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1. 发明专利

TW200305220A 成膜方法及使用該方法所製造的裝置以及裝置的製造方法审中-公开
简体标题：成膜方法及使用该方法所制造的设备以及设备的制造方法
公开(公告)号：TW200305220A
公开(公告)日：2003-10-16
申请号：TW092105519
申请日：2003-03-13
申请人：精工愛普生股份有限公司 SEIKO EPSON CORPORATION
发明人：森義明 , 宮川拓也 , 佐藤充 MITSURU SATO , 足助慎太郎 , 高木憲一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/3127 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/0272 , H01L21/0273 , H01L21/288 , H01L21/76838 , H01L27/1292
摘要：本發明的目的是在於提供一種刪減製造成本的遮罩形成方法。一種成膜方法，其係在被處理構件的表面形成特定圖案的保護膜的方法，其特徵在於：進行改善對於被處理構件的圖案材料溶液的密著性的工序(S178)；進行將圖案材料溶液填充於設在被處理構件表面的遮罩的圖案形成用凹部的工序(S180)；藉由處理圖案材料溶液，進行改善應形成的圖案保護膜的膜質的工序(S186)；去除附著於遮罩上的圖案材料溶液的工序(S188)；乾燥圖案材料溶液的工序(S190)；及退火處理圖案保護膜的工序(S196)。
简体摘要：本发明的目的是在于提供一种删减制造成本的遮罩形成方法。一种成膜方法，其系在被处理构件的表面形成特定图案的保护膜的方法，其特征在于：进行改善对于被处理构件的图案材料溶液的密着性的工序(S178)；进行将图案材料溶液填充于设在被处理构件表面的遮罩的图案形成用凹部的工序(S180)；借由处理图案材料溶液，进行改善应形成的图案保护膜的膜质的工序(S186)；去除附着于遮罩上的图案材料溶液的工序(S188)；干燥图案材料溶液的工序(S190)；及退火处理图案保护膜的工序(S196)。

2. 发明专利

TW200301507A 光罩形成方法,及利用該方法製造的半導體裝置,電路,顯示體模組,彩色濾光片及發光元件审中-公开
简体标题：光罩形成方法,及利用该方法制造的半导体设备,电路,显示体模块,彩色滤光片及发光组件
公开(公告)号：TW200301507A
公开(公告)日：2003-07-01
申请号：TW091135318
申请日：2002-12-05
申请人：精工愛普生股份有限公司 SEIKO EPSON CORPORATOIN
发明人：森義明 , 宮川拓也 , 佐藤充 MITSURU SATO , 足助慎太郎 , 高木憲一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76838 , C25D5/022 , C25D7/12 , H01L21/0272 , H01L21/0274 , H01L21/288 , H01L21/31127 , H01L21/31133
摘要：本發明的目的是在於提供一種能夠降低製造成本的光罩形成方法。亦即，為了能夠利用液狀的圖案材料來形成所期望的圖案，而於被處理構件的表面形成光罩之方法，其特徵是具有：在被處理構件表面的全體塗佈光阻劑之第1過程(S152)；及使塗佈後的光罩乾燥之第2過程(S154)；及利用光學微影蝕刻來去除圖案形成部份的光阻劑，而進行圖案形成之第3過程(S156)；及對光阻劑進行加熱處理之第4過程(S158)。
简体摘要：本发明的目的是在于提供一种能够降低制造成本的光罩形成方法。亦即，为了能够利用液状的图案材料来形成所期望的图案，而于被处理构件的表面形成光罩之方法，其特征是具有：在被处理构件表面的全体涂布光阻剂之第1过程(S152)；及使涂布后的光罩干燥之第2过程(S154)；及利用光学微影蚀刻来去除图案形成部份的光阻剂，而进行图案形成之第3过程(S156)；及对光阻剂进行加热处理之第4过程(S158)。

