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1. 发明专利

TW201920738A 介電膜之幾何性選擇沉積审中-公开
简体标题：介电膜之几何性选择沉积
公开(公告)号：TW201920738A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107128760
申请日：2018-08-17
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：豪斯曼恩丹尼斯 M , HAUSMANN, DENNIS M. , 福克斯亞歷山大 R , FOX, ALEXANDER R. , 史密斯大衛查爾斯 , SMITH, DAVID CHARLES , 凡史貴凡迪巴頓 J , VAN SCHRAVENDIJK, BART J.
IPC分类号： C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01L21/02
摘要：提出一種在圖案化特徵部之側壁表面上進行材料之選擇沉積之方法。在一些實施例中，該方法涉及，提供基板，基板具有從基板表面凹陷之特徵部。特徵部具有底部及從底部延伸之側壁。使用原子層沉積（ALD）處理以沉積保形膜在特徵部上。藉由使基板暴露至指向性電漿而使沉積在底部上之保形膜進行改質，俾使在底部上之保形膜比在側壁上之保形膜較不緻密。優先對於沉積在特徵部底部上之已改質的保形膜進行蝕刻。亦提出一種在圖案化特徵部之水平表面上進行選擇沉積之方法。
简体摘要：提出一种在图案化特征部之侧壁表面上进行材料之选择沉积之方法。在一些实施例中，该方法涉及，提供基板，基板具有从基板表面凹陷之特征部。特征部具有底部及从底部延伸之侧壁。使用原子层沉积（ALD）处理以沉积保形膜在特征部上。借由使基板暴露至指向性等离子而使沉积在底部上之保形膜进行改质，俾使在底部上之保形膜比在侧壁上之保形膜较不致密。优先对于沉积在特征部底部上之已改质的保形膜进行蚀刻。亦提出一种在图案化特征部之水平表面上进行选择沉积之方法。

2. 发明专利

TW201903829A 矽氮化物之選擇性成長审中-公开
简体标题：硅氮化物之选择性成长
公开(公告)号：TW201903829A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107108738
申请日：2018-03-15
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：史密斯大衛查爾斯 , SMITH, DAVID CHARLES , 豪斯曼恩丹尼斯 M , HAUSMANN, DENNIS M.
IPC分类号： H01L21/02 , C23C16/34
摘要：本文提供用於相對於矽氧化物表面在矽表面上選擇性地沉積矽氮化物、及相對於矽表面在矽氧化物表面上選擇性地沉積矽氮化物的方法及設備。方法涉及在使用熱力式原子層沉積在矽氧化物表面上選擇性地沉積矽氮化物之前，將基板曝露於選擇性地與矽表面反應的烯烴，以藉由在矽表面上形成有機部分而阻擋矽表面。方法涉及在使用熱力式原子層沉積在矽表面上選擇性地沉積矽氮化物之前，將基板曝露於選擇性地與矽氧化物表面反應的烷基矽基鹵化物，以藉由在矽氧化物表面上形成有機部分而阻擋矽氧化物表面。
简体摘要：本文提供用于相对于硅氧化物表面在硅表面上选择性地沉积硅氮化物、及相对于硅表面在硅氧化物表面上选择性地沉积硅氮化物的方法及设备。方法涉及在使用热力式原子层沉积在硅氧化物表面上选择性地沉积硅氮化物之前，将基板曝露于选择性地与硅表面反应的烯烃，以借由在硅表面上形成有机部分而阻挡硅表面。方法涉及在使用热力式原子层沉积在硅表面上选择性地沉积硅氮化物之前，将基板曝露于选择性地与硅氧化物表面反应的烷基硅基卤化物，以借由在硅氧化物表面上形成有机部分而阻挡硅氧化物表面。

3. 发明专利

TW201903184A 在矽氧化物存在的情況下於矽表面上之矽氧化物或矽氮化物之選擇性成長审中-公开
简体标题：在硅氧化物存在的情况下于硅表面上之硅氧化物或硅氮化物之选择性成长
公开(公告)号：TW201903184A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107107982
申请日：2018-03-09
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：史密斯大衛查爾斯 , SMITH, DAVID CHARLES , 豪斯曼恩丹尼斯 M , HAUSMANN, DENNIS M.
IPC分类号： C23C16/04 , C23C16/42 , C23C16/455 , H01L21/314 , H01L21/02
摘要：本文提供用於在對矽氧化物或矽氮化物材料具有選擇性的矽或金屬表面上選擇性地沉積含矽介電材料或含金屬介電材料的方法及設備。方法涉及將基板曝露於醯氯，該醯氯係與沉積不受期望的矽氧化物或矽氮化物材料反應，以在矽氧化物或矽氮化物材料上形成阻擋沉積的酮結構。對醯氯的曝露係在期望之含矽介電材料或含金屬介電材料的沉積之前執行。
简体摘要：本文提供用于在对硅氧化物或硅氮化物材料具有选择性的硅或金属表面上选择性地沉积含硅介电材料或含金属介电材料的方法及设备。方法涉及将基板曝露于酰氯，该酰氯系与沉积不受期望的硅氧化物或硅氮化物材料反应，以在硅氧化物或硅氮化物材料上形成阻挡沉积的酮结构。对酰氯的曝露系在期望之含硅介电材料或含金属介电材料的沉积之前运行。

