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1. 发明专利

TW201640737A 具有降低耦合係數變化之耦合器、製造其之方法及相關封裝晶片及無線裝置审中-公开
简体标题：具有降低耦合系数变化之耦合器、制造其之方法及相关封装芯片及无线设备
公开(公告)号：TW201640737A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW105124211
申请日：2011-07-29
申请人：西凱渥資訊處理科技公司 , SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人：李陽 , LI, YANG , 朱軒昂 , ZHU, XUANANG , 黃庭福V , HOANG, DINHPHUOC V. , 章國豪 , ZHANG, GUOHAO , 瑞思尼爾魯斯亞倫 , REISNER, RUSS ALAN , 普瑞荷德柯德米特里 , PRIKHODKO, DMITRI , 郭峻昇 , GUO, JIUNN SHENG , 史考斯布列德利大衛 , SCOLES, BRADLEY DAVID , 維偉羅絲大衛二世 , VIVEIROS, DAVID JR.
IPC分类号： H01P5/04 , H01P5/12
CPC分类号： H01P5/184 , H01P5/185 , H01P5/187 , Y10T29/49002 , Y10T29/49169 , Y10T29/49208
摘要：本發明揭示一種具有高方向性及低耦合係數變化之耦合器。此一耦合器包含與一第一埠及一第二埠相關聯之一第一跡線。該第一跡線包含一第一主臂、將該第一主臂連接至該第二埠之一第一連接跡線及該第一主臂與該第一連接跡線之間之一非零角。此外，該耦合器包括與一第三埠及一第四埠相關聯之一第二跡線。該第二跡線包含一第二主臂。另一此耦合器包含一第一跡線，其具有大致平行於一第二邊緣且與該第二邊緣大致等長之一第一邊緣。該第一跡線包含大致平行於一第四邊緣之一第三邊緣。該第四邊緣被分成三個區段。外區段與該第三邊緣相距一第一距離。中間區段與該第三邊緣相距一第二距離。此外，該耦合器包含一第二跡線，其包含大致平行於一第二邊緣且與該第二邊緣大致等長之一第一邊緣。該第二跡線包含大致平行於一第四邊緣之一第三邊緣。該第四邊緣被分成三個區段。外區段與該第三邊緣相距一第一距離。中間區段與該第三邊緣相距一第二距離。另一此耦合器包含與一第一埠及一第二埠相關聯之一第一跡線。該第一埠係大致組態為一輸入埠且該第二埠係大致組態為一輸出埠。該耦合器進一步包含與一第三埠及一第四埠相關聯之一第二跡線。該第三埠係大致組態為一耦合埠且該第四埠係大致組態為一隔離埠。另外，該耦合器包含經組態以引進一不連續面而誘發該耦合器中之一失配之一第一電容器。
简体摘要：本发明揭示一种具有高方向性及低耦合系数变化之耦合器。此一耦合器包含与一第一端口及一第二端口相关联之一第一迹线。该第一迹线包含一第一主臂、将该第一主臂连接至该第二端口之一第一连接迹线及该第一主臂与该第一连接迹线之间之一非零角。此外，该耦合器包括与一第三端口及一第四端口相关联之一第二迹线。该第二迹线包含一第二主臂。另一此耦合器包含一第一迹线，其具有大致平行于一第二边缘且与该第二边缘大致等长之一第一边缘。该第一迹线包含大致平行于一第四边缘之一第三边缘。该第四边缘被分成三个区段。外区段与该第三边缘相距一第一距离。中间区段与该第三边缘相距一第二距离。此外，该耦合器包含一第二迹线，其包含大致平行于一第二边缘且与该第二边缘大致等长之一第一边缘。该第二迹线包含大致平行于一第四边缘之一第三边缘。该第四边缘被分成三个区段。外区段与该第三边缘相距一第一距离。中间区段与该第三边缘相距一第二距离。另一此耦合器包含与一第一端口及一第二端口相关联之一第一迹线。该第一端口系大致组态为一输入端口且该第二端口系大致组态为一输出端口。该耦合器进一步包含与一第三端口及一第四端口相关联之一第二迹线。该第三端口系大致组态为一耦合端口且该第四端口系大致组态为一隔离端口。另外，该耦合器包含经组态以引进一不连续面而诱发该耦合器中之一失配之一第一电容器。

