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1. 发明专利

TW201412555A 太陽電池模組用填充片、太陽電池密封片、及太陽電池模組之製造方法审中-公开
简体标题：太阳电池模块用填充片、太阳电池密封片、及太阳电池模块之制造方法
公开(公告)号：TW201412555A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW101135742
申请日：2012-09-27
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：八木一成 , YAGI, KAZUNARI , 飛鳥政宏 , ASUKA, MASAHIRO , 平池宏至 , HIRAIKE, HIROSHI , 石居正裕 , ISHII, MASAHIRO , 國廣良隆 , KUNIHIRO, YOSHITAKA , 上之町清巳 , UENOMACHI, KIYOMI , 郭嘉謨 , GUO, JIAMO
IPC分类号： B32B7/12 , B32B27/30 , C09J7/02 , H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：本發明之目的在於提供一種與太陽電池元件之接著性、耐久性及耐熱性優異，且利用真空層疊法或輥對輥法均可高效率地製造太陽電池模組之太陽電池模組用填充片。本發明係一種太陽電池模組用填充片：其係於中間層之兩面具有接著劑層，且上述中間層係由熔點為90~130℃且熔體質量流率為0.5~20 g/10分鐘之低密度聚乙烯樹脂、或熔點為90~130℃且熔體質量流率為0.5~20 g/10分鐘之直鏈狀低密度聚乙烯樹脂構成，上述接著劑層係由選自由酸改質聚烯烴、矽烷改質聚烯烴、離子聚合物、及乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物所組成之群中之至少1種之熱塑性樹脂構成，且上述接著劑層與中間層之厚度比(接著劑層/中間層)為20/80~70/30。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种与太阳电池组件之接着性、耐久性及耐热性优异，且利用真空层叠法或辊对辊法均可高效率地制造太阳电池模块之太阳电池模块用填充片。本发明系一种太阳电池模块用填充片：其系于中间层之两面具有接着剂层，且上述中间层系由熔点为90~130℃且熔体质量流率为0.5~20 g/10分钟之低密度聚乙烯树脂、或熔点为90~130℃且熔体质量流率为0.5~20 g/10分钟之直链状低密度聚乙烯树脂构成，上述接着剂层系由选自由酸改质聚烯烃、硅烷改质聚烯烃、离子聚合物、及乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物所组成之群中之至少1种之热塑性树脂构成，且上述接着剂层与中间层之厚度比(接着剂层/中间层)为20/80~70/30。

2. 发明专利

TWI391447B 光半導體裝置用密封劑及光半導體裝置失效
简体标题：光半导体设备用密封剂及光半导体设备
公开(公告)号：TWI391447B
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW100109977
申请日：2011-03-23
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：谷川滿 , TANIKAWA, MITSURU , 渡邊貴志 , WATANABE, TAKASHI , 森口慎太郎 , MORIGUCHI, SHINTARO , 乾靖 , INUI, OSAMU , 國廣良隆 , KUNIHIRO, YOSHITAKA , 山崎亮介 , YAMAZAKI, RYOSUKE , 沖阿由子 , OKI, AYUKO , 家田泰享 , IEDA, YASUYUKI , 金千鶴 , KIMU, CHIZURU , 小林祐輔 , KOBAYASHI, YUSUKE
IPC分类号： C08L83/04 , C08L83/05 , H01L33/56
CPC分类号： H01L23/296 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08G77/52 , C08G77/80 , C08L83/04 , C08L83/14 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00

3. 发明专利

TWI513740B 光半導體裝置用密封劑及使用其之光半導體裝置有权
简体标题：光半导体设备用密封剂及使用其之光半导体设备
公开(公告)号：TWI513740B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW100134637
申请日：2011-09-26
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：谷川滿 , TANIKAWA, MITSURU , 渡邊貴志 , WATANABE, TAKASHI , 乾靖 , INUI, OSAMU , 國廣良隆 , KUNIHIRO, YOSHITAKA , 山崎亮介 , YAMAZAKI, RYOSUKE , 小林祐輔 , KOBAYASHI, YUSUKE
IPC分类号： C08G77/48 , C08G77/50 , H01L23/29
CPC分类号： C08K5/04 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08G77/80 , C08K5/0091 , C08K5/057 , C08K5/5419 , C08K5/5425 , C08K5/5435 , C08K5/56 , C08L83/00 , C08L83/04 , C09K3/1018 , H01L23/296 , H01L33/501 , H01L33/52 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00

