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1. 发明专利

TWI512971B 絕緣閘雙極電晶體及其製造方法有权
简体标题：绝缘闸双极晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TWI512971B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW102134200
申请日：2013-09-24
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃智方 , HUANG, CHIH FANG , 黃宗義 , HUANG, TSUNG YI , 邱建維 , CHIU, CHIEN WEI , 楊宗諭 , YANG, TSUNG YU , 張庭輔 , CHANG, TING FU , 蕭琮介 , HSIAO, TSUNG CHIEH , 劉亞弦 , LIU, YA HSIEN , 彭柏瑾 , PENG, PO CHIN
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/66325 , H01L27/0722 , H01L29/1095 , H01L29/2003 , H01L29/201 , H01L29/42316 , H01L29/66462 , H01L29/7787

2. 发明专利

TWI481026B 高電子遷移率電晶體及其製造方法有权
简体标题：高电子迁移率晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TWI481026B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW101128367
申请日：2012-08-07
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃智方 , HUANG, CHIH FANG , 邱建維 , CHIU, CHIEN WEI , 張庭輔 , CHANG, TING FU , 楊宗諭 , YANG, TSUNG YU , 黃宗義 , HUANG, TSUNG YI
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/28

3. 发明专利

TW201407774A 高電子遷移率電晶體及其製造方法审中-公开
简体标题：高电子迁移率晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TW201407774A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW101128367
申请日：2012-08-07
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃智方 , HUANG, CHIH FANG , 邱建維 , CHIU, CHIEN WEI , 張庭輔 , CHANG, TING FU , 楊宗諭 , YANG, TSUNG YU , 黃宗義 , HUANG, TSUNG YI
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/28
摘要：本發明提出一種高電子遷移率電晶體(high electron mobility transistor,HEMT)及其製造方法。HEMT包含：半導體層，其具有半導體層能帶間隙；阻障層，形成於半導體層上，其具有阻障層能帶間隙；壓電層，形成於阻障層上，其具有壓電層能帶間隙，其中，壓電層能帶間隙、阻障層能帶間隙、與半導體層能帶間隙之間，相互間具有一部分相互重疊與另一部分相互不重疊；閘極，形成於壓電層上，用以接收閘極電壓，進而導通或不導通HEMT；以及源極與汲極，分別形成於閘極兩側；其中，於除壓電層下方外之半導體層與阻障層之至少一部份接面，形成二維電子雲(2-D electron gas,2DEG)，且該2DEG與源極及汲極電連接。
简体摘要：本发明提出一种高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)及其制造方法。HEMT包含：半导体层，其具有半导体层能带间隙；阻障层，形成于半导体层上，其具有阻障层能带间隙；压电层，形成于阻障层上，其具有压电层能带间隙，其中，压电层能带间隙、阻障层能带间隙、与半导体层能带间隙之间，相互间具有一部分相互重叠与另一部分相互不重叠；闸极，形成于压电层上，用以接收闸极电压，进而导通或不导通HEMT；以及源极与汲极，分别形成于闸极两侧；其中，于除压电层下方外之半导体层与阻障层之至少一部份接面，形成二维电子云(2-D electron gas,2DEG)，且该2DEG与源极及汲极电连接。

4. 发明专利

TW201405838A 蕭特基位障二極體及其製造方法审中-公开
简体标题：萧特基位障二极管及其制造方法
公开(公告)号：TW201405838A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW101125602
申请日：2012-07-17
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：邱建維 , CHIU, CHIEN WEI , 黃宗義 , HUANG, TSUNG YI , 黃智方 , HUANG, CHIH FANG , 楊宗諭 , YANG, TSUNG YU
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/328
摘要：本發明提出一種蕭特基位障二極體(Schottky barrier diode,SBD)及其製造方法。SBD形成於基板上，包含：形成於基板上之氮化鎵(gallium nitride,GaN)層；形成於GaN層上之氮化鋁鎵(aluminum gallium nitride,AlGaN)層；形成於AlGaN層上之絕緣層；形成於絕緣層上之陽極導電層，且部分陽極導電層與GaN層或AlGaN層，形成蕭特基接觸，且另一部分陽極導電層與AlGaN層間，由絕緣層隔開；以及形成於AlGaN層上之陰極導電層，並與AlGaN層間，形成歐姆接觸，且該陰極導電層與該陽極導電層不直接連接。
简体摘要：本发明提出一种萧特基位障二极管(Schottky barrier diode,SBD)及其制造方法。SBD形成于基板上，包含：形成于基板上之氮化镓(gallium nitride,GaN)层；形成于GaN层上之氮化铝镓(aluminum gallium nitride,AlGaN)层；形成于AlGaN层上之绝缘层；形成于绝缘层上之阳极导电层，且部分阳极导电层与GaN层或AlGaN层，形成萧特基接触，且另一部分阳极导电层与AlGaN层间，由绝缘层隔开；以及形成于AlGaN层上之阴极导电层，并与AlGaN层间，形成欧姆接触，且该阴极导电层与该阳极导电层不直接连接。