4. 发明专利

TW201843329A 使用催化控制將矽氮化物選擇性沉積於矽氧化物上审中-公开
简体标题：使用催化控制将硅氮化物选择性沉积于硅氧化物上
公开(公告)号：TW201843329A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107107603
申请日：2018-03-07
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：史密斯大衛查爾斯 , SMITH, DAVID CHARLES , 豪斯曼恩丹尼斯 M , HAUSMANN, DENNIS M.
IPC分类号： C23C16/04 , C23C16/42 , C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/02
摘要：本文提供用於在基板之曝露的矽氧化物表面上相對於曝露的矽表面選擇性地沉積矽氮化物的方法及設備。技術涉及將三甲基鋁提供至基板，以在曝露的矽氧化物表面上形成含鋁的部分、及使用交替之胺基矽烷及聯胺的脈衝在相對於曝露的矽表面之曝露的矽氧化物表面上藉由受含鋁部分催化的熱力式原子層沉積在表面上選擇性地沉積矽氮化物。額外的技術涉及將含過渡金屬的氣體提供至曝露的矽氧化物表面，以在使用交替之胺基矽烷和聯胺之脈衝之矽氮化物的熱力式原子層沉積期間形成作為催化劑之含過渡金屬的部分。
简体摘要：本文提供用于在基板之曝露的硅氧化物表面上相对于曝露的硅表面选择性地沉积硅氮化物的方法及设备。技术涉及将三甲基铝提供至基板，以在曝露的硅氧化物表面上形成含铝的部分、及使用交替之胺基硅烷及联胺的脉冲在相对于曝露的硅表面之曝露的硅氧化物表面上借由受含铝部分催化的热力式原子层沉积在表面上选择性地沉积硅氮化物。额外的技术涉及将含过渡金属的气体提供至曝露的硅氧化物表面，以在使用交替之胺基硅烷和联胺之脉冲之硅氮化物的热力式原子层沉积期间形成作为催化剂之含过渡金属的部分。

5. 发明专利

TWI695082B 無氨無氯保形氮化矽膜的沉積方法有权
简体标题：无氨无氯保形氮化硅膜的沉积方法
公开(公告)号：TWI695082B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW104138370
申请日：2015-11-20
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：亨利強 , HENRI, JON , 豪斯曼恩丹尼斯 M , HAUSMANN, DENNIS M. , 唐沙恩 , TANG, SHANE , 希姆斯詹姆士 S , SIMS, JAMES S.
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/513

6. 发明专利

TW201903833A 具有原子層蝕刻重置之選擇性沉積审中-公开
简体标题：具有原子层蚀刻重置之选择性沉积
公开(公告)号：TW201903833A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107112841
申请日：2018-04-16
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：瑞迪卡蒲瑟利西 , REDDY, KAPU SIRISH , 蘭維爾梅利哈格茲德 , RAINVILLE, MELIHA GOZDE , 珊卡納葛 , SHANKAR, NAGRAJ , 豪斯曼恩丹尼斯 M , HAUSMANN, DENNIS M. , 史密斯大衛查爾斯 , SMITH, DAVID CHARLES , 斯瓦哈瑪克里斯南卡爾提克 , SIVARAMAKRISHNAN, KARTHIK , 波特大衛 W , PORTER, DAVID W.
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/311
摘要：提供用於藉由在半導體基板上選擇性地沉積材料而在該基板上執行沉積的方法。該基板具有複數基板材料，每一者具有對應於沉積於其上之材料的不同成核延遲。具體而言，根據隨沉積進行而降低的成核延遲差距，與其上欲進行沉積之第一基板材料相關聯的成核延遲小於與其上不欲進行沉積之第二基板材料相關聯的成核延遲。蝕刻所沉積之材料的一部分，以重新建立第一與第二基板材料之間的成核延遲差距。將材料進一步選擇性地沉積在基板上。
简体摘要：提供用于借由在半导体基板上选择性地沉积材料而在该基板上运行沉积的方法。该基板具有复数基板材料，每一者具有对应于沉积于其上之材料的不同成核延迟。具体而言，根据随沉积进行而降低的成核延迟差距，与其上欲进行沉积之第一基板材料相关联的成核延迟小于与其上不欲进行沉积之第二基板材料相关联的成核延迟。蚀刻所沉积之材料的一部分，以重新创建第一与第二基板材料之间的成核延迟差距。将材料进一步选择性地沉积在基板上。

