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1. 发明专利

TWI438776B 修補高容量／高頻寬記憶體器件的方法及裝置有权
简体标题：修补高容量／高带宽内存器件的方法及设备
公开(公告)号：TWI438776B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：TW098121258
申请日：2009-06-24
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：拉伯吉保羅A , LABERGE, PAUL A. , 傑德羅喬瑟夫M , JEDDELOH, JOSEPH M.
IPC分类号： G11C29/42
CPC分类号： G06F11/1092 , G06F11/08 , G06F11/1048 , G11C29/808 , H03M13/09

2. 发明专利

TWI426512B 使用堆疊式記憶體裝置晶塊之記憶體系統及方法以及使用該記憶體系統之系統有权
简体标题：使用堆栈式内存设备晶块之内存系统及方法以及使用该内存系统之系统
公开(公告)号：TWI426512B
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：TW098124606
申请日：2009-07-21
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：拉伯吉保羅A , LABERGE, PAUL A. , 傑德羅喬瑟夫M , JEDDELOH, JOSEPH M. , 強生詹姆士B , JOHNSON, JAMES B.
IPC分类号： G11C11/401
CPC分类号： G11C7/1072 , G06F12/00 , G11C5/02 , G11C7/1006 , G11C7/1012 , G11C7/1051 , G11C7/1069 , G11C7/1078 , G11C7/1096 , G11C7/222 , G11C11/401 , G11C11/4096 , G11C29/02 , G11C29/023 , G11C29/028 , G11C2207/107

3. 发明专利

TWI525446B 切換式介面堆積晶粒記憶體架構有权
简体标题：切换式界面堆积晶粒内存架构
公开(公告)号：TWI525446B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW098136343
申请日：2009-10-27
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：傑德羅喬M , JEDDELOH, JOE M. , 拉伯吉保羅A , LABERGE, PAUL A.
IPC分类号： G06F13/42 , G11C29/00
CPC分类号： G11C29/76 , G06F13/1668 , G06F13/4239 , G11C5/02 , G11C7/10 , G11C8/10 , G11C29/04 , Y02B70/123 , Y02B70/126 , Y02D10/14 , Y02D10/151

5. 发明专利

TWI492059B 多串列介面堆疊式晶粒記憶體架構有权
简体标题：多串行界面堆栈式晶粒内存架构
公开(公告)号：TWI492059B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW098137010
申请日：2009-10-30
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：傑德羅喬M , JEDDELOH, JOE M. , 拉伯吉保羅A , LABERGE, PAUL A.
IPC分类号： G06F13/14
CPC分类号： G06F13/1668 , G06F13/1684 , G06F13/4022 , G06F2213/16 , Y02D10/14 , Y02D10/151

6. 发明专利

TWI409815B 控制接收讀取資料時序之記憶體系統和方法有权
简体标题：控制接收读取数据时序之内存系统和方法
公开(公告)号：TWI409815B
公开(公告)日：2013-09-21
申请号：TW098114848
申请日：2009-05-05
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：拉伯吉保羅A , LABERGE, PAUL A. , 強生詹姆士B , JOHNSON, JAMES B.
IPC分类号： G11C11/406
CPC分类号： G06F3/0659 , G06F3/0604 , G06F3/0611 , G06F3/0629 , G06F3/0673 , G06F3/0689 , G06F5/06 , G06F13/1689 , G06F2003/0697 , G11C7/1051 , G11C7/222 , Y02D10/14

7. 发明专利

TW201009835A 使用堆疊式記憶體裝置晶塊之記憶體系統及方法以及使用該記憶體系統之系統 MEMORY SYSTEM AND METHOD USING STACKED MEMORY DEVICE DICE, AND SYSTEM USING THE MEMORY SYSTEM 审中-公开
简体标题：使用堆栈式内存设备晶块之内存系统及方法以及使用该内存系统之系统 MEMORY SYSTEM AND METHOD USING STACKED MEMORY DEVICE DICE, AND SYSTEM USING THE MEMORY SYSTEM
公开(公告)号：TW201009835A
公开(公告)日：2010-03-01
申请号：TW098124606
申请日：2009-07-21
申请人：美光科技公司
发明人：拉伯吉保羅A , 傑德羅喬瑟夫M , 強生詹姆士B
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C7/1072 , G06F12/00 , G11C5/02 , G11C7/1006 , G11C7/1012 , G11C7/1051 , G11C7/1069 , G11C7/1078 , G11C7/1096 , G11C7/222 , G11C11/401 , G11C11/4096 , G11C29/02 , G11C29/023 , G11C29/028 , G11C2207/107
摘要：本發明揭示一種使用彼此耦合且耦合至一邏輯晶塊之堆疊式記憶體裝置晶塊的記憶體系統及方法。該邏輯晶塊可包含一時序校正系統，其可運作以控制該邏輯晶塊自該等記憶體裝置晶塊中之每一者接收信號(例如讀取資料信號)的時序。該時序校正藉由調整應用於該等記憶體裝置晶塊中之每一者之相應選通信號(例如讀取選通信號)的時序來控制該讀取資料或其他信號的時序。該等記憶體裝置晶塊可在由其何時接收該等相應選通信號所確定之一時間將讀取資料傳輸至該記憶體裝置。調整該等選通信號中之每一者的時序，以在相同時間接收來自所有該等記憶體裝置晶塊之該讀取資料或其他信號。
简体摘要：本发明揭示一种使用彼此耦合且耦合至一逻辑晶块之堆栈式内存设备晶块的内存系统及方法。该逻辑晶块可包含一时序校正系统，其可运作以控制该逻辑晶块自该等内存设备晶块中之每一者接收信号(例如读取数据信号)的时序。该时序校正借由调整应用于该等内存设备晶块中之每一者之相应选通信号(例如读取选通信号)的时序来控制该读取数据或其他信号的时序。该等内存设备晶块可在由其何时接收该等相应选通信号所确定之一时间将读取数据传输至该内存设备。调整该等选通信号中之每一者的时序，以在相同时间接收来自所有该等内存设备晶块之该读取数据或其他信号。

