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1. 发明专利

TWI691957B 具磁性儲存單元的記憶體裝置及計算系統有权
简体标题：具磁性存储单元的内存设备及计算系统
公开(公告)号：TWI691957B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW105115778
申请日：2016-05-20
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：奧古斯丁查理斯 , AUGUSTINE, CHARLES , 冨嶋茂樹 , TOMISHIMA, SHIGEKI , 吳偉 , WU, WEI , 盧士連 , LU, SHIH-LIEN , 權斯詹姆士 , TSCHANZ, JAMES W. , 潘納格波洛斯葛洛斯 , PANAGOPOULOS, GEORGIOS , 納艾米海利亞 , NAEIMI, HELIA
IPC分类号： G11C11/16 , H01L27/22 , H01L43/08

2. 发明专利

TWI594122B 安全模式資料保護之技術有权
简体标题：安全模式数据保护之技术
公开(公告)号：TWI594122B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW104139139
申请日：2015-11-25
申请人：英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：尼艾米海莉亞 , NAEIMI, HELIA , 冨嶋茂樹 , TOMISHIMA, SHIGEKI , 呂士濂 , LU, SHIH-LIEN L.
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/14 , G06F21/62 , G06F21/79
CPC分类号： G06F21/62 , G06F12/0246 , G06F12/1433 , G06F21/34 , G06F21/74 , G06F21/77 , G06F21/79 , G06F2212/1052 , G06F2212/7201 , G06F2212/7205 , G06F2221/2143 , H04W12/12

3. 发明专利

TW201637009A 在自旋轉移力矩記憶體中之寫入操作技術审中-公开
简体标题：在自旋转移力矩内存中之写入操作技术
公开(公告)号：TW201637009A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW104138560
申请日：2015-11-20
申请人：英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：尼艾米海莉亞 , NAEIMI, HELIA
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C11/1675 , G11C7/04 , G11C7/1006 , G11C7/1045 , G11C11/1659
摘要：用以在自旋轉移力矩(STT)記憶體中寫入操作之設備、系統、以及方法被說明。於一實施例中，一記憶體包含至少一自旋轉移力矩(STT)記憶體裝置、接近該STT記憶體裝置之溫度感測器、以及一控制器，該控制器包含至少部份地包括硬體邏輯之邏輯，用以監視該溫度感測器之一輸出，當該溫度感測器之該輸出未超出一臨界溫度時則實行一第一寫入操作協定，以及當該溫度感測器之該輸出超出該臨界溫度時則實行一第二寫入操作協定。其他實施例也被揭示並且申請其專利權益。
简体摘要：用以在自旋转移力矩(STT)内存中写入操作之设备、系统、以及方法被说明。于一实施例中，一内存包含至少一自旋转移力矩(STT)内存设备、接近该STT内存设备之温度传感器、以及一控制器，该控制器包含至少部份地包括硬件逻辑之逻辑，用以监视该温度传感器之一输出，当该温度传感器之该输出未超出一临界温度时则实行一第一写入操作协定，以及当该温度传感器之该输出超出该临界温度时则实行一第二写入操作协定。其他实施例也被揭示并且申请其专利权益。

4. 发明专利

TWI551992B 以合倂重置來改良電阻式記憶體寫入操作有权
简体标题：以合并重置来改良电阻式内存写入操作
公开(公告)号：TWI551992B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104117416
申请日：2015-05-29
申请人：英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：尼艾米海莉亞 , NAEIMI, HELIA , 呂士濂 , LU, SHIH-LIEN L. , 奧古斯汀查爾斯 , AUGUSTINE, CHARLES
IPC分类号： G06F12/08 , G11C14/00
CPC分类号： G11C14/0036 , G06F12/0811 , G06F12/0893 , G06F2212/283 , G11C11/1675 , G11C14/0081

5. 发明专利

TWI515364B 平台能量採集有权
简体标题：平台能量采集
公开(公告)号：TWI515364B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW099143729
申请日：2010-12-14
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：馬慶 , MA, QING , 納艾米海利亞 , NAEIMI, HELIA
IPC分类号： F03G7/08 , G06F1/16
CPC分类号： F03G7/08 , H02K35/02 , H02N2/186