4. 发明专利

TW201313831A 光半導體裝置用密封劑及光半導體裝置审中-公开
简体标题：光半导体设备用密封剂及光半导体设备
公开(公告)号：TW201313831A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101125439
申请日：2012-07-13
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：山崎亮介 , YAMAZAKI, RYOSUKE , 谷川滿 , TANIKAWA, MITSURU , 渡邊貴志 , WATANABE, TAKASHI , 乾靖 , INUI, OSAMU , 國廣良隆 , KUNIHIRO, YOSHITAKA , 金千鶴 , KIMU, CHIZURU , 小林祐輔 , KOBAYASHI, YUSUKE , 保井秀文 , YASUI, HIDEFUMI , 末崎穰 , SUEZAKI, MINORU , 日下康成 , KUSAKA, YASUNARI , 山田佑 , YAMADA, TASUKU
IPC分类号： C08L83/07 , C08L83/14 , H01L33/56
CPC分类号： H01L33/56 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08G77/70 , C08K5/56 , C08L83/04 , C08L83/00
摘要：本發明提供一種可抑制硬化物之表面之黏性、且可提高硬化物之耐熱性及冷熱循環特性之光半導體裝置用密封劑。本發明之光半導體裝置用密封劑含有以式(1A)或式(1B)表示且具有烯基及鍵結於矽原子之甲基的第1有機聚矽氧烷、以式(51A)或式(51B)表示且具有鍵結於矽原子之氫原子及鍵結於矽原子之甲基的第2有機聚矽氧烷、及矽氫化反應用觸媒。上述第1、第2有機聚矽氧烷中之鍵結於矽原子之甲基的含有比率分別為80莫耳%以上。[化1] (R1R2R3SiO1／2)a(R4R5SiO2／2)b(R6SiO3／2)c...式(1A) (R1R2R3SiO1／2)a(R4R5SiO1／2)b(R6SiO3／2)c...式(1B) (R51R52R53SiO1／2)p(R54R55SiO2／2)q(R56SiO3／2)r...式(51A) (R51R52R53SiO1／2)p(R54R55SiO2／2)q(R56SiO3／2)r...式(51B)
简体摘要：本发明提供一种可抑制硬化物之表面之黏性、且可提高硬化物之耐热性及冷热循环特性之光半导体设备用密封剂。本发明之光半导体设备用密封剂含有以式(1A)或式(1B)表示且具有烯基及键结于硅原子之甲基的第1有机聚硅氧烷、以式(51A)或式(51B)表示且具有键结于硅原子之氢原子及键结于硅原子之甲基的第2有机聚硅氧烷、及硅氢化反应用触媒。上述第1、第2有机聚硅氧烷中之键结于硅原子之甲基的含有比率分别为80莫耳%以上。[化1] (R1R2R3SiO1／2)a(R4R5SiO2／2)b(R6SiO3／2)c...式(1A) (R1R2R3SiO1／2)a(R4R5SiO1／2)b(R6SiO3／2)c...式(1B) (R51R52R53SiO1／2)p(R54R55SiO2／2)q(R56SiO3／2)r...式(51A) (R51R52R53SiO1／2)p(R54R55SiO2／2)q(R56SiO3／2)r...式(51B)