2. 发明专利

TW201640736A 具有降低耦合係數變化之耦合器、製造其之方法及相關封裝晶片及無線裝置审中-公开
简体标题：具有降低耦合系数变化之耦合器、制造其之方法及相关封装芯片及无线设备
公开(公告)号：TW201640736A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW105124209
申请日：2011-07-29
申请人：西凱渥資訊處理科技公司 , SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人：李陽 , LI, YANG , 朱軒昂 , ZHU, XUANANG , 黃庭福V , HOANG, DINHPHUOC V. , 章國豪 , ZHANG, GUOHAO , 瑞思尼爾魯斯亞倫 , REISNER, RUSS ALAN , 普瑞荷德柯德米特里 , PRIKHODKO, DMITRI , 郭峻昇 , GUO, JIUNN SHENG , 史考斯布列德利大衛 , SCOLES, BRADLEY DAVID , 維偉羅絲大衛二世 , VIVEIROS, DAVID JR.
IPC分类号： H01P5/04
CPC分类号： H01P5/184 , H01P5/185 , H01P5/187 , Y10T29/49002 , Y10T29/49169 , Y10T29/49208
摘要：本發明揭示一種具有高方向性及低耦合係數變化之耦合器。此一耦合器包含與一第一埠及一第二埠相關聯之一第一跡線。該第一跡線包含一第一主臂、將該第一主臂連接至該第二埠之一第一連接跡線及該第一主臂與該第一連接跡線之間之一非零角。此外，該耦合器包括與一第三埠及一第四埠相關聯之一第二跡線。該第二跡線包含一第二主臂。另一此耦合器包含一第一跡線，其具有大致平行於一第二邊緣且與該第二邊緣大致等長之一第一邊緣。該第一跡線包含大致平行於一第四邊緣之一第三邊緣。該第四邊緣被分成三個區段。外區段與該第三邊緣相距一第一距離。中間區段與該第三邊緣相距一第二距離。此外，該耦合器包含一第二跡線，其包含大致平行於一第二邊緣且與該第二邊緣大致等長之一第一邊緣。該第二跡線包含大致平行於一第四邊緣之一第三邊緣。該第四邊緣被分成三個區段。外區段與該第三邊緣相距一第一距離。中間區段與該第三邊緣相距一第二距離。另一此耦合器包含與一第一埠及一第二埠相關聯之一第一跡線。該第一埠係大致組態為一輸入埠且該第二埠係大致組態為一輸出埠。該耦合器進一步包含與一第三埠及一第四埠相關聯之一第二跡線。該第三埠係大致組態為一耦合埠且該第四埠係大致組態為一隔離埠。另外，該耦合器包含經組態以引進一不連續面而誘發該耦合器中之一失配之一第一電容器。
简体摘要：本发明揭示一种具有高方向性及低耦合系数变化之耦合器。此一耦合器包含与一第一端口及一第二端口相关联之一第一迹线。该第一迹线包含一第一主臂、将该第一主臂连接至该第二端口之一第一连接迹线及该第一主臂与该第一连接迹线之间之一非零角。此外，该耦合器包括与一第三端口及一第四端口相关联之一第二迹线。该第二迹线包含一第二主臂。另一此耦合器包含一第一迹线，其具有大致平行于一第二边缘且与该第二边缘大致等长之一第一边缘。该第一迹线包含大致平行于一第四边缘之一第三边缘。该第四边缘被分成三个区段。外区段与该第三边缘相距一第一距离。中间区段与该第三边缘相距一第二距离。此外，该耦合器包含一第二迹线，其包含大致平行于一第二边缘且与该第二边缘大致等长之一第一边缘。该第二迹线包含大致平行于一第四边缘之一第三边缘。该第四边缘被分成三个区段。外区段与该第三边缘相距一第一距离。中间区段与该第三边缘相距一第二距离。另一此耦合器包含与一第一端口及一第二端口相关联之一第一迹线。该第一端口系大致组态为一输入端口且该第二端口系大致组态为一输出端口。该耦合器进一步包含与一第三端口及一第四端口相关联之一第二迹线。该第三端口系大致组态为一耦合端口且该第四端口系大致组态为一隔离端口。另外，该耦合器包含经组态以引进一不连续面而诱发该耦合器中之一失配之一第一电容器。

