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1. 发明专利

TW201615796A 矽晶圓研磨用組成物审中-公开
简体标题：硅晶圆研磨用组成物
公开(公告)号：TW201615796A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW104120344
申请日：2015-06-24
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：土屋公亮 , TSUCHIYA, KOHSUKE , 丹所久典 , TANSHO, HISANORI , 須賀裕介 , SUGA, YUSUKE
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/302
CPC分类号： C09G1/02 , B24B37/00 , B24B37/044 , B24B37/24 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/02021 , H01L21/02024 , H01L21/02052 , H01L21/30625
摘要：本發明提供一種濁度之減低性能優異，且凝聚性低之矽晶圓研磨用組成物。本文提供之矽晶圓研磨用組成物包含含醯胺基之聚合物A與不含醯胺基之有機化合物B。含醯胺基之聚合物A於主鏈上具有源自以下述通式(1)表示之單體之構成單位S。且，含醯胺基之聚合物A之分子量MA與有機化合物B之分子量MB之關係滿足下式：200≦MB
简体摘要：本发明提供一种浊度之减低性能优异，且凝聚性低之硅晶圆研磨用组成物。本文提供之硅晶圆研磨用组成物包含含酰胺基之聚合物A与不含酰胺基之有机化合物B。含酰胺基之聚合物A于主链上具有源自以下述通式(1)表示之单体之构成单位S。且，含酰胺基之聚合物A之分子量MA与有机化合物B之分子量MB之关系满足下式：200≦MB

2. 发明专利

TWI650410B 矽晶圓硏磨用組成物有权
简体标题：硅晶圆研磨用组成物
公开(公告)号：TWI650410B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW103117769
申请日：2014-05-21
申请人：日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：土屋公亮 , TSUCHIYA, KOHSUKE , 丹所久典 , TANSHO, HISANORI , 市坪大輝 , ICHITSUBO, TAIKI , 森嘉男 , MORI, YOSHIO
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , C09G1/16 , C08F20/34 , B24B37/00 , H01L21/304 , B08B3/08 , C11D7/32

3. 发明专利

TWI624536B 研磨用組成物、研磨用組成物製造方法及研磨物製造方法有权
简体标题：研磨用组成物、研磨用组成物制造方法及研磨物制造方法
公开(公告)号：TWI624536B
公开(公告)日：2018-05-21
申请号：TW103104570
申请日：2014-02-12
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：土屋公亮 , TSUCHIYA, KOHSUKE , 丹所久典 , TANSHO, HISANORI , 浅田真希 , ASADA, MAKI , 須賀裕介 , SUGA, YUSUKE
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304 , B24B37/00 , G01B11/08

4. 发明专利

TW201443212A 研磨用組成物、研磨用組成物製造方法及研磨物製造方法审中-公开
简体标题：研磨用组成物、研磨用组成物制造方法及研磨物制造方法
公开(公告)号：TW201443212A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW103104570
申请日：2014-02-12
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：土屋公亮 , TSUCHIYA, KOHSUKE , 丹所久典 , TANSHO, HISANORI , 浅田真希 , ASADA, MAKI , 須賀祐介 , SUGA, YUSUKE
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304 , B24B37/00 , G01B11/08
CPC分类号： C09G1/02 , B24B37/044 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/02024 , H01L21/02052
摘要：本發明提供一種研磨用組成物，其係含有研磨粒、水溶性聚合物與水。上述研磨用組成物在上述研磨粒的含量為0.2質量%之濃度時，藉由動態光散射法所測得的上述研磨用組成物中所含的粒子的體積平均粒徑DA為20nm~60nm。
简体摘要：本发明提供一种研磨用组成物，其系含有研磨粒、水溶性聚合物与水。上述研磨用组成物在上述研磨粒的含量为0.2质量%之浓度时，借由动态光散射法所测得的上述研磨用组成物中所含的粒子的体积平均粒径DA为20nm~60nm。

5. 发明专利

TWI640586B 硏磨用組成物、硏磨用組成物之製造方法及硏磨用組成物之調製用套組有权
简体标题：研磨用组成物、研磨用组成物之制造方法及研磨用组成物之调制用套组
公开(公告)号：TWI640586B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW103110296
申请日：2014-03-19
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：土屋公亮 , TSUCHIYA, KOHSUKE , 丹所久典 , TANSHO, HISANORI , 市坪大輝 , ICHITSUBO, TAIKI
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/00 , H01L21/304

6. 发明专利

TWI572703B 矽晶圓研磨用組成物有权
简体标题：硅晶圆研磨用组成物
公开(公告)号：TWI572703B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW104111957
申请日：2015-04-14
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：土屋公亮 , TSUCHIYA, KOHSUKE , 丹所久典 , TANSHO, HISANORI , 森嘉男 , MORI, YOSHIO
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02052 , C09G1/02 , H01L21/02024