5. 发明专利

TW201420592A 太陽電池模組用塡充材片及太陽電池模組之製造方法审中-公开
简体标题：太阳电池模块用填充材片及太阳电池模块之制造方法
公开(公告)号：TW201420592A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102135501
申请日：2013-10-01
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：石居正裕 , ISHII, MASAHIRO , 平池宏至 , HIRAIKE, HIROSHI , 八木一成 , YAGI, KAZUNARI , 野本博之 , NOMOTO, HIROYUKI , 中楯順一 , NAKADATE, JUNICHI , 飛鳥政宏 , ASUKA, MASAHIRO , 上之町清巳 , UENOMACHI, KIYOMI , 郭嘉謨 , GUO, JIAMO , 國廣良隆 , KUNIHIRO, YOSHITAKA
IPC分类号： C07F7/18
CPC分类号： C08K5/5435 , C08L23/06 , C08L51/06 , C08L2203/204 , H01L31/0481 , Y02E10/50
摘要：本發明係一種太陽電池模組用填充材片，其含有α-烯烴含量為1~25重量%之α-烯烴-乙烯共聚物經順丁烯二酸酐接枝改質且順丁烯二酸酐之總含量為0.1~3重量%的順丁烯二酸酐改質烯烴系樹脂100重量份、低密度聚乙烯樹脂或直鏈狀低密度聚乙烯樹脂100~400重量份、及下述通式(I)所表示之具有環氧基之矽烷化合物0.1~3.0重量份。式(I)中，R1表示3-環氧丙氧基丙基(3-glycidoxy propyl)或2-(3,4-環氧環己基)乙基，R2表示碳數1~3之烷基，R3表示碳數1~3之烷基，且n為0或1。
简体摘要：本发明系一种太阳电池模块用填充材片，其含有α-烯烃含量为1~25重量%之α-烯烃-乙烯共聚物经顺丁烯二酸酐接枝改质且顺丁烯二酸酐之总含量为0.1~3重量%的顺丁烯二酸酐改质烯烃系树脂100重量份、低密度聚乙烯树脂或直链状低密度聚乙烯树脂100~400重量份、及下述通式(I)所表示之具有环氧基之硅烷化合物0.1~3.0重量份。式(I)中，R1表示3-环氧丙氧基丙基(3-glycidoxy propyl)或2-(3,4-环氧环己基)乙基，R2表示碳数1~3之烷基，R3表示碳数1~3之烷基，且n为0或1。

6. 发明专利

TW201319169A 光半導體裝置用硬化性組合物审中-公开
简体标题：光半导体设备用硬化性组合物
公开(公告)号：TW201319169A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101132843
申请日：2012-09-07
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：末崎穰 , SUEZAKI, MINORU , 日下康成 , KUSAKA, YASUNARI , 保井秀文 , YASUI, HIDEFUMI , 山崎亮介 , YAMAZAKI, RYOSUKE , 國廣良隆 , KUNIHIRO, YOSHITAKA , 谷川滿 , TANIKAWA, MITSURU , 渡邊貴志 , WATANABE, TAKASHI , 乾靖 , INUI, OSAMU , 金千鶴 , KIMU, CHIZURU , 山田佑 , YAMADA, TASUKU , 小林祐輔 , KOBAYASHI, YUSUKE
IPC分类号： C08L83/05 , C08L83/07 , C08K5/5455 , H01L33/00
CPC分类号： C08L83/04 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08K5/5455 , C08K5/5465 , C08K5/56 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , C08L83/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種即便將光半導體裝置於高溫高濕下之嚴酷環境下使用，亦可抑制硬化性組合物硬化而成之硬化物自接著對象物之剝離，進而可使光半導體裝置用硬化性組合物之適用期變得良好的光半導體裝置用硬化性組合物。本發明之光半導體裝置用硬化性組合物含有具有2個以上之烯基的第1有機聚矽氧烷、具有2個以上之鍵結於矽原子之氫原子的第2有機聚矽氧烷、矽氫化反應用觸媒、及具有脲基或異氰酸酯基的第1矽烷化合物。
简体摘要：本发明提供一种即便将光半导体设备于高温高湿下之严酷环境下使用，亦可抑制硬化性组合物硬化而成之硬化物自接着对象物之剥离，进而可使光半导体设备用硬化性组合物之适用期变得良好的光半导体设备用硬化性组合物。本发明之光半导体设备用硬化性组合物含有具有2个以上之烯基的第1有机聚硅氧烷、具有2个以上之键结于硅原子之氢原子的第2有机聚硅氧烷、硅氢化反应用触媒、及具有脲基或异氰酸酯基的第1硅烷化合物。

