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    • 2. 发明专利
    • 矽氮化物之選擇性成長
    • 硅氮化物之选择性成长
    • TW201903829A
    • 2019-01-16
    • TW107108738
    • 2018-03-15
    • 美商蘭姆研究公司LAM RESEARCH CORPORATION
    • 史密斯 大衛 查爾斯SMITH, DAVID CHARLES豪斯曼恩 丹尼斯 MHAUSMANN, DENNIS M.
    • H01L21/02C23C16/34
    • 本文提供用於相對於矽氧化物表面在矽表面上選擇性地沉積矽氮化物、及相對於矽表面在矽氧化物表面上選擇性地沉積矽氮化物的方法及設備。方法涉及在使用熱力式原子層沉積在矽氧化物表面上選擇性地沉積矽氮化物之前,將基板曝露於選擇性地與矽表面反應的烯烴,以藉由在矽表面上形成有機部分而阻擋矽表面。方法涉及在使用熱力式原子層沉積在矽表面上選擇性地沉積矽氮化物之前,將基板曝露於選擇性地與矽氧化物表面反應的烷基矽基鹵化物,以藉由在矽氧化物表面上形成有機部分而阻擋矽氧化物表面。
    • 本文提供用于相对于硅氧化物表面在硅表面上选择性地沉积硅氮化物、及相对于硅表面在硅氧化物表面上选择性地沉积硅氮化物的方法及设备。方法涉及在使用热力式原子层沉积在硅氧化物表面上选择性地沉积硅氮化物之前,将基板曝露于选择性地与硅表面反应的烯烃,以借由在硅表面上形成有机部分而阻挡硅表面。方法涉及在使用热力式原子层沉积在硅表面上选择性地沉积硅氮化物之前,将基板曝露于选择性地与硅氧化物表面反应的烷基硅基卤化物,以借由在硅氧化物表面上形成有机部分而阻挡硅氧化物表面。