3. 发明专利

TWI557982B 具有降低耦合係數變化之耦合器、製造其之方法及相關封裝晶片及無線裝置有权
简体标题：具有降低耦合系数变化之耦合器、制造其之方法及相关封装芯片及无线设备
公开(公告)号：TWI557982B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW100127118
申请日：2011-07-29
申请人：西凱渥資訊處理科技公司 , SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人：李陽 , LI, YANG , 朱軒昂 , ZHU, XUANANG , 黃庭福V , HOANG, DINHPHUOC V. , 章國豪 , ZHANG, GUOHAO , 瑞思尼爾魯斯亞倫 , REISNER, RUSS ALAN , 普瑞荷德柯德米特里 , PRIKHODKO, DMITRI , 郭峻昇 , GUO, JIUNN SHENG , 史考斯布列德利大衛 , SCOLES, BRADLEY DAVID , 維偉羅絲大衛二世 , VIVEIROS, DAVID JR.
IPC分类号： H01P5/04
CPC分类号： H01P5/184 , H01P5/185 , H01P5/187 , Y10T29/49002 , Y10T29/49169 , Y10T29/49208

4. 发明专利

TWI628842B 具有降低耦合係數變化之耦合器、製造其之方法及相關封裝晶片及無線裝置有权
简体标题：具有降低耦合系数变化之耦合器、制造其之方法及相关封装芯片及无线设备
公开(公告)号：TWI628842B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW105124211
申请日：2011-07-29
申请人：西凱渥資訊處理科技公司 , SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人：李陽 , LI, YANG , 朱軒昂 , ZHU, XUANANG , 黃庭福V , HOANG, DINHPHUOC V. , 章國豪 , ZHANG, GUOHAO , 瑞思尼爾魯斯亞倫 , REISNER, RUSS ALAN , 普瑞荷德柯德米特里 , PRIKHODKO, DMITRI , 郭峻昇 , GUO, JIUNN SHENG , 史考斯布列德利大衛 , SCOLES, BRADLEY DAVID , 維偉羅絲大衛二世 , VIVEIROS, DAVID JR.
IPC分类号： H01P5/04 , H01P5/12

5. 发明专利

TW201222962A 自補償式定向耦合器 SELF COMPENSATED DIRECTIONAL COUPLER 审中-公开
简体标题：自补偿式定向耦合器 SELF COMPENSATED DIRECTIONAL COUPLER
公开(公告)号：TW201222962A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW100124314
申请日：2011-07-08
申请人：西凱渥資訊處理科技公司
发明人：黃庭福V , 章國豪 , 阿加瓦爾阿尼爾K
IPC分类号： H01P
CPC分类号： H01P5/184
摘要：本發明揭示一種自補償式條帶耦合定向耦合器。在一實例中，該自補償式定向耦合器包含：一主臂，其形成在一多層基板之一單一第一層中；及一耦合臂，其形成在該多層基板之一單一第二層中。該耦合臂及該主臂之一者包含一Z字形結構以補償可於製造期間發生之該第一層與該第二層之間的欠對準。
简体摘要：本发明揭示一种自补偿式条带耦合定向耦合器。在一实例中，该自补偿式定向耦合器包含：一主臂，其形成在一多层基板之一单一第一层中；及一耦合臂，其形成在该多层基板之一单一第二层中。该耦合臂及该主臂之一者包含一Z字形结构以补偿可于制造期间发生之该第一层与该第二层之间的欠对准。