7. 发明专利

TW201043663A 光半導體裝置用密封劑及使用其之光半導體裝置审中-公开
简体标题：光半导体设备用密封剂及使用其之光半导体设备
公开(公告)号：TW201043663A
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：TW099105401
申请日：2010-02-24
申请人：積水化學工業股份有限公司
发明人：谷川滿 , 渡邊貴志 , 國廣良隆 , 乾靖 , 山崎亮介
IPC分类号： C08L , H01L
CPC分类号： C08G59/306 , C08G59/3254 , C08K5/1539 , C08K2201/008 , C08L83/04 , H01L33/56 , C08L83/00
摘要：本發明提供一種光半導體裝置用密封劑,其對腐蝕性氣體具有高阻氣性,即使於嚴苛環境下使用亦不易發生龜裂或剝離。本發明之光半導體裝置用密封劑包含具有含環狀醚之基之聚矽氧樹脂、及可與含環狀醚之基反應之熱硬化劑。上述聚矽氧樹脂包括具有苯基且平均組成式以下述式(1)所表示之樹脂、及含有以下述式(12)所表示之具有伸苯基之結構單元的樹脂中至少一種樹脂。以下述式(1)所示樹脂之苯基的含有比率為15莫耳%以上、60莫耳%以下。含有以下述式(12)所示具有伸苯基之結構單元的樹脂之全部結構單元100莫耳%中,包含以下述式(12)所示具有伸苯基之結構單元3莫耳%以上、40莫耳%以下。[化1](R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c ...式(1)
简体摘要：本发明提供一种光半导体设备用密封剂,其对腐蚀性气体具有高阻气性,即使于严苛环境下使用亦不易发生龟裂或剥离。本发明之光半导体设备用密封剂包含具有含环状醚之基之聚硅氧树脂、及可与含环状醚之基反应之热硬化剂。上述聚硅氧树脂包括具有苯基且平均组成式以下述式(1)所表示之树脂、及含有以下述式(12)所表示之具有伸苯基之结构单元的树脂中至少一种树脂。以下述式(1)所示树脂之苯基的含有比率为15莫耳%以上、60莫耳%以下。含有以下述式(12)所示具有伸苯基之结构单元的树脂之全部结构单元100莫耳%中,包含以下述式(12)所示具有伸苯基之结构单元3莫耳%以上、40莫耳%以下。[化1](R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c ...式(1)

8. 发明专利

TW201247784A 光半導體裝置用密封劑及光半導體裝置审中-公开
简体标题：光半导体设备用密封剂及光半导体设备
公开(公告)号：TW201247784A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW101113658
申请日：2012-04-17
申请人：積水化學工業股份有限公司
发明人：谷川滿 , 山崎亮介 , 渡邊貴志 , 乾靖 , 國廣良隆 , 家田泰享 , 金千鶴 , 山田佑 , 小林祐輔
IPC分类号： C08L , H01L
CPC分类号： H01L23/296 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08G77/80 , C08L83/04 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種硬化性優異且保存穩定性優異，進而硬化之密封劑之耐熱性較高的光半導體裝置用密封劑。本發明之光半導體裝置用密封劑含有：由下述式(1A)所表示且具有芳基及烯基之第1有機聚矽氧烷，由下述式(51)表示且具有芳基及鍵結於矽原子上之氫原子的第2有機聚矽氧烷，及矽氫化反應用觸媒。上述第1有機聚矽氧烷及上述第2有機聚矽氧烷中之芳基之含有比率分別為30莫耳%以上、70莫耳%以下。[化1] (R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b…式(1A) (R51R52R53SiO1/2)p(R54R55SiO2/2)q(R56SiO3/2)r…式(51)
简体摘要：本发明提供一种硬化性优异且保存稳定性优异，进而硬化之密封剂之耐热性较高的光半导体设备用密封剂。本发明之光半导体设备用密封剂含有：由下述式(1A)所表示且具有芳基及烯基之第1有机聚硅氧烷，由下述式(51)表示且具有芳基及键结于硅原子上之氢原子的第2有机聚硅氧烷，及硅氢化反应用触媒。上述第1有机聚硅氧烷及上述第2有机聚硅氧烷中之芳基之含有比率分别为30莫耳%以上、70莫耳%以下。[化1] (R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b…式(1A) (R51R52R53SiO1/2)p(R54R55SiO2/2)q(R56SiO3/2)r…式(51)