7. 发明专利

TW201500492A 硏磨用組成物、硏磨用組成物之製造方法及硏磨用組成物之調製用套組审中-公开
简体标题：研磨用组成物、研磨用组成物之制造方法及研磨用组成物之调制用套组
公开(公告)号：TW201500492A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103110296
申请日：2014-03-19
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：土屋公亮 , TSUCHIYA, KOHSUKE , 丹所久典 , TANSHO, HISANORI , 市坪大輝 , ICHITSUBO, TAIKI
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02 , C08F216/06 , C09G1/16 , C09K3/1436 , C09K3/1454 , H01L21/02024
摘要：本發明係提供一種研磨用組成物，其係含有具有含SP值相異的複數種重複單位之分子構造的水溶性聚合物，或是以既定之方法所求得之蝕刻率及研磨粒吸附率各在既定之範圍者。又，本發明提供一種研磨用組成物之製造方法，其係使用研磨粒、鹼性化合物、具有在鹼性條件下顯示水解反應性之官能基的水溶性聚合物H及水來製造研磨用組成物之方法，其係含以下步驟：準備至少含前述鹼性化合物之A劑的步驟、準備至少含前述水溶性聚合物H之B劑的步驟。
简体摘要：本发明系提供一种研磨用组成物，其系含有具有含SP值相异的复数种重复单位之分子构造的水溶性聚合物，或是以既定之方法所求得之蚀刻率及研磨粒吸附率各在既定之范围者。又，本发明提供一种研磨用组成物之制造方法，其系使用研磨粒、碱性化合物、具有在碱性条件下显示水解反应性之官能基的水溶性聚合物H及水来制造研磨用组成物之方法，其系含以下步骤：准备至少含前述碱性化合物之A剂的步骤、准备至少含前述水溶性聚合物H之B剂的步骤。

8. 发明专利

TWI624537B 研磨用組成物及研磨物製造方法有权
简体标题：研磨用组成物及研磨物制造方法
公开(公告)号：TWI624537B
公开(公告)日：2018-05-21
申请号：TW103105643
申请日：2014-02-20
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：土屋公亮 , TSUCHIYA, KOHSUKE , 丹所久典 , TANSHO, HISANORI
IPC分类号： C09K3/14 , B24B37/00 , H01L21/304

9. 发明专利

TW201805381A 研磨用組成物及其製造方法审中-公开
简体标题：研磨用组成物及其制造方法
公开(公告)号：TW201805381A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106111171
申请日：2017-03-31
申请人：東亞合成股份有限公司 , TOAGOSEI CO., LTD. , 福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：竹本貴之 , TAKEMOTO, TAKAYUKI , 斎藤直彥 , SAITO, NAOHIKO , 河合道弘 , KAAI, MICHIHIRO , 土屋公亮 , TSUCHIYA, KOHSUKE , 丹所久典 , TANSHO, HISANORI , 須賀裕介 , SUGA, YUSUKE , 市坪大輝 , ICHITSUBO, TAIKI
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14
CPC分类号： B24B37/00 , C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要：本發明係提供一種可實現更為高精度之平滑性的研磨用組成物。本發明係在包含研磨粒及鹼性化合物之研磨用組成物，以包含水溶性高分子化合物、與聚合起始劑及阻聚劑之反應物的方式進行。藉由此反應物，而得到更為高之平滑性。
简体摘要：本发明系提供一种可实现更为高精度之平滑性的研磨用组成物。本发明系在包含研磨粒及碱性化合物之研磨用组成物，以包含水溶性高分子化合物、与聚合起始剂及阻聚剂之反应物的方式进行。借由此反应物，而得到更为高之平滑性。

10. 发明专利

TW201736039A 研磨用組成物及矽基板之研磨方法审中-公开
简体标题：研磨用组成物及硅基板之研磨方法
公开(公告)号：TW201736039A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW105143929
申请日：2016-12-29
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：土屋公亮 , TSUCHIYA, KOHSUKE , 市坪大輝 , ICHITSUBO, TAIKI , 丹所久典 , TANSHO, HISANORI , 須賀裕介 , SUGA, YUSUKE
IPC分类号： B24B37/00 , C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/00 , C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要：本發明提供可實現具有平滑性及低缺陷性之被研磨面之研磨用組成物。研磨用組成物含有滿足條件(A)及(B)之水溶性高分子。條件(A)：由平均一次粒徑35nm之氧化矽、水溶性高分子、氨及水所成之氧化矽濃度為0.48質量%，水溶性高分子之濃度為0.0125質量%，pH為10.0之第一標準液中，第一標準液中含有之吸附於氧化矽之水溶性高分子之量相對於水溶性高分子總量之比例的吸附率為10%以上。條件(B)：由平均一次粒徑35nm之氧化矽、水溶性高分子、氨及水所成之氧化矽濃度為0.48質量%，水溶性高分子之濃度為0.0125質量%，pH為10.4之第二標準液中，第二標準液中含有之吸附於氧化矽之水溶性高分子之量相對於水溶性高分子總量之比例的吸附率為65%以下。
简体摘要：本发明提供可实现具有平滑性及低缺陷性之被研磨面之研磨用组成物。研磨用组成物含有满足条件(A)及(B)之水溶性高分子。条件(A)：由平均一次粒径35nm之氧化硅、水溶性高分子、氨及水所成之氧化硅浓度为0.48质量%，水溶性高分子之浓度为0.0125质量%，pH为10.0之第一标准液中，第一标准液中含有之吸附于氧化硅之水溶性高分子之量相对于水溶性高分子总量之比例的吸附率为10%以上。条件(B)：由平均一次粒径35nm之氧化硅、水溶性高分子、氨及水所成之氧化硅浓度为0.48质量%，水溶性高分子之浓度为0.0125质量%，pH为10.4之第二标准液中，第二标准液中含有之吸附于氧化硅之水溶性高分子之量相对于水溶性高分子总量之比例的吸附率为65%以下。

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