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    • 7. 发明专利
    • 半導體加工用板片
    • 半导体加工用板片
    • TW201803042A
    • 2018-01-16
    • TW106116272
    • 2017-05-17
    • 琳得科股份有限公司LINTEC CORPORATION
    • 中村優智NAKAMURA, MASATOMO佐伯尚哉SAIKI, NAOYA小野義友ONO, YOSHITOMO
    • H01L23/28B32B27/08B32B7/00
    • C09J201/00H01L21/56H01L2224/18H01L2224/96
    • 本發明係一種半導體加工用板片,其係至少具備基材的半導體加工用板片,復原率為70%以上、100%以下;在23℃在基材的MD方向所測定的上述半導體加工用板片的100%應力,對在23℃在基材的CD方向所測定的上述半導體加工用板片的100%應力的比為0.8以上、1.2以下;或者,在23℃在基材的MD方向及CD方向所測定的半導體加工用板片的拉伸彈性模數,分別為10MPa以上、350MPa以下,且在23℃在基材的MD方向及CD方向所測定的半導體加工用板片的100%應力,分別為3MPa以上、20MPa以下,且在23℃在基材的MD方向及CD方向所測定的半導體加工用板片的斷裂伸度,分別為100%以上。該半導體加工用板片,可大幅延伸,可將半導體晶片彼此充分分離。
    • 本发明系一种半导体加工用板片,其系至少具备基材的半导体加工用板片,复原率为70%以上、100%以下;在23℃在基材的MD方向所测定的上述半导体加工用板片的100%应力,对在23℃在基材的CD方向所测定的上述半导体加工用板片的100%应力的比为0.8以上、1.2以下;或者,在23℃在基材的MD方向及CD方向所测定的半导体加工用板片的拉伸弹性模数,分别为10MPa以上、350MPa以下,且在23℃在基材的MD方向及CD方向所测定的半导体加工用板片的100%应力,分别为3MPa以上、20MPa以下,且在23℃在基材的MD方向及CD方向所测定的半导体加工用板片的断裂伸度,分别为100%以上。该半导体加工用板片,可大幅延伸,可将半导体芯片彼此充分分离。