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1. 发明专利

TWI685079B 在孔穴中具有由可模造材料所囊封的電路模組的插入物及製造方法有权
简体标题：在孔穴中具有由可模造材料所囊封的电路模块的插入物及制造方法
公开(公告)号：TWI685079B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW104140292
申请日：2015-12-02
申请人：美商英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人：沈虹 , SHEN, HONG , 王亮 , WANG, LIANG , 卡特卡爾拉傑許 , KATKAR, RAJESH
IPC分类号： H01L23/528 , H01L21/768

2. 发明专利

TWI685924B 可靠封裝的結構和方法有权
简体标题：可靠封装的结构和方法
公开(公告)号：TWI685924B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW105119285
申请日：2016-06-20
申请人：美商英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人：烏卓塞普里昂艾米卡 , UZOH, CYPRIAN EMEKA , 高桂蓮 , GAO, GUILIAN , 王亮 , WANG, LIANG , 沈虹 , SHEN, HONG , 西塔朗亞卡爾古德R , SITARAM, ARKALGUD R.
IPC分类号： H01L23/28

3. 发明专利

TWI670825B 基板以及製造方法有权
简体标题：基板以及制造方法
公开(公告)号：TWI670825B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW104136418
申请日：2015-11-05
申请人：美商英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人：沈虹 , SHEN, HONG , 王亮 , WANG, LIANG , 奎瓦拉嘉比愛爾Z , GUEVARA, GABRIEL Z. , 卡特卡爾拉傑許 , KATKAR, RAJESH , 烏卓塞普里昂艾米卡 , UZOH, CYPRIAN EMEKA , 米卡里米蘿拉威爾斯 , MIRKARIMI, LAURA WILLS
IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/58

4. 发明专利

TW201843830A 直接接合的ＬＥＤ陣列及應用审中-公开
简体标题：直接接合的ＬＥＤ数组及应用
公开(公告)号：TW201843830A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107108645
申请日：2018-03-14
申请人：美商英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人：陶敏 , TAO, MIN , 王亮 , WANG, LIANG , 卡特卡爾拉傑許 , KATKAR, RAJESH , 烏卓塞普里昂艾米卡 , UZOH, CYPRIAN EMEKA
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/60 , H01L21/18
摘要：本發明提供直接接合的LED陣列及應用。一實例方法製造一LED結構，其包括用於該LED結構之一平面接合介面表面上之該LED結構之p型及n型半導體的共面電接觸點。該平面接合介面表面之該些共面電接觸點直接接合至用於該LED結構之一驅動器電路之電接觸點。在一晶圓級方法中，微LED結構製造於一第一晶圓上，該些結構包括用於該晶圓之該些平面接合介面表面上之該些LED結構的p型及n型半導體之共面電接觸點。該平面接合介面之至少該些共面電接觸點直接接合至一第二晶圓上之CMOS驅動器電路之電接觸點。該方法提供一透明且可撓之微LED陣列顯示器，其中各微LED結構具有近似於在一高分辨率視訊顯示器上呈現之一圖像之一像素或一最小可控制元件之大小的一照明區域。
简体摘要：本发明提供直接接合的LED数组及应用。一实例方法制造一LED结构，其包括用于该LED结构之一平面接合界面表面上之该LED结构之p型及n型半导体的共面电接触点。该平面接合界面表面之该些共面电接触点直接接合至用于该LED结构之一驱动器电路之电接触点。在一晶圆级方法中，微LED结构制造于一第一晶圆上，该些结构包括用于该晶圆之该些平面接合界面表面上之该些LED结构的p型及n型半导体之共面电接触点。该平面接合界面之至少该些共面电接触点直接接合至一第二晶圆上之CMOS驱动器电路之电接触点。该方法提供一透明且可挠之微LED数组显示器，其中各微LED结构具有近似于在一高分辨率视频显示器上呈现之一图像之一像素或一最小可控件之大小的一照明区域。