7. 发明专利

TWI694166B 整合原子尺度製程：原子層沉積與原子層蝕刻有权
简体标题：集成原子尺度制程：原子层沉积与原子层蚀刻
公开(公告)号：TWI694166B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW105100640
申请日：2016-01-11
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：凱那瑞克凱倫賈考柏思 , KANARIK, KEREN JACOBS , 馬克思傑弗瑞 , MARKS, JEFFREY , 席恩哈密特 , SINGH, HARMEET , 陳暹華 , TAN, SAMANTHA , 卡本斯基亞歷山大 , KABANSKY, ALEXANDER , 楊文兵 , YANG, WENBING , 金台昇 , KIM, TAESEUNG , 豪斯曼恩丹尼斯 M , HAUSMANN, DENNIS M. , 立爾托爾斯滕 , LILL, THORSTEN
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/455 , H01L21/3065 , H01L21/316

8. 发明专利

TWI680509B 用於高深寬比圓筒狀物蝕刻的側壁鈍化層之沉積技術有权
简体标题：用于高深宽比圆筒状物蚀刻的侧壁钝化层之沉积技术
公开(公告)号：TWI680509B
公开(公告)日：2019-12-21
申请号：TW104139815
申请日：2015-11-30
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：哈得森艾瑞克 A , HUDSON, ERIC A. , 豪斯曼恩丹尼斯 M , HAUSMANN, DENNIS M. , 布立格茲喬瑟夫史考特 , BRIGGS, JOSEPH SCOTT
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/30 , C23C16/505 , G03F7/16

9. 发明专利

TW201840883A 矽氧化物之選擇性沉積审中-公开
简体标题：硅氧化物之选择性沉积
公开(公告)号：TW201840883A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107104892
申请日：2018-02-12
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：史密斯大衛查爾斯 , SMITH, DAVID CHARLES , 豪斯曼恩丹尼斯 M , HAUSMANN, DENNIS M.
IPC分类号： C23C16/04 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/02
摘要：在此說明相對於矽氮化物表面而選擇性地將矽氧化物沉積在矽氧化物表面上的方法與設備。方法包含：使用氨及/或氮電漿對基板表面進行前處理；以及在熱原子層沉積反應中，使用胺基矽烷矽前驅物與氧化劑的交替脈衝選擇性地將矽氧化物沉積在矽氧化物表面上，而不將矽氧化物沉積在曝露矽氮化物表面上。
简体摘要：在此说明相对于硅氮化物表面而选择性地将硅氧化物沉积在硅氧化物表面上的方法与设备。方法包含：使用氨及/或氮等离子对基板表面进行前处理；以及在热原子层沉积反应中，使用胺基硅烷硅前驱物与氧化剂的交替脉冲选择性地将硅氧化物沉积在硅氧化物表面上，而不将硅氧化物沉积在曝露硅氮化物表面上。

10. 发明专利

TW201832285A 不傷害下方基板下用以降低氮化矽膜之溼蝕刻速率的方法审中-公开
简体标题：不伤害下方基板下用以降低氮化硅膜之湿蚀刻速率的方法
公开(公告)号：TW201832285A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106138240
申请日：2017-11-06
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：瑪克羅安組約翰 , MCKERROW, ANDREW JOHN , 豪斯曼恩丹尼斯 M , HAUSMANN, DENNIS M.
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/42
摘要：本揭露內容中描述利用原子層沉積形成保形、低溼蝕刻速率之具有低氫含量的矽氮化物膜的方法及設備。方法涉及：在第一溫度下藉由原子層沉積利用含溴及/或含碘矽前驅物及氮以沉積矽氮化物膜，以及在低於約100℃的溫度下利用電漿處理矽氮化物膜。方法及設備適用於形成保形、緻密、低溼蝕刻速率的矽氮化物膜，以作為記憶體用硫族化合物材料上方的封裝層。
简体摘要：本揭露内容中描述利用原子层沉积形成保形、低湿蚀刻速率之具有低氢含量的硅氮化物膜的方法及设备。方法涉及：在第一温度下借由原子层沉积利用含溴及/或含碘硅前驱物及氮以沉积硅氮化物膜，以及在低于约100℃的温度下利用等离子处理硅氮化物膜。方法及设备适用于形成保形、致密、低湿蚀刻速率的硅氮化物膜，以作为内存用硫族化合物材料上方的封装层。

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