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1. 发明专利

TW202031101A 可避免搭配運作的記憶體晶片效能降級的信號處理電路审中-公开
简体标题：可避免搭配运作的内存芯片性能降级的信号处理电路
公开(公告)号：TW202031101A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108103906
申请日：2019-01-31
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：顏守德 , YEN, SHOU-TE , 賴照民 , LAI, CHAO-MIN , 王丙嘉 , WANG, PING-CHIA
IPC分类号： H05K1/11 , H01L21/768
摘要：本發明提出一種信號處理電路，其包含：電路板，包含第一表層、第二表層、第一參考層、與第二參考層，其中，第一表層與第二表層分別位於電路板的相對側，且第一參考層與第二參考層位於第一表層與第二表層之間；記憶體晶片，位於第一表層上；控制器晶片，位於第二表層上；第一組信號線，設置於第一表層上，耦接於記憶體晶片，且第一組信號線中的信號線不會彼此跨越；以及第二組信號線，設置於第二表層上，耦接於控制器晶片，且第二組信號線中的信號線不會彼此跨越；控制器晶片透過第一組信號線、第二組信號線、以及位於電路板中的多個導孔存取記憶體晶片。
简体摘要：本发明提出一种信号处理电路，其包含：电路板，包含第一表层、第二表层、第一参考层、与第二参考层，其中，第一表层与第二表层分别位于电路板的相对侧，且第一参考层与第二参考层位于第一表层与第二表层之间；内存芯片，位于第一表层上；控制器芯片，位于第二表层上；第一组信号线，设置于第一表层上，耦接于内存芯片，且第一组信号线中的信号线不会彼此跨越；以及第二组信号线，设置于第二表层上，耦接于控制器芯片，且第二组信号线中的信号线不会彼此跨越；控制器芯片透过第一组信号线、第二组信号线、以及位于电路板中的多个导孔存取内存芯片。

2. 发明专利

TW202023137A 用於接收器之靜電放電防護的方法、以及接收器审中-公开
简体标题：用于接收器之静电放电防护的方法、以及接收器
公开(公告)号：TW202023137A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW107144398
申请日：2018-12-10
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：羅國元 , LUO, GUO-YUAN , 顏守德 , YEN, SHOU-TE , 陳彥鈞 , CHEN, YAN-JYUN
IPC分类号： H02H1/00 , H01L23/60
摘要：本發明提供一種用於一接收器之靜電放電防護的方法、以及相關接收器。該接收器可包含一參考電壓端子、一偵測端子、至少一組接收端子以及至少一組終端電阻。該方法可包含：依據該偵測端子之電壓位準，產生一偵測結果；以及依據該偵測結果控制是否將所述至少一組終端電阻分別耦接於所述至少一組接收端子與該參考電壓端子之間。
简体摘要：本发明提供一种用于一接收器之静电放电防护的方法、以及相关接收器。该接收器可包含一参考电压端子、一侦测端子、至少一组接收端子以及至少一组终端电阻。该方法可包含：依据该侦测端子之电压位准，产生一侦测结果；以及依据该侦测结果控制是否将所述至少一组终端电阻分别耦接于所述至少一组接收端子与该参考电压端子之间。

3. 发明专利

TWI681695B 可避免搭配運作的記憶體晶片效能降級的信號處理電路有权
简体标题：可避免搭配运作的内存芯片性能降级的信号处理电路
公开(公告)号：TWI681695B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW108103906
申请日：2019-01-31
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：顏守德 , YEN, SHOU-TE , 賴照民 , LAI, CHAO-MIN , 王丙嘉 , WANG, PING-CHIA
IPC分类号： H05K1/11 , H01L21/768 , H01L21/02

4. 发明专利

TWI677151B 用於接收器之靜電放電防護的方法、以及接收器有权
简体标题：用于接收器之静电放电防护的方法、以及接收器
公开(公告)号：TWI677151B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW107144398
申请日：2018-12-10
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：羅國元 , LUO, GUO-YUAN , 顏守德 , YEN, SHOU-TE , 陳彥鈞 , CHEN, YAN-JYUN
IPC分类号： H02H1/00 , H01L23/60

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