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2. 发明专利

TW201631736A 多功能小型化表面黏著型電子元件及其製法审中-公开
简体标题：多功能小型化表面黏着型电子组件及其制法
公开(公告)号：TW201631736A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104105626
申请日：2015-02-17
申请人：立昌先進科技股份有限公司 , SFI ELECTRONICS TECHNOLOGY INC.
发明人：連清宏 , 黃興祥 , 黃興材 , 朱頡安 , 許鴻宗 , 陳逸偉 , 江榮峻
IPC分类号： H01L25/11
CPC分类号： H01L25/0655 , H01L21/561 , H01L23/3121 , H01L23/49805 , H01L23/49833 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/27312 , H01L2224/2732 , H01L2224/29294 , H01L2224/29311 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29364 , H01L2224/29369 , H01L2224/32145 , H01L2224/32227 , H01L2224/33181 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83801 , H01L2224/92 , H01L2224/97 , H01L2225/06551 , H01L2924/186 , H01L2224/83 , H01L2924/00014
摘要：一種表面黏著型電子元件的特點，為單顆元件具備多種不同使用功能，其關鍵技術包括使用具特殊結構的晶粒，這種晶粒的底部及頂部構成進行電性連接的正、負電極，所以多顆這種晶粒可經過電性串聯、電性並聯或電性串聯/並聯的組合組成一種晶粒模組，藉選擇具備不同使用功能的晶粒組合，所述晶粒模組及所製成的表面黏著型電子元件即具備多種不同使用功能；所述表面黏著型電子元件的有利優點，在於製程簡單、可減少必要零組件的使用數量、可有效地減少線路佈置的長度及降低雜訊的干擾。
简体摘要：一种表面黏着型电子组件的特点，为单颗组件具备多种不同使用功能，其关键技术包括使用具特殊结构的晶粒，这种晶粒的底部及顶部构成进行电性连接的正、负电极，所以多颗这种晶粒可经过电性串联、电性并联或电性串联/并联的组合组成一种晶粒模块，藉选择具备不同使用功能的晶粒组合，所述晶粒模块及所制成的表面黏着型电子组件即具备多种不同使用功能；所述表面黏着型电子组件的有利优点，在于制程简单、可减少必要零组件的使用数量、可有效地减少线路布置的长度及降低噪声的干扰。

3. 发明专利

TW201335107A 一種增進陶瓷粉體在漿料中穩定均勻分散的製漿方法审中-公开
简体标题：一种增进陶瓷粉体在浆料中稳定均匀分散的制浆方法
公开(公告)号：TW201335107A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW101106368
申请日：2012-02-24
申请人：立昌先進科技股份有限公司 , SFI ELECTRONICS TECHNOLOGY INC.
发明人：連清宏 , LIEN, CHING HOHN , 朱頡安 , ZHU, JIE-AN , 徐至賢 , XU, ZHI XIAN , 黃興祥 , HUANG, XING XIANG
IPC分类号： C04B35/632 , B01F3/12 , B28B17/02 , H01G4/12
摘要：一種增進陶瓷粉體在漿料中穩定均勻分散的製漿方法，涉及漿料中的陶瓷粉體的表面改性方法，將具極性的陶瓷粉體表面改性為非極性表面，與具非極性的膠液(包括溶劑及黏結劑等添加劑)的特性一致，有助於陶瓷粉體具有自行分散能力而穩定地分散於膠液中，在球磨設備的輔助下，無需添加大量膠液，即可製成分散性佳、穩定性高及低黏度的陶瓷粉漿料，因為滿足成型薄生胚工藝所要求的具備條件，可大幅提升積層陶瓷元件的性能。
简体摘要：一种增进陶瓷粉体在浆料中稳定均匀分散的制浆方法，涉及浆料中的陶瓷粉体的表面改性方法，将具极性的陶瓷粉体表面改性为非极性表面，与具非极性的胶液(包括溶剂及黏结剂等添加剂)的特性一致，有助于陶瓷粉体具有自行分散能力而稳定地分散于胶液中，在球磨设备的辅助下，无需添加大量胶液，即可制成分散性佳、稳定性高及低黏度的陶瓷粉浆料，因为满足成型薄生胚工艺所要求的具备条件，可大幅提升积层陶瓷组件的性能。