6. 发明专利

TW201622017A 微電子組件中使用下塡帶之技術及具耦接至貫穿基體通孔之空腔的微電子組件审中-公开
简体标题：微电子组件中使用下填带之技术及具耦接至贯穿基体通孔之空腔的微电子组件
公开(公告)号：TW201622017A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104130617
申请日：2015-09-16
申请人：英凡薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人：土佐艾里克S , TOSAYA, ERIC S. , 卡特卡瑞吉許 , KATKAR, RAJESH , 王亮 , WANG, LIANG , 尤左西普里恩E , UZOH, CYPRIAN EMEKA
IPC分类号： H01L21/54 , H01L23/02
CPC分类号： H01L21/563 , H01L21/481 , H01L23/13 , H01L23/3178 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/91 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/05568 , H01L2224/05571 , H01L2224/06102 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/16237 , H01L2224/2908 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29388 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81194 , H01L2224/81203 , H01L2224/81395 , H01L2224/814 , H01L2224/81815 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83385 , H01L2224/83856 , H01L2224/9211 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/14 , H01L2924/15159 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2224/83
摘要：一微電子組件具有容置於一空腔中並被下填帶覆蓋之一接觸墊。該空腔具有在該下填帶下方之一空隙。另一微電子組件之一凸出之接觸墊刺破該下填帶來該進入該空腔並結合於凹設的該接觸墊。該空隙有助於穿破該下填帶，因此減少殘留在該二接觸墊間的下填帶的量並改善接觸阻抗。本案亦提供了具有帶一空腔之一基體且具有延伸入該空腔內之一貫穿基體通孔的一微電子組件。本案亦提供了其他特徵。
简体摘要：一微电子组件具有容置于一空腔中并被下填带覆盖之一接触垫。该空腔具有在该下填带下方之一空隙。另一微电子组件之一凸出之接触垫刺破该下填带来该进入该空腔并结合于凹设的该接触垫。该空隙有助于穿破该下填带，因此减少残留在该二接触垫间的下填带的量并改善接触阻抗。本案亦提供了具有带一空腔之一基体且具有延伸入该空腔内之一贯穿基体通孔的一微电子组件。本案亦提供了其他特征。

7. 发明专利

TW201735116A 提供具有已知良好晶粒的三維晶圓組件之系統和方法审中-公开
简体标题：提供具有已知良好晶粒的三维晶圆组件之系统和方法
公开(公告)号：TW201735116A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105142441
申请日：2016-12-21
申请人：英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人：沈虹 , SHEN, HONG , 王亮 , WANG, LIANG , 高桂蓮 , GAO, GUILIAN
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/48 , H01L21/822 , H01L27/108
CPC分类号： H01L24/94 , H01L21/304 , H01L21/30625 , H01L21/31051 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/32145 , H01L2224/83005 , H01L2224/83895 , H01L2224/83896 , H01L2225/06541 , H01L2924/10253 , H01L2924/1032 , H01L2924/1205 , H01L2924/1207 , H01L2924/1304 , H01L2924/1436
摘要：本發明提供用於提供具有已知良好晶粒的三維晶圓組件的範例系統和方法。一種範例方法編輯一半導體晶圓上的晶粒的索引編號並且移除有缺陷的晶粒，以便提供一具有全部為可操作的晶粒的晶圓。多個晶圓上的有缺陷晶粒可以被平行移除，並且產生於三維晶圓組件中堆疊全部為良好晶粒的晶圓。於一施行方式中，被移除的有缺陷的晶粒所留下的空間可以可操作的晶粒或是一填補材料被至少部分填補。有缺陷的晶粒可以在晶圓至晶圓組裝之前或之後被置換，以避免生產有缺陷的堆疊式裝置，或者，該些空間亦可以保持空白。一底部裝置晶圓亦可以移除或是置換其有缺陷的晶粒，從而產生會提供沒有任何有缺陷晶粒之三維堆疊的晶圓至晶圓組件。
简体摘要：本发明提供用于提供具有已知良好晶粒的三维晶圆组件的范例系统和方法。一种范例方法编辑一半导体晶圆上的晶粒的索引编号并且移除有缺陷的晶粒，以便提供一具有全部为可操作的晶粒的晶圆。多个晶圆上的有缺陷晶粒可以被平行移除，并且产生于三维晶圆组件中堆栈全部为良好晶粒的晶圆。于一施行方式中，被移除的有缺陷的晶粒所留下的空间可以可操作的晶粒或是一填补材料被至少部分填补。有缺陷的晶粒可以在晶圆至晶圆组装之前或之后被置换，以避免生产有缺陷的堆栈式设备，或者，该些空间亦可以保持空白。一底部设备晶圆亦可以移除或是置换其有缺陷的晶粒，从而产生会提供没有任何有缺陷晶粒之三维堆栈的晶圆至晶圆组件。

8. 发明专利

TW201644018A 用於三維積體電路的嵌式石墨散熱器审中-公开
简体标题：用于三维集成电路的嵌式石墨散热器
公开(公告)号：TW201644018A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105106674
申请日：2016-03-04
申请人：英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人：高桂蓮 , GAO, GUILIAN , 威奇克查爾斯G , WOYCHIK, CHARLES G. , 烏卓塞普里昂艾米卡 , UZOH, CYPRIAN EMEKA , 王亮 , WANG, LIANG
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , F28F21/02 , H01L21/77
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/36 , H01L23/367 , H01L23/3675 , H01L23/373 , H01L24/00 , H01L24/11 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/11334 , H01L2224/16057 , H01L2224/16145 , H01L2224/2761 , H01L2224/32245 , H01L2224/81815 , H01L2224/838 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2225/06589 , H01L2924/01006 , H01L2924/10253
摘要：提出一種具有熱控制的裝置。在一些實施例之中，該裝置包含置於一堆疊之中的複數晶粒，每一晶粒包含一晶片、穿過該晶片之一厚度的互連、位於該晶片一底側上且連接至互連之導電成分的金屬特徵、以及位於該晶片底側上的黏著或底部填充層。可以是一熱解石墨層、由奈米碳管構成之一疊層或者一石墨烯疊層的至少一熱傳導層耦接於該複數晶粒其中一者之一頂側與位於該堆疊中之一毗鄰晶粒的一底側之間。一散熱部件可以耦接至該熱傳導層。
简体摘要：提出一种具有热控制的设备。在一些实施例之中，该设备包含置于一堆栈之中的复数晶粒，每一晶粒包含一芯片、穿过该芯片之一厚度的互连、位于该芯片一底侧上且连接至互连之导电成分的金属特征、以及位于该芯片底侧上的黏着或底部填充层。可以是一热解石墨层、由奈米碳管构成之一叠层或者一石墨烯叠层的至少一热传导层耦接于该复数晶粒其中一者之一顶侧与位于该堆栈中之一毗邻晶粒的一底侧之间。一散热部件可以耦接至该热传导层。

