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1. 发明专利

TW201911425A 具有氣隙閘極側壁間隔件之場效電晶體及方法审中-公开
简体标题：具有气隙闸极侧壁间隔件之场效应管及方法
公开(公告)号：TW201911425A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107106805
申请日：2018-03-01
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：柏爾羅特艾米莉 , BOURJOT, EMILIE , 謝瑞龍 , XIE, RUILONG
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/76
摘要：本案涉及具有一氣隙閘極側壁間隔件的場效應電晶體及方法，其揭露一種方法，其中，具有閘極帽及犧牲閘極側壁間隔件的閘極係形成鄰接電晶體的溝道區域，而具有柱塞帽的金屬柱塞係形成於源極/漏極區域上。該犧牲閘極側壁間隔件被選擇性蝕刻，生成暴露該閘極以及閘極帽的側壁的空腔。可選的，該閘極帽的側壁被回蝕刻以加寬該空腔的上部。沉積介電間隔層以於該空腔內形成氣隙閘極側壁間隔件。由於該柱塞帽、閘極帽以及介電間隔層使用不同的材料，因此隨後形成的閘極接觸開口將自對準該閘極。因此，閘極接觸件可形成於有源區域上方(或接近該有源區域)，而無閘極接觸件至金屬柱塞短路的風險。本案也揭露根據該方法所形成的一種結構。
简体摘要：本案涉及具有一气隙闸极侧壁间隔件的场效应晶体管及方法，其揭露一种方法，其中，具有闸极帽及牺牲闸极侧壁间隔件的闸极系形成邻接晶体管的沟道区域，而具有柱塞帽的金属柱塞系形成于源极/漏极区域上。该牺牲闸极侧壁间隔件被选择性蚀刻，生成暴露该闸极以及闸极帽的侧壁的空腔。可选的，该闸极帽的侧壁被回蚀刻以加宽该空腔的上部。沉积介电间隔层以于该空腔内形成气隙闸极侧壁间隔件。由于该柱塞帽、闸极帽以及介电间隔层使用不同的材料，因此随后形成的闸极接触开口将自对准该闸极。因此，闸极接触件可形成于有源区域上方(或接近该有源区域)，而无闸极接触件至金属柱塞短路的风险。本案也揭露根据该方法所形成的一种结构。

2. 发明专利

TWI668767B 具有氣隙閘極側壁間隔件之場效電晶體及方法有权
简体标题：具有气隙闸极侧壁间隔件之场效应管及方法
公开(公告)号：TWI668767B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW107106805
申请日：2018-03-01
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：柏爾羅特艾米莉 , BOURJOT, EMILIE , 謝瑞龍 , XIE, RUILONG
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/76

3. 发明专利

TW202011605A 具有自對準接觸之垂直傳輸場效電晶體审中-公开
简体标题：具有自对准接触之垂直传输场效应管
公开(公告)号：TW202011605A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108107853
申请日：2019-03-08
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：柏爾羅特艾米莉 , BOURJOT, EMILIE , 恰尼莫蓋姆丹尼爾 , CHANEMOUGAME, DANIEL , 本利史帝文 , BENTLEY, STEVEN
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
摘要：本發明揭示用於形成垂直傳輸場效電晶體之接觸的方法與用於垂直傳輸場效電晶體及接觸的結構。沉積層間電介質層於閘極堆疊上方，且形成第一開口於該層間電介質層中且貫穿該閘極堆疊以將該閘極堆疊切成第一區段與第二區段。形成電介質柱體於該第一開口中且配置於該閘極堆疊之該第一區段與該閘極堆疊之該第二區段之間。在該層間電介質層中形成穿到該閘極堆疊且被該電介質柱體分隔的第二及第三開口。在該第二開口中的第一接觸與該閘極堆疊的該第一區段耦合，且在該第三開口中的第二接觸與該閘極堆疊的該第二區段耦合。
简体摘要：本发明揭示用于形成垂直传输场效应管之接触的方法与用于垂直传输场效应管及接触的结构。沉积层间电介质层于闸极堆栈上方，且形成第一开口于该层间电介质层中且贯穿该闸极堆栈以将该闸极堆栈切成第一区段与第二区段。形成电介质柱体于该第一开口中且配置于该闸极堆栈之该第一区段与该闸极堆栈之该第二区段之间。在该层间电介质层中形成穿到该闸极堆栈且被该电介质柱体分隔的第二及第三开口。在该第二开口中的第一接触与该闸极堆栈的该第一区段耦合，且在该第三开口中的第二接触与该闸极堆栈的该第二区段耦合。

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