4. 发明专利

TW201812800A 一種提高多層貼片式變阻器通流面積的製法及其製得的變阻器元件审中-公开
简体标题：一种提高多层贴片式变阻器通流面积的制法及其制得的变阻器组件
公开(公告)号：TW201812800A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW105140694
申请日：2016-12-08
申请人：立昌先進科技股份有限公司 , SFI ELECTRONICS TECHNOLOGY INC.
发明人：連清宏 , LIEN, CHING HOHN , 朱頡安 , ZHU, JIE-AN , 徐志賢 , XU, ZHI XIAN , 方廷毅 , FANG, TING YI , 許鴻宗 , XU, HONG ZONG
IPC分类号： H01C17/00 , H01C7/112 , H01C7/18
CPC分类号： H01C17/06 , H01C1/14 , H01C7/1006 , H01C7/102 , H01C7/112 , H01C7/18 , H01C17/065 , H01C17/06546 , H01C17/281
摘要：一種多層貼片式變阻器的製法，在製程中，藉提高多層貼片式變阻器各面的表層阻抗，可以實現減薄多層貼片式變阻器的上蓋及下蓋的厚度以及減小內電極兩側的留邊寬度，從而可以實現增加內電極印次層數以及擴大單層內電極的通流面積，最終獲得提高多層貼片式變阻器通流面積的效果。
简体摘要：一种多层贴片式变阻器的制法，在制程中，藉提高多层贴片式变阻器各面的表层阻抗，可以实现减薄多层贴片式变阻器的上盖及下盖的厚度以及减小内电极两侧的留边宽度，从而可以实现增加内电极印次层数以及扩大单层内电极的通流面积，最终获得提高多层贴片式变阻器通流面积的效果。

5. 发明专利

TW201221501A 一種具純銀內電極的氧化鋅變阻器低溫燒結製法 PROCESS FOR PRODUCING ZNO VARISTOR PARTICULARLY HAVING INTERNAL ELECTRODE COMPOSED OF PURE SILVER AND SINTERED AT A LOWER SINTERING TERMPERATURE 审中-公开
简体标题：一种具纯银内电极的氧化锌变阻器低温烧结制法 PROCESS FOR PRODUCING ZNO VARISTOR PARTICULARLY HAVING INTERNAL ELECTRODE COMPOSED OF PURE SILVER AND SINTERED AT A LOWER SINTERING TERMPERATURE
公开(公告)号：TW201221501A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW099141024
申请日：2010-11-26
申请人：立昌先進科技股份有限公司
发明人：朱頡安 , 連清宏
IPC分类号： C04B , H01C
CPC分类号： H01C7/112 , H01C7/18
摘要：一種具低溫燒結特性的氧化鋅變阻器製法,適用於產製具純銀內電極的氧化鋅變阻器,包括將製備含摻雜離子成份的氧化鋅晶粒和製備用於包裹氧化鋅晶粒的燒結料分成二個獨立工序來製造,可以根據變阻器的性能要求,預先調配氧化鋅晶粒的摻雜成份和高阻抗燒結料的成份以及製備條件,最後按一定比例將兩者混合均勻,再按常規製程製成多層片式氧化鋅變阻器(MLV);這種製法在850℃左右燒結溫度下,可以製成具純銀內電極的多層片式氧化鋅變阻器,且大幅降低製造成本。
简体摘要：一种具低温烧结特性的氧化锌变阻器制法,适用于产制具纯银内电极的氧化锌变阻器,包括将制备含掺杂离子成份的氧化锌晶粒和制备用于包裹氧化锌晶粒的烧结料分成二个独立工序来制造,可以根据变阻器的性能要求,预先调配氧化锌晶粒的掺杂成份和高阻抗烧结料的成份以及制备条件,最后按一定比例将两者混合均匀,再按常规制程制成多层片式氧化锌变阻器(MLV);这种制法在850℃左右烧结温度下,可以制成具纯银内电极的多层片式氧化锌变阻器,且大幅降低制造成本。

6. 发明专利

TWI409829B 一種高溫使用的氧化鋅突波吸收器有权
简体标题：一种高温使用的氧化锌突波吸收器
公开(公告)号：TWI409829B
公开(公告)日：2013-09-21
申请号：TW099146963
申请日：2010-12-30
申请人：立昌先進科技股份有限公司 , SFI ELECTRONICS TECHNOLOGY INC.
发明人：連清宏 , LIEN, CHING HOHN , 朱頡安 , ZHU, JIE-AN , 徐至賢 , XU, ZHI XIAN , 黃興祥 , HUANG, XING XIANG , 方廷毅 , FANG, TING YI
IPC分类号： H01C7/112 , H01C7/12 , H01C7/02
CPC分类号： H01C7/112 , H01C7/10 , H01C7/12

