请人：矽品精密工業股份有限公司 , SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：莊明翰 , CHUANG, MIN HAN , 賴佳助 , LAI, CHIA CHU , 方柏翔 , FANG, BO SHIANG , 林河全 , LIN, HO CHUAN , 陳彥諭 , CHEN, YEN YU
IPC分类号： H01P1/20 , H04B1/38
CPC分类号： H03H7/463 , H03H7/09 , H03H7/1775 , H03H7/1783 , H03H2001/0064 , H03H2001/0078
摘要：一種雙工器係包括第一濾波器以及第二濾波器，於第一濾波器中，第一諧振電路電性電性連接第一信號埠，且第一諧振電路之第一電感、第二諧振電路之第二電感及第三諧振電路之第三電感係產生互感，而第三諧振電路係電性連接第二信號埠，又於第二濾波器中，第四諧振電路係串聯第一諧振電路，且第四諧振電路之第四電感與第五諧振電路之第五電感係互感，第六諧振電路係電性連接第三信號埠，並於第五與第六諧振電路之間串聯主電容。本發明藉由互感之設計能提升頻率選擇辨識力。本發明復提供該雙工器之線路結構及其製法。
简体摘要：一种双工器系包括第一滤波器以及第二滤波器，于第一滤波器中，第一谐振电路电性电性连接第一信号端口，且第一谐振电路之第一电感、第二谐振电路之第二电感及第三谐振电路之第三电感系产生互感，而第三谐振电路系电性连接第二信号端口，又于第二滤波器中，第四谐振电路系串联第一谐振电路，且第四谐振电路之第四电感与第五谐振电路之第五电感系互感，第六谐振电路系电性连接第三信号端口，并于第五与第六谐振电路之间串联主电容。本发明借由互感之设计能提升频率选择辨识力。本发明复提供该双工器之线路结构及其制法。

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