5. 发明专利

TW201423987A 高電子遷移率電晶體及其製造方法审中-公开
简体标题：高电子迁移率晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TW201423987A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW101145965
申请日：2012-12-07
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃智方 , HUANG, CHIH FANG , 彭柏瑾 , PENG, PO CHIN , 蕭琮介 , HSIAO, TSUNG CHIEH , 劉亞弦 , LIU, YA HSIEN , 張國城 , CHANG, KUO CHENG , 蘇宏德 , SU, HUNG DER , 邱建維 , CHIU, CHIEN WEI , 黃宗義 , HUANG, TSUNG YI , 楊宗諭 , YANG, TSUNG YU , 張庭輔 , CHANG, TING FU
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66462 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/66431 , H01L29/7789
摘要：本發明提出一種高電子遷移率電晶體(high electron mobility transistor,HEMT)及其製造方法。HEMT包含：基板、第一氮化鎵層、P型氮化鎵層、第二氮化鎵層、阻障層、閘極、源極與汲極。其中，第一氮化鎵層形成於基板上，由剖視圖視之，第一氮化鎵層具有階梯輪廓，且P型氮化鎵層形成於階梯輪廓之上階表面上，其具有增強側壁；第二氮化鎵層形成於P型氮化鎵層上，阻障層形成於第二氮化鎵層上，以使二維電子雲(2-D electron gas,2DEG)形成於阻障層與第二氮化鎵層間。閘極形成於增強側壁外，用以接收閘極電壓，進而導通或不導通HEMT。
简体摘要：本发明提出一种高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)及其制造方法。HEMT包含：基板、第一氮化镓层、P型氮化镓层、第二氮化镓层、阻障层、闸极、源极与汲极。其中，第一氮化镓层形成于基板上，由剖视图视之，第一氮化镓层具有阶梯轮廓，且P型氮化镓层形成于阶梯轮廓之上阶表面上，其具有增强侧壁；第二氮化镓层形成于P型氮化镓层上，阻障层形成于第二氮化镓层上，以使二维电子云(2-D electron gas,2DEG)形成于阻障层与第二氮化镓层间。闸极形成于增强侧壁外，用以接收闸极电压，进而导通或不导通HEMT。

6. 发明专利

TW201505189A 接面能障蕭特基二極體及其製造方法审中-公开
简体标题：接面能障萧特基二极管及其制造方法
公开(公告)号：TW201505189A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW102125659
申请日：2013-07-18
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃智方 , HUANG, CHIH FANG , 黃宗義 , HUANG, TSUNG YI , 邱建維 , CHIU, CHIEN WEI , 楊宗諭 , YANG, TSUNG YU , 張庭輔 , CHANG, TING FU , 蕭琮介 , HSIAO, TSUNG CHIEH , 劉亞弦 , LIU, YA HSIEN , 彭柏瑾 , PENG, PO CHIN
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/0619 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66212
摘要：本發明提出一種接面能障蕭特基(junction barrier Schottky,JBS)二極體及其製造方法。JBS二極體包含：N型氮化鎵(gallium nitride,GaN)基板，具有上表面；氮化鋁鎵(aluminum gallium nitride,AlGaN)阻障層，形成於上表面上；P型氮化鎵(gallium nitride,GaN)層，形成於氮化鋁鎵阻障層上；陽極導電層，形成於氮化鋁鎵阻障層上，且部分陽極導電層與氮化鋁鎵阻障層，形成蕭特基接觸；以及陰極導電層，形成於上表面上，並與N型氮化鎵基板間，形成歐姆接觸，且陰極導電層與陽極導電層不直接連接。
简体摘要：本发明提出一种接面能障萧特基(junction barrier Schottky,JBS)二极管及其制造方法。JBS二极管包含：N型氮化镓(gallium nitride,GaN)基板，具有上表面；氮化铝镓(aluminum gallium nitride,AlGaN)阻障层，形成于上表面上；P型氮化镓(gallium nitride,GaN)层，形成于氮化铝镓阻障层上；阳极导电层，形成于氮化铝镓阻障层上，且部分阳极导电层与氮化铝镓阻障层，形成萧特基接触；以及阴极导电层，形成于上表面上，并与N型氮化镓基板间，形成欧姆接触，且阴极导电层与阳极导电层不直接连接。

7. 发明专利

TWI513010B 接面能障蕭特基二極體及其製造方法有权
简体标题：接面能障萧特基二极管及其制造方法
公开(公告)号：TWI513010B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW102125659
申请日：2013-07-18
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃智方 , HUANG, CHIH FANG , 黃宗義 , HUANG, TSUNG YI , 邱建維 , CHIU, CHIEN WEI , 楊宗諭 , YANG, TSUNG YU , 張庭輔 , CHANG, TING FU , 蕭琮介 , HSIAO, TSUNG CHIEH , 劉亞弦 , LIU, YA HSIEN , 彭柏瑾 , PENG, PO CHIN
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/0619 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66212