9. 发明专利

TW201139562A 光半導體裝置用密封劑及光半導體裝置失效
简体标题：光半导体设备用密封剂及光半导体设备
公开(公告)号：TW201139562A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW100109977
申请日：2011-03-23
申请人：積水化學工業股份有限公司
发明人：谷川滿 , 渡邊貴志 , 森口慎太郎 , 乾靖 , 國廣良隆 , 山崎亮介 , 沖阿由子 , 家田泰享 , 金千鶴 , 小林祐輔
IPC分类号： C08L , H01L
CPC分类号： H01L23/296 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08G77/52 , C08G77/80 , C08L83/04 , C08L83/14 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種對腐蝕性氣體具有較高之阻氣性、即便於嚴酷環境下使用亦不易產生裂縫或剝離之光半導體裝置用密封劑。本發明之光半導體裝置用密封劑含有：第1聚矽氧樹脂成分，其係式(1A)所示、不具有鍵結於矽原子之氫原子、且具有芳基與烯基之第1聚矽氧樹脂A，及式(1B)所示、不具有鍵結於矽原子之氫原子、且具有芳基與烯基之第1聚矽氧樹脂B中的至少一種；第2聚矽氧樹脂成分，其係式(51A)所示、且具有芳基與直接鍵結於矽原子之氫原子之第2聚矽氧樹脂A，及式(51B)所示、且具有芳基與直接鍵結於矽原子之氫原子之第2聚矽氧樹脂B中的至少一種；以及矽氫化反應用觸媒。
简体摘要：本发明提供一种对腐蚀性气体具有较高之阻气性、即便于严酷环境下使用亦不易产生裂缝或剥离之光半导体设备用密封剂。本发明之光半导体设备用密封剂含有：第1聚硅氧树脂成分，其系式(1A)所示、不具有键结于硅原子之氢原子、且具有芳基与烯基之第1聚硅氧树脂A，及式(1B)所示、不具有键结于硅原子之氢原子、且具有芳基与烯基之第1聚硅氧树脂B中的至少一种；第2聚硅氧树脂成分，其系式(51A)所示、且具有芳基与直接键结于硅原子之氢原子之第2聚硅氧树脂A，及式(51B)所示、且具有芳基与直接键结于硅原子之氢原子之第2聚硅氧树脂B中的至少一种；以及硅氢化反应用触媒。

10. 发明专利

TW201219455A 光半導體裝置用密封劑及使用其之光半導體裝置审中-公开
简体标题：光半导体设备用密封剂及使用其之光半导体设备
公开(公告)号：TW201219455A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：TW100134637
申请日：2011-09-26
申请人：積水化學工業股份有限公司
发明人：谷川滿 , 渡邊貴志 , 乾靖 , 國廣良隆 , 山崎亮介 , 小林祐輔
IPC分类号： C08G , H01L
CPC分类号： C08K5/04 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08G77/80 , C08K5/0091 , C08K5/057 , C08K5/5419 , C08K5/5425 , C08K5/5435 , C08K5/56 , C08L83/00 , C08L83/04 , C09K3/1018 , H01L23/296 , H01L33/501 , H01L33/52 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
摘要：本發明係提供一種於外殼內封裝光半導體裝置時，可提高外殼與密封劑之密著性，且可提高對濕度之黏著可靠性的光半導體裝置用密封劑。本發明之光半導體裝置用密封劑含有：不具有與矽原子鍵結之氫原子，且具有與矽原子鍵結之烯基及與矽原子鍵結之芳基的第1有機聚矽氧烷；具有與矽原子鍵結之氫原子及與矽原子鍵結之芳基的第2有機聚矽氧烷；矽氫化反應用觸媒；以及具有鈦原子之有機化合物。
简体摘要：本发明系提供一种于外壳内封装光半导体设备时，可提高外壳与密封剂之密着性，且可提高对湿度之黏着可靠性的光半导体设备用密封剂。本发明之光半导体设备用密封剂含有：不具有与硅原子键结之氢原子，且具有与硅原子键结之烯基及与硅原子键结之芳基的第1有机聚硅氧烷；具有与硅原子键结之氢原子及与硅原子键结之芳基的第2有机聚硅氧烷；硅氢化反应用触媒；以及具有钛原子之有机化合物。

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