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    • 5. 发明专利
    • 阻氣性接著薄膜和電子構件及光學構件
    • 阻气性接着薄膜和电子构件及光学构件
    • TW201842111A
    • 2018-12-01
    • TW107106792
    • 2018-03-01
    • 日商琳得科股份有限公司LINTEC CORPORATION
    • 七島祐NANASHIMA, YUTAKA樫尾幹広KASHIO, MIKIHIRO佐藤慶一SATO, KEIICHI
    • C09J7/29C09J7/40C09J123/00
    • 本發明係具有由保護薄膜/阻氣層組成的阻氣性單元及由接著性樹脂層/剝離薄膜組成的接著性單元,上述接著性樹脂層,在上述阻氣層上直接或經由其他的層層積而成,上述保護薄膜與上述剝離薄膜分別構成最外層的阻氣性接著薄膜,上述保護薄膜的阻氣層側的表面的表面電阻率為5.0×1011Ω/□以下,上述剝離薄膜的至少任何一方面的表面的表面電阻率為5.0×1011Ω/□以下的阻氣性接著薄膜;以及包括該阻氣性接著薄膜的電子構件及光學構件。根據本發明,可提供防止帶電性優良的阻氣性接著薄膜、以及包括該阻氣性接著薄膜的電子構件及光學構件。
    • 本发明系具有由保护薄膜/阻气层组成的阻气性单元及由接着性树脂层/剥离薄膜组成的接着性单元,上述接着性树脂层,在上述阻气层上直接或经由其他的层层积而成,上述保护薄膜与上述剥离薄膜分别构成最外层的阻气性接着薄膜,上述保护薄膜的阻气层侧的表面的表面电阻率为5.0×1011Ω/□以下,上述剥离薄膜的至少任何一方面的表面的表面电阻率为5.0×1011Ω/□以下的阻气性接着薄膜;以及包括该阻气性接着薄膜的电子构件及光学构件。根据本发明,可提供防止带电性优良的阻气性接着薄膜、以及包括该阻气性接着薄膜的电子构件及光学构件。