8. 发明专利

TWI496285B 高電子遷移率電晶體及其製造方法有权
简体标题：高电子迁移率晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TWI496285B
公开(公告)日：2015-08-11
申请号：TW101145965
申请日：2012-12-07
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃智方 , HUANG, CHIH FANG , 彭柏瑾 , PENG, PO CHIN , 蕭琮介 , HSIAO, TSUNG CHIEH , 劉亞弦 , LIU, YA HSIEN , 張國城 , CHANG, KUO CHENG , 蘇宏德 , SU, HUNG DER , 邱建維 , CHIU, CHIEN WEI , 黃宗義 , HUANG, TSUNG YI , 楊宗諭 , YANG, TSUNG YU , 張庭輔 , CHANG, TING FU
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66462 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/66431 , H01L29/7789

9. 发明专利

TW201513340A 絕緣閘雙極電晶體及其製造方法审中-公开
简体标题：绝缘闸双极晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TW201513340A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW102134200
申请日：2013-09-24
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃智方 , HUANG, CHIH FANG , 黃宗義 , HUANG, TSUNG YI , 邱建維 , CHIU, CHIEN WEI , 楊宗諭 , YANG, TSUNG YU , 張庭輔 , CHANG, TING FU , 蕭琮介 , HSIAO, TSUNG CHIEH , 劉亞弦 , LIU, YA HSIEN , 彭柏瑾 , PENG, PO CHIN
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/66325 , H01L27/0722 , H01L29/1095 , H01L29/2003 , H01L29/201 , H01L29/42316 , H01L29/66462 , H01L29/7787
摘要：本發明提出一種絕緣閘雙極電晶體(insulated gate bipolar transistor,IGBT)及其製造方法。IGBT包含：氮化鎵(gallium nitride,GaN)基板，具有上表面；第一GaN層，具有第一導電型，形成於上表面上，且第一GaN層具有側壁，垂直於上表面；第三GaN層，具有與第一導電型相反之第二導電型或純質導電型，形成於第一GaN層上，且第三GaN層與GaN基板間，由第一GaN層隔開；閘極，形成於GaN基板上，且閘極具有側板，於橫向上，鄰近或鄰接於側壁，以控制通道；以及第三GaN層，具有第一導電型，形成於上表面上，且第三GaN層與第一GaN層之間，由閘極隔開。
简体摘要：本发明提出一种绝缘闸双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)及其制造方法。IGBT包含：氮化镓(gallium nitride,GaN)基板，具有上表面；第一GaN层，具有第一导电型，形成于上表面上，且第一GaN层具有侧壁，垂直于上表面；第三GaN层，具有与第一导电型相反之第二导电型或纯质导电型，形成于第一GaN层上，且第三GaN层与GaN基板间，由第一GaN层隔开；闸极，形成于GaN基板上，且闸极具有侧板，于横向上，邻近或邻接于侧壁，以控制信道；以及第三GaN层，具有第一导电型，形成于上表面上，且第三GaN层与第一GaN层之间，由闸极隔开。

10. 发明专利

TW201340335A 蕭特基位障二極體及其製造方法审中-公开
简体标题：萧特基位障二极管及其制造方法
公开(公告)号：TW201340335A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW101108988
申请日：2012-03-16
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃智方 , HUANG, CHIH FANG , 楊宗諭 , YANG, TSUNG YU , 張庭輔 , CHANG, TING FU , 黃宗義 , HUANG, TSUNG YI , 邱建維 , CHIU, CHIEN WEI
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/28
摘要：本發明提出一種蕭特基位障二極體(Schottky barrier diode,SBD)及其製造方法。SBD形成於基板上，包含：形成於基板上之氮化鎵(gallium nitride,GaN)層；形成於GaN層上之氮化鋁鎵(aluminum gallium nitride,AlGaN)層；形成於AlGaN層上之高功函數導電層，且高功函數導電層與AlGaN層間，形成第一蕭特基接觸；形成於AlGaN層上之低功函數導電層，且低功函數導電層與AlGaN層間，形成第二蕭特基接觸；以及形成於AlGaN層上之歐姆接觸導電層，並與AlGaN層間，形成歐姆接觸，且歐姆接觸導電層與高功函數導電層及低功函數導電層間，由絕緣層隔開。
简体摘要：本发明提出一种萧特基位障二极管(Schottky barrier diode,SBD)及其制造方法。SBD形成于基板上，包含：形成于基板上之氮化镓(gallium nitride,GaN)层；形成于GaN层上之氮化铝镓(aluminum gallium nitride,AlGaN)层；形成于AlGaN层上之高功函数导电层，且高功函数导电层与AlGaN层间，形成第一萧特基接触；形成于AlGaN层上之低功函数导电层，且低功函数导电层与AlGaN层间，形成第二萧特基接触；以及形成于AlGaN层上之欧姆接触导电层，并与AlGaN层间，形成欧姆接触，且欧姆接触导电层与高功函数导电层及低功函数导电层间，由绝缘层隔开。

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