6. 发明专利

TW201543476A 於自旋轉移力矩記憶體中之寫入操作技術审中-公开
简体标题：于自旋转移力矩内存中之写入操作技术
公开(公告)号：TW201543476A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104101498
申请日：2015-01-16
申请人：英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：尼艾米海莉亞 , NAEIMI, HELIA , 呂士濂 , LU, SHIH-LIEN L. , 奧古斯汀查爾斯 , AUGUSTINE, CHARLES
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C11/1675 , G11C7/1009 , G11C11/1657
摘要：本發明係說明供自旋轉移力矩(STT)記憶體中之寫入作業用之裝置、系統及方法。在一實施例中，一控制器包含邏輯用以辨識自旋轉移力矩(STT)記憶體中的一行之一第一多數胞元係將要被設定為一平行狀態以及該STT記憶體中的該行之一第二多數胞元係將要被設定為一反平行狀態，遮蔽對該行中之該等第二多數胞元之寫入作業，設定該等第一多數胞元為一平行狀態，遮蔽對該行中之該等第一多數胞元之寫入作業，以及設定該等第二多數胞元為一反平行狀態。其他實施例亦予以揭露及主張。
简体摘要：本发明系说明供自旋转移力矩(STT)内存中之写入作业用之设备、系统及方法。在一实施例中，一控制器包含逻辑用以辨识自旋转移力矩(STT)内存中的一行之一第一多数胞元系将要被设置为一平行状态以及该STT内存中的该行之一第二多数胞元系将要被设置为一反平行状态，屏蔽对该行中之该等第二多数胞元之写入作业，设置该等第一多数胞元为一平行状态，屏蔽对该行中之该等第一多数胞元之写入作业，以及设置该等第二多数胞元为一反平行状态。其他实施例亦予以揭露及主张。

7. 发明专利

TWI611318B 電子設備、計算系統及用於資料安全之方法有权
简体标题：电子设备、计算系统及用于数据安全之方法
公开(公告)号：TWI611318B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW104139141
申请日：2015-11-25
申请人：英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：尼艾米海莉亞 , NAEIMI, HELIA , 冨嶋茂樹 , TOMISHIMA, SHIGEKI , 呂士濂 , LU, SHIH-LIEN L.
IPC分类号： G06F21/80 , G06F12/14 , G11C29/52
CPC分类号： G06F12/1425 , G06F12/0246 , G06F21/79 , G06F2212/1052 , G06F2212/7205 , G06F2212/7209 , G06F2221/2143 , G11C5/148 , G11C7/24 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/1695 , G11C11/1697 , G11C14/0081 , G11C16/105 , G11C16/107 , G11C16/14 , G11C16/16 , G11C16/22 , G11C16/3486

8. 发明专利

TW201617887A 以合倂重置來改良電阻式記憶體寫入操作审中-公开
简体标题：以合并重置来改良电阻式内存写入操作
公开(公告)号：TW201617887A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104117416
申请日：2015-05-29
申请人：英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：尼艾米海莉亞 , NAEIMI, HELIA , 呂士濂 , LU, SHIH-LIEN L. , 奧古斯汀查爾斯 , AUGUSTINE, CHARLES
IPC分类号： G06F12/08 , G11C14/00
CPC分类号： G11C14/0036 , G06F12/0811 , G06F12/0893 , G06F2212/283 , G11C11/1675 , G11C14/0081
摘要：在將記憶單元寫入成第一位元狀態所花費之時間比將記憶單元寫入成第二位元狀態所花費之時間長的記憶體裝置中，選擇性地執行寫入操作可攤銷寫入花費較長時間來寫入之位元狀態之效能成本。寫入邏輯將多個快取行自寫入緩衝器清除佇列，並且在單一個寫入操作中將所有快取行之所有位元設置為第一位元狀態。寫入邏輯隨後單獨地對每一快取行執行獨立的寫入操作來選擇性地將每一相應快取行之記憶單元寫入成第二位元狀態。
简体摘要：在将记忆单元写入成第一比特状态所花费之时间比将记忆单元写入成第二比特状态所花费之时间长的内存设备中，选择性地运行写入操作可摊销写入花费较长时间来写入之比特状态之性能成本。写入逻辑将多个缓存行自写入缓冲器清除队列，并且在单一个写入操作中将所有缓存行之所有比特设置为第一比特状态。写入逻辑随后单独地对每一缓存行运行独立的写入操作来选择性地将每一相应缓存行之记忆单元写入成第二比特状态。

9. 发明专利

TWI592928B 磁場輔助之記憶體操作技術有权
简体标题：磁场辅助之内存操作技术
公开(公告)号：TWI592928B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW104127715
申请日：2015-08-25
申请人：英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：尼艾米海莉亞 , NAEIMI, HELIA , 呂士濂 , LU, SHIH-LIEN L. , 冨嶋茂樹 , TOMISHIMA, SHIGEKI
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C11/1675 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673

10. 发明专利

TWI561976B 跨越硬體和軟體層之錯誤管理技術有权
简体标题：跨越硬件和软件层之错误管理技术
公开(公告)号：TWI561976B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW100147958
申请日：2011-12-22
申请人：英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：卡特尼可拉斯P , CARTER, NICHOLAS P. , 加德納唐納德S , GARDNER, DONALD S. , 漢納艾立克C , HANNAH, ERIC C. , 尼艾米海莉亞 , NAEIMI, HELIA , 波卡雪荷Y , BORKAR, SHEKHAR Y. , 海科克馬修B , HAYCOCK, MATTHEW B.
IPC分类号： G06F11/28 , G06F11/34
CPC分类号： G06F11/0781 , G06F11/0772 , G06F11/0793 , G06F11/1425 , G06F11/1428

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