8. 发明专利

TWI318412B 積層突波吸收器材料配方組成及使用這種材料的積層突波吸收器及其製法 THE COMPOSITION OF ZINC OXIDE MULTILAYER VARISTORS AND ZINC OXIDE MULTILAYER VARISTORS MADE OF THE SAME AND ITS MANUFACTURING PROCESS 有权
简体标题：积层突波吸收器材料配方组成及使用这种材料的积层突波吸收器及其制法 THE COMPOSITION OF ZINC OXIDE MULTILAYER VARISTORS AND ZINC OXIDE MULTILAYER VARISTORS MADE OF THE SAME AND ITS MANUFACTURING PROCESS
公开(公告)号：TWI318412B
公开(公告)日：2009-12-11
申请号：TW095118129
申请日：2006-05-19
申请人：立昌先進科技股份有限公司
发明人：林居南 , 朱頡安 , 章麗雲 , 連清宏
IPC分类号： H01C
摘要：一種提高積層突波吸收器突波耐量及降低壓比比值的材料配方組成：氧化鋅中添加最多20mol%添加劑，其中第一添加劑為SeO3或TeO3；第二添加劑為Bi2O3，第三添加劑為Co3O4、MnO2、Cr2O3、Sb2O3或NiO的其中一種或其任意組合，第四添加劑為Pr6O11、La2O3、Ce2O3、Tb2O3、Nd2O3、B2O3、SiO2、Al(NO3)3、Ti2O3、WO3、SnO、Na2O或K2O的其中一種或其任意組合。元件添加0.01~3mol% SeO3或TeO3可以提高元件的突波吸收器突波耐量及降低壓比比值。又經由控制漿料的黏度及括刀厚度大小，可以調整元件的崩潰電壓範圍。 A multilayer zinc oxide varistor with Selenium oxide or Tel1 urium oxide system ingredients, and having variable breakdown voltages by controlling the thickness of the ceramic material. Those zinc oxide based varistor exhibits an excellent surge withstanding characteristic and clamping ratio. The varistor is composed of zinc oxide as the primary constituent, with SeO3 or TeO3 as first additive, at least Bi2O3 as second additives. At least one of Co3O4、MnO2、Cr2O3、Sb2O3 or NiO as third additives, and at least one of Pr6O11、La2O3、Ce2O3、Tb2O3、Nd2O3、B2O3、siO2、Al(NO3)3、Ti2O3、WO3、SnO、Na2O or K2O as rest additives.
简体摘要：一种提高积层突波吸收器突波耐量及降低压比比值的材料配方组成：氧化锌中添加最多20mol%添加剂，其中第一添加剂为SeO3或TeO3；第二添加剂为Bi2O3，第三添加剂为Co3O4、MnO2、Cr2O3、Sb2O3或NiO的其中一种或其任意组合，第四添加剂为Pr6O11、La2O3、Ce2O3、Tb2O3、Nd2O3、B2O3、SiO2、Al(NO3)3、Ti2O3、WO3、SnO、Na2O或K2O的其中一种或其任意组合。组件添加0.01~3mol% SeO3或TeO3可以提高组件的突波吸收器突波耐量及降低压比比值。又经由控制浆料的黏度及括刀厚度大小，可以调整组件的崩溃电压范围。 A multilayer zinc oxide varistor with Selenium oxide or Tel1 urium oxide system ingredients, and having variable breakdown voltages by controlling the thickness of the ceramic material. Those zinc oxide based varistor exhibits an excellent surge withstanding characteristic and clamping ratio. The varistor is composed of zinc oxide as the primary constituent, with SeO3 or TeO3 as first additive, at least Bi2O3 as second additives. At least one of Co3O4、MnO2、Cr2O3、Sb2O3 or NiO as third additives, and at least one of Pr6O11、La2O3、Ce2O3、Tb2O3、Nd2O3、B2O3、siO2、Al(NO3)3、Ti2O3、WO3、SnO、Na2O or K2O as rest additives.

9. 发明专利

TWI667667B 一種提高多層貼片式變阻器通流面積的製法及其製得的變阻器元件有权
简体标题：一种提高多层贴片式变阻器通流面积的制法及其制得的变阻器组件
公开(公告)号：TWI667667B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW105140694
申请日：2016-12-08
申请人：立昌先進科技股份有限公司 , SFI ELECTRONICS TECHNOLOGY INC.
发明人：連清宏 , LIEN, CHING HOHN , 朱頡安 , ZHU, JIE-AN , 徐志賢 , XU, ZHI XIAN , 方廷毅 , FANG, TING YI , 許鴻宗 , XU, HONG ZONG
IPC分类号： H01C17/00 , H01C7/112 , H01C7/18

10. 发明专利

TWI425531B 內外層不同成分之低電容積層型晶片變阻器有权
简体标题：内外层不同成分之低电容积层型芯片变阻器
公开(公告)号：TWI425531B
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW098140442
申请日：2009-11-26
申请人：立昌先進科技股份有限公司 , SFI ELECTRONICS TECHNOLOGY INC.
发明人：連清宏 , LIEN, CHING HOHN , 朱頡安 , ZHU, JIE-AN , 郭政宗 , KUO, CHENG TSUNG , 林居南 , LIN, JIU NAN , 黃興光 , HUANG, XING GUANG , 章麗雲 , ZHANG, LI-YUN , 連偉成 , LIEN, WEI CHENG
IPC分类号： H01C10/00 , H01C7/20

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