3. 发明专利

TW367536B 表面處理方法及其裝置失效
简体标题：表面处理方法及其设备
公开(公告)号：TW367536B
公开(公告)日：1999-08-21
申请号：TW085115628
申请日：1996-12-18
申请人：精工愛普生股份有限公司
发明人：宮川拓也 , 森義明 , 筒井匠司
IPC分类号： H01L
摘要：提供一種在無電漿損傷之狀態下能改質被處理體之表面的處理，而且被處理體之處理場所的自由度大的表面處理方法及其裝置。
為了提高工件１０之軟焊部分之濕潤性，首先將含有ＣＦ4 等之鹵素化合物的原料氣體導入至表面處理單元３０內之電漿產生部６０。此時，藉由載氣（除了Ｈｅ外）壓送也可以。在電漿產生部６０，以大氣壓下，藉由施加有０～５０ＫＨｚ之低頻率的交流電壓或直流電壓的電極激勵原料氣體並分解，產生反應性高之氟（Ｆ2）將含有氟（Ｆ2）之處理氣體接觸於工作，俾表面處理工件。此時，因未以壽命短之氟基作為主體施以處理，因此，工件之位置係可自由地設定。以空氣作為載氣時，則在分解原料氣體後使之混合，俾抑制產生臭氣。以含有水分之氣氛下實施鹵化合物之分解時，則有效地分解鹵化氫。
简体摘要：提供一种在无等离子损伤之状态下能改质被处理体之表面的处理，而且被处理体之处理场所的自由度大的表面处理方法及其设备。为了提高工件１０之软焊部分之湿润性，首先将含有ＣＦ4 等之卤素化合物的原料气体导入至表面处理单元３０内之等离子产生部６０。此时，借由载气（除了Ｈｅ外）压送也可以。在等离子产生部６０，以大气压下，借由施加有０～５０ＫＨｚ之低频率的交流电压或直流电压的电极激励原料气体并分解，产生反应性高之氟（Ｆ2）将含有氟（Ｆ2）之处理气体接触于工作，俾表面处理工件。此时，因未以寿命短之氟基作为主体施以处理，因此，工件之位置系可自由地设置。以空气作为载气时，则在分解原料气体后使之混合，俾抑制产生臭气。以含有水分之气氛下实施卤化合物之分解时，则有效地分解卤化氢。

4. 发明专利

TW554405B 圖案形成方法及裝置有权
简体标题：图案形成方法及设备
公开(公告)号：TW554405B
公开(公告)日：2003-09-21
申请号：TW090131739
申请日：2001-12-20
申请人：精工愛普生股份有限公司
发明人：森義明 , 宮川拓也 , 高木憲一 , 足助慎太郎 , 佐藤充
IPC分类号： H01L , G03F
CPC分类号： G03F7/7075 , H01L21/0272 , H01L21/0273 , H01L21/0274 , H01L21/288 , H01L21/32051 , H01L21/6715 , H01L21/76838 , H01L21/76885 , H05K3/048
摘要：圖案材供給部(300)具備使液狀圖案材(312)成霧狀的微粒子而噴霧的噴淋頭(310)。在噴淋頭(310)的下方配設有配置工件(20)的處理台(318)。工件(20)係配設有圖案形成用開口，在表面具有被排液處理的罩幕。工件(20)係中介處理台(318)藉由直流電源(328)被施加電壓，利用靜電引力吸引液狀圖案材(312)的微粒子。處理台(318)藉由旋轉將附著於罩幕表面的液狀圖案材填充於配設於罩幕的圖案形成用開口部，並且可藉由內藏的加熱器(326)加熱固化液狀圖案材。
简体摘要：图案材供给部(300)具备使液状图案材(312)成雾状的微粒子而喷雾的喷淋头(310)。在喷淋头(310)的下方配设有配置工件(20)的处理台(318)。工件(20)系配设有图案形成用开口，在表面具有被排液处理的罩幕。工件(20)系中介处理台(318)借由直流电源(328)被施加电压，利用静电引力吸引液状图案材(312)的微粒子。处理台(318)借由旋转将附着于罩幕表面的液状图案材填充于配设于罩幕的图案形成用开口部，并且可借由内藏的加热器(326)加热固化液状图案材。

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