8. 发明专利

TW201117019A 切換式介面堆積晶粒記憶體架構 SWITCHED INTERFACE STACKED-DIE MEMORY ARCHITECTURE 审中-公开
简体标题：切换式界面堆积晶粒内存架构 SWITCHED INTERFACE STACKED-DIE MEMORY ARCHITECTURE
公开(公告)号：TW201117019A
公开(公告)日：2011-05-16
申请号：TW098136343
申请日：2009-10-27
申请人：美光科技公司
发明人：傑德羅喬M , 拉伯吉保羅A
IPC分类号： G06F , G11C
CPC分类号： G11C29/76 , G06F13/1668 , G06F13/4239 , G11C5/02 , G11C7/10 , G11C8/10 , G11C29/04 , Y02B70/123 , Y02B70/126 , Y02D10/14 , Y02D10/151
摘要：本文中揭示系統及方法，該等系統及方法包含可接收包含一所請求記憶體位址之一記憶體請求且可在不知曉是否需要一修復位址之情況下將該記憶體請求直接發送至與一堆積晶粒記憶體儲存庫相關聯之一位址解碼器的彼等系統及方法。若對該記憶體請求之一隨後分析顯示需要一修復位址，則可中止對該所請求記憶體位址之一程序中解碼且起始對該修復位址之解碼。
简体摘要：本文中揭示系统及方法，该等系统及方法包含可接收包含一所请求内存位址之一内存请求且可在不知晓是否需要一修复位址之情况下将该内存请求直接发送至与一堆积晶粒内存存储库相关联之一位址译码器的彼等系统及方法。若对该内存请求之一随后分析显示需要一修复位址，则可中止对该所请求内存位址之一进程中译码且起始对该修复位址之译码。

9. 发明专利

TW201007749A 修補高容量／高頻寬記憶體器件的方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR REPAIRING HIGH CAPACITY/HIGH BANDWIDTH MEMORY DEVICES 审中-公开
简体标题：修补高容量／高带宽内存器件的方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR REPAIRING HIGH CAPACITY/HIGH BANDWIDTH MEMORY DEVICES
公开(公告)号：TW201007749A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：TW098121258
申请日：2009-06-24
申请人：美光科技公司
发明人：拉伯吉保羅A , 傑德羅喬瑟夫M
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G06F11/1092 , G06F11/08 , G06F11/1048 , G11C29/808 , H03M13/09
摘要：本發明揭示可包含借助直通矽導通體彼此連接之複數個經堆疊之記憶體器件晶粒及一邏輯晶粒之記憶體系統、系統及方法。一個此邏輯晶粒包含一產生對應於寫入資料之錯誤檢驗碼之錯誤碼產生器。該等錯誤檢驗碼儲存於該等記憶體器件晶粒中且隨後與自該等記憶體器件晶粒隨後讀取之資料產生之錯誤檢驗碼進行比較。在該等碼不匹配之情形下，可產生一錯誤信號。該邏輯晶粒可含有一記錄曾自其讀取該資料之位址之控制器。該控制器或記憶體存取器件可將存取重新指引至該等記憶體器件晶粒於該等所記錄位址處。該控制器亦可檢查導致產生錯誤信號之位址或資料以識別該等直通矽導通體中之故障。
简体摘要：本发明揭示可包含借助直通硅导通体彼此连接之复数个经堆栈之内存器件晶粒及一逻辑晶粒之内存系统、系统及方法。一个此逻辑晶粒包含一产生对应于写入数据之错误检验码之错误码产生器。该等错误检验码存储于该等内存器件晶粒中且随后与自该等内存器件晶粒随后读取之数据产生之错误检验码进行比较。在该等码不匹配之情形下，可产生一错误信号。该逻辑晶粒可含有一记录曾自其读取该数据之位址之控制器。该控制器或内存存取器件可将存取重新指引至该等内存器件晶粒于该等所记录位址处。该控制器亦可检查导致产生错误信号之位址或数据以识别该等直通硅导通体中之故障。

10. 发明专利

TW201027545A 堆疊裝置重新映射及修補 STACKED DEVICE REMAPPING AND REPAIR 审中-公开
简体标题：堆栈设备重新映射及修补 STACKED DEVICE REMAPPING AND REPAIR
公开(公告)号：TW201027545A
公开(公告)日：2010-07-16
申请号：TW098134008
申请日：2009-10-07
申请人：美光科技公司
发明人：基斯布蘭特 , 馬丁克里斯G , 曼寧卓依A , 傑德羅喬M , 克利斯堤摩西B , 瑞哈默吉姆 , 拉伯吉保羅A
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G06F12/08 , G06F12/10 , G11C5/025 , G11C29/04 , G11C29/18 , G11C29/76 , G11C29/78 , G11C29/808 , G11C29/812 , G11C29/883 , H01L2224/0554 , H01L2224/05573 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/17181 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要：本發明揭示各種實施例,其包括具有依一堆疊配置之多個晶粒之設備、系統及方法,其中一有缺陷的胞可由相同晶粒或一不同晶粒上之一備用胞替換。
简体摘要：本发明揭示各种实施例,其包括具有依一堆栈配置之多个晶粒之设备、系统及方法,其中一有缺陷的胞可由相同晶粒或一不同晶粒上之一备用胞替换。

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