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    • 2. 发明专利
    • 電子束裝置及電子束之位置偏移修正方法
    • 电子束设备及电子束之位置偏移修正方法
    • TW201830148A
    • 2018-08-16
    • TW106132876
    • 2017-09-26
    • 日商紐富來科技股份有限公司NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
    • 中山田憲昭NAKAYAMADA, NORIAKI
    • G03F7/20H01J37/06H01J37/147H01J37/302
    • 本發明之其中一個態樣之電子束裝置,其特徵為,係具備有:帶電量分布演算部,係使用將具有反曲點之第1指數函數和1次比例函數或者是收斂之第2指數函數中的至少其中一者之函數作了組合的依存於圖案密度之組合函數,來對於在將電子束照射至基板上的情況時之照射區域的帶電量分布進行演算;和位置偏移量演算部,係使用所得到的帶電量分布,來演算出起因於電子束之照射所形成的照射圖案之位置偏移量;和修正部,係使用位置偏移量,來對於照射位置進行修正;和柱體,係將電子束照射至被修正後的照射位置處。
    • 本发明之其中一个态样之电子束设备,其特征为,系具备有:带电量分布演算部,系使用将具有反曲点之第1指数函数和1次比例函数或者是收敛之第2指数函数中的至少其中一者之函数作了组合的依存于图案密度之组合函数,来对于在将电子束照射至基板上的情况时之照射区域的带电量分布进行演算;和位置偏移量演算部,系使用所得到的带电量分布,来演算出起因于电子束之照射所形成的照射图案之位置偏移量;和修正部,系使用位置偏移量,来对于照射位置进行修正;和柱体,系将电子束照射至被修正后的照射位置处。
    • 9. 发明专利
    • 荷電粒子束描繪裝置及荷電粒子束描繪方法
    • 荷电粒子束描绘设备及荷电粒子束描绘方法
    • TW201411291A
    • 2014-03-16
    • TW102115702
    • 2013-05-02
    • 紐富來科技股份有限公司NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
    • 中山田憲昭NAKAYAMADA, NORIAKI
    • G03F7/20H01J37/317H01L21/027
    • G03F7/2061B82Y10/00B82Y40/00G03F7/2059H01J37/3026H01J37/3174H01J2237/31776
    • 荷電粒子束描繪裝置具備:個數運算部,其係使用荷電粒子束之摻雜量和荷電粒子束之電流密度和荷電粒子束之發射間的穩定時間而被求出,且用以補正由於抗蝕劑過熱而產生的圖案尺寸變動之補正區劃區域之平均描繪時間,和用以計算由於來自較該補正區劃區域更前被描繪之其他的複數補正區劃區域之每一個補正區劃區域的導熱所產生的該補正區劃區域之溫度上升量的平均計算時間,和用以計算上述溫度上升量之計算機的並行度,而運算出用以使用以計算針對成為描繪對象之所有的補正區劃區域之上述溫度上升量的計算時間,不會超過用以描繪所有補正區劃區域之描繪時間的較計算上述溫度上升量之時所使用之該補正區劃區域更前被描繪之其他的複數補正區劃區域的個數;代表溫度算出部,其係對每個上述補正區劃區域,根據來自較該補正區劃區域更前被描繪之上述個數之其他的複數補正區劃區域之導熱,算出該補正區劃區域之代表溫度;照射量調變部,其係對每個上述補正區劃區域,輸入被照射至該補正區劃區域之照射量,並使用該補正區劃區域之代表溫度而調變被照射至該補正區劃區域之照射量;及描繪部,其係以被調變之照射量之荷電粒子束在該補正區劃區域內描繪圖案。
    • 荷电粒子束描绘设备具备:个数运算部,其系使用荷电粒子束之掺杂量和荷电粒子束之电流密度和荷电粒子束之发射间的稳定时间而被求出,且用以补正由于抗蚀剂过热而产生的图案尺寸变动之补正区划区域之平均描绘时间,和用以计算由于来自较该补正区划区域更前被描绘之其他的复数补正区划区域之每一个补正区划区域的导热所产生的该补正区划区域之温度上升量的平均计算时间,和用以计算上述温度上升量之计算机的并行度,而运算出用以使用以计算针对成为描绘对象之所有的补正区划区域之上述温度上升量的计算时间,不会超过用以描绘所有补正区划区域之描绘时间的较计算上述温度上升量之时所使用之该补正区划区域更前被描绘之其他的复数补正区划区域的个数;代表温度算出部,其系对每个上述补正区划区域,根据来自较该补正区划区域更前被描绘之上述个数之其他的复数补正区划区域之导热,算出该补正区划区域之代表温度;照射量调制部,其系对每个上述补正区划区域,输入被照射至该补正区划区域之照射量,并使用该补正区划区域之代表温度而调制被照射至该补正区划区域之照射量;及描绘部,其系以被调制之照射量之荷电粒子束在该补正区划区域内描绘图案。