6. 发明专利

TW201214856A 在耦合器中降低耦合係數變化 REDUCING COUPLING COEFFICIENT VARIATION IN COUPLERS 审中-公开
简体标题：在耦合器中降低耦合系数变化 REDUCING COUPLING COEFFICIENT VARIATION IN COUPLERS
公开(公告)号：TW201214856A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100127118
申请日：2011-07-29
申请人：西凱渥資訊處理科技公司
发明人：李陽 , 朱軒昂 , 黃庭福V , 章國豪 , 瑞思尼爾魯斯亞倫 , 普瑞荷德柯德米特里 , 郭峻昇 , 史考斯布列德利大衛 , 維偉羅絲大衛二世
IPC分类号： H01P
CPC分类号： H01P5/184 , H01P5/185 , H01P5/187 , Y10T29/49002 , Y10T29/49169 , Y10T29/49208
摘要：本發明揭示一種具有高方向性及低耦合係數變化之耦合器。此一耦合器包含與一第一埠及一第二埠相關聯之一第一跡線。該第一跡線包含一第一主臂、將該第一主臂連接至該第二埠之一第一連接跡線及該第一主臂與該第一連接跡線之間之一非零角。此外,該耦合器包括與一第三埠及一第四埠相關聯之一第二跡線。該第二跡線包含一第二主臂。另一此耦合器包含一第一跡線,其具有大致平行於一第二邊緣且與該第二邊緣大致等長之一第一邊緣。該第一跡線包含大致平行於一第四邊緣之一第三邊緣。該第四邊緣被分成三個區段。外區段與該第三邊緣相距一第一距離。中間區段與該第三邊緣相距一第二距離。此外,該耦合器包含一第二跡線,其包含大致平行於一第二邊緣且與該第二邊緣大致等長之一第一邊緣。該第二跡線包含大致平行於一第四邊緣之一第三邊緣。該第四邊緣被分成三個區段。外區段與該第三邊緣相距一第一距離。中間區段與該第三邊緣相距一第二距離。另一此耦合器包含與一第一埠及一第二埠相關聯之一第一跡線。該第一埠係大致組態為一輸入埠且該第二埠係大致組態為一輸出埠。該耦合器進一步包含與一第三埠及一第四埠相關聯之一第二跡線。該第三埠係大致組態為一耦合埠且該第四埠係大致組態為一隔離埠。另外,該耦合器包含經組態以引進一不連續面而誘發該耦合器中之一失配之一第一電容器。
简体摘要：本发明揭示一种具有高方向性及低耦合系数变化之耦合器。此一耦合器包含与一第一端口及一第二端口相关联之一第一迹线。该第一迹线包含一第一主臂、将该第一主臂连接至该第二端口之一第一连接迹线及该第一主臂与该第一连接迹线之间之一非零角。此外,该耦合器包括与一第三端口及一第四端口相关联之一第二迹线。该第二迹线包含一第二主臂。另一此耦合器包含一第一迹线,其具有大致平行于一第二边缘且与该第二边缘大致等长之一第一边缘。该第一迹线包含大致平行于一第四边缘之一第三边缘。该第四边缘被分成三个区段。外区段与该第三边缘相距一第一距离。中间区段与该第三边缘相距一第二距离。此外,该耦合器包含一第二迹线,其包含大致平行于一第二边缘且与该第二边缘大致等长之一第一边缘。该第二迹线包含大致平行于一第四边缘之一第三边缘。该第四边缘被分成三个区段。外区段与该第三边缘相距一第一距离。中间区段与该第三边缘相距一第二距离。另一此耦合器包含与一第一端口及一第二端口相关联之一第一迹线。该第一端口系大致组态为一输入端口且该第二端口系大致组态为一输出端口。该耦合器进一步包含与一第三端口及一第四端口相关联之一第二迹线。该第三端口系大致组态为一耦合端口且该第四端口系大致组态为一隔离端口。另外,该耦合器包含经组态以引进一不连续面而诱发该耦合器中之一失配之一第一电容器。

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