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2. 发明专利

TW201834204A 用於垂直ＦＥＴ　ＳＲＡＭ以及邏輯胞元縮放的金屬層佈線層級审中-公开
简体标题：用于垂直ＦＥＴ　ＳＲＡＭ以及逻辑胞元缩放的金属层布线层级
公开(公告)号：TW201834204A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106122578
申请日：2017-07-05
申请人：格羅方德美國公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：賓利史蒂芬 , BENTLEY, STEVEN , 保羅必普C , PAUL, BIPUL C.
IPC分类号： H01L27/088
摘要：本發明揭示一種形成一VFET SRAM或邏輯裝置之方法，該裝置具有連接至一電晶體配對的一閘極以及另一電晶體配對的該底部S/D之副鰭片級金屬佈線層。具體實施例包括：鰭片配對，其形成於一基材上；一底部S/D層，其該基材上圍繞該等鰭片而形成圖案；順應襯墊層，其形成於該基材之上；一ILD，其形成於一襯墊層之上；一金屬佈線層，其形成於該第一配對之間該襯墊層上以及至少該第二配對之間該底部S/D層上該等鰭片配對之間，其中一上方表面形成於該活性鰭片部分之下；一GAA，其形成於該介電隔板上圍繞該第一配對的每一鰭片；以及一底部S/D接點xc或一專屬xc，其分別形成於與該GAA相鄰或穿透該GAA的該金屬佈線層上。
简体摘要：本发明揭示一种形成一VFET SRAM或逻辑设备之方法，该设备具有连接至一晶体管配对的一闸极以及另一晶体管配对的该底部S/D之副鳍片级金属布线层。具体实施例包括：鳍片配对，其形成于一基材上；一底部S/D层，其该基材上围绕该等鳍片而形成图案；顺应衬垫层，其形成于该基材之上；一ILD，其形成于一衬垫层之上；一金属布线层，其形成于该第一配对之间该衬垫层上以及至少该第二配对之间该底部S/D层上该等鳍片配对之间，其中一上方表面形成于该活性鳍片部分之下；一GAA，其形成于该介电隔板上围绕该第一配对的每一鳍片；以及一底部S/D接点xc或一专属xc，其分别形成于与该GAA相邻或穿透该GAA的该金属布线层上。

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