9. 发明专利

TW201709455A 具有空腔的微電子組件及製造方法审中-公开
简体标题：具有空腔的微电子组件及制造方法
公开(公告)号：TW201709455A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105118900
申请日：2016-06-16
申请人：英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人：沈虹 , SHEN, HONG , 王亮 , WANG, LIANG , 卡特卡爾拉傑許 , KATKAR, RAJESH , 威奇克查爾斯G , WOYCHIK, CHARLES G. , 高桂蓮 , GAO, GUILIAN
IPC分类号： H01L23/492
CPC分类号： H01L23/562 , H01L21/481 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L23/053 , H01L23/145 , H01L23/147 , H01L23/15 , H01L23/295 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/3675 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/5384 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/13111 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/92225 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/15788 , H01L2924/16153 , H01L2924/16235 , H01L2924/16251 , H01L2924/16315 , H01L2924/1632 , H01L2924/167 , H01L2924/16787 , H01L2924/16788 , H01L2924/3511 , H01L2224/81 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/01029 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
摘要：晶粒(110)附接於插置物(420)，並且插置物/晶粒組件放置到蓋空腔(510)裡。蓋子(210)附接於組件的頂部，可能附接於在頂部的囊封物(474)。蓋子的腳架(520)包圍空腔，並且向下延伸到插置基板(420S)的頂面以下，可能延伸到基板之底面的層級或更低。腳架(520)可以附接或可以不附接於插置物/晶粒組件。在製造上，插置晶圓(420SW)具有溝槽(478)，其在蓋子的放置期間接收蓋子的腳架。稍後將插置晶圓薄化以移除在腳架以下的插置晶圓部分，並且將插置晶圓加以切片。薄化過程也在底部上暴露了穿過插置基板的導電通孔(450)。也提供了其他特色。
简体摘要：晶粒(110)附接于插置物(420)，并且插置物/晶粒组件放置到盖空腔(510)里。盖子(210)附接于组件的顶部，可能附接于在顶部的囊封物(474)。盖子的脚架(520)包围空腔，并且向下延伸到插置基板(420S)的顶面以下，可能延伸到基板之底面的层级或更低。脚架(520)可以附接或可以不附接于插置物/晶粒组件。在制造上，插置晶圆(420SW)具有沟槽(478)，其在盖子的放置期间接收盖子的脚架。稍后将插置晶圆薄化以移除在脚架以下的插置晶圆部分，并且将插置晶圆加以切片。薄化过程也在底部上暴露了穿过插置基板的导电通孔(450)。也提供了其他特色。

10. 发明专利

TW201705398A 可靠封裝的結構和方法审中-公开
简体标题：可靠封装的结构和方法
公开(公告)号：TW201705398A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105119285
申请日：2016-06-20
申请人：英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人：烏卓塞普里昂艾米卡 , UZOH, CYPRIAN EMEKA , 高桂蓮 , GAO, GUILIAN , 王亮 , WANG, LIANG , 沈虹 , SHEN, HONG , 西塔朗亞卡爾古德R , SITARAM, ARKALGUD R.
IPC分类号： H01L23/28
CPC分类号： H01L21/82 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L23/3128 , H01L23/5389 , H01L23/562 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L24/98 , H01L2224/04105 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/157 , H01L2924/15788 , H01L2924/3511 , H01L2924/3512
摘要：本發明揭示裝置和形成該裝置的方法，該裝置包括形成在基板裝置的基板中的孔穴，該基板裝置亦包括形成在該基板中的導電通孔。晶片裝置、晶圓和其他基板裝置可被安裝至該基板裝置。囊封層和材料可被形成在該基板裝置上方；以填充該孔穴。
简体摘要：本发明揭示设备和形成该设备的方法，该设备包括形成在基板设备的基板中的孔穴，该基板设备亦包括形成在该基板中的导电通孔。芯片设备、晶圆和其他基板设备可被安装至该基板设备。囊封层和材料可被形成在该基板设备上方；以填充该孔穴。

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