专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW449673B 新穎光阻劑共聚物失效
简体标题：新颖光阻剂共聚物
公开(公告)号：TW449673B
公开(公告)日：2001-08-11
申请号：TW086115348
申请日：1997-10-18
申请人：現代電子產業股份有限公司
发明人：鄭載昌 , 卜圭 , 金亨基
IPC分类号： G03F
CPC分类号： C08F8/30 , G03F7/0045 , G03F7/039 , Y10S430/111
摘要：一種用於次微米光蝕刻光阻劑樹脂的共聚物，包括如式I所示之戊二醯亞胺衍生物和丙烯酸衍生物，及一種包括此共聚物的光阻劑組成物:CC其中R1是一直鏈或含支鏈之具有O-30個碳原子的烷基;R2和R3互不相關的分別為直鏈或含支鏈之具有l-15個經取代或未經取代碳原子的烷氧基或環烷氧基， R4和R5互不相關的分別為氫或一烷基;及p，q和r可是相同或不同的，每一個是從O至90的聚合化比例。
简体摘要：一种用于次微米光蚀刻光阻剂树脂的共聚物，包括如式I所示之戊二酰亚胺衍生物和丙烯酸衍生物，及一种包括此共聚物的光阻剂组成物:CC其中R1是一直链或含支链之具有O-30个碳原子的烷基;R2和R3互不相关的分别为直链或含支链之具有l-15个经取代或未经取代碳原子的烷氧基或环烷氧基， R4和R5互不相关的分别为氢或一烷基;及p，q和r可是相同或不同的，每一个是从O至90的聚合化比例。

2. 发明专利

TW460901B 製造一種半導體元件之方法失效
简体标题：制造一种半导体组件之方法
公开(公告)号：TW460901B
公开(公告)日：2001-10-21
申请号：TW088111266
申请日：1999-07-02
申请人：現代電子產業股份有限公司
发明人：金亨基 , 李鍾昱
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L21/84
摘要：一種半導體元件，擁有低電壓特性與較佳製程整合性；此種半導體元件包含了一種堆疊結構的SOI基板，包含了一層作為支撐的底層、底層上方有一層氧化物埋層，而埋層上方的半導體層則作為元件的作用區；以及一個第一電晶體與一個第二電晶體被製造在SOI基板的作用區上，在此，這兩個電晶體在同一個作用區上形成一種堆疊結構，並且共用一個閘極電極；第二電晶體的汲極區被連接到閘極電極，而第二電晶體的源極區被連接到作用區。
简体摘要：一种半导体组件，拥有低电压特性与较佳制程集成性；此种半导体组件包含了一种堆栈结构的SOI基板，包含了一层作为支撑的底层、底层上方有一层氧化物埋层，而埋层上方的半导体层则作为组件的作用区；以及一个第一晶体管与一个第二晶体管被制造在SOI基板的作用区上，在此，这两个晶体管在同一个作用区上形成一种堆栈结构，并且共享一个闸极电极；第二晶体管的汲极区被连接到闸极电极，而第二晶体管的源极区被连接到作用区。

3. 发明专利

TW459344B 製作SOI晶圓的方法失效
简体标题：制作SOI晶圆的方法
公开(公告)号：TW459344B
公开(公告)日：2001-10-11
申请号：TW089123174
申请日：2000-11-03
申请人：現代電子產業股份有限公司
发明人：金亨基
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76264 , H01L21/76281 , H01L21/76283
摘要：一種製作SOI晶圓的方法，包含步驟如下:提供一半導體基板及底板；在半導體基板上依循成長氧化層、氮化層及遮罩氧化層;將氧化層、氮化層及遮罩氧化層蝕刻使半導體絕緣區域裸露;將裸露的半導體絕緣區域蝕刻形成溝槽；將遮罩氧化層移去;將溝槽底部表面氧化形成邊緣狀如鳥喙的場氧化層；將場氧化層移去，將溝槽填以氧化層來形成溝槽的絕緣層;移去氮化層及氧化層;在絕緣層及半導體基板上成長第一絕緣層;在底板上成長第二絕緣層;將半導體基板及底板連合在一起使第一絕緣層與第二絕緣層接觸;首先，使用絕緣層為阻擋層將半導體基板另一表面拋光;其次將半導體基板另一表面拋光形成所需厚度的半導體層。
简体摘要：一种制作SOI晶圆的方法，包含步骤如下:提供一半导体基板及底板；在半导体基板上依循成长氧化层、氮化层及遮罩氧化层;将氧化层、氮化层及遮罩氧化层蚀刻使半导体绝缘区域裸露;将裸露的半导体绝缘区域蚀刻形成沟槽；将遮罩氧化层移去;将沟槽底部表面氧化形成边缘状如鸟喙的场氧化层；将场氧化层移去，将沟槽填以氧化层来形成沟槽的绝缘层;移去氮化层及氧化层;在绝缘层及半导体基板上成长第一绝缘层;在底板上成长第二绝缘层;将半导体基板及底板连合在一起使第一绝缘层与第二绝缘层接触;首先，使用绝缘层为阻挡层将半导体基板另一表面抛光;其次将半导体基板另一表面抛光形成所需厚度的半导体层。

4. 发明专利

TW491861B 聚合物及使用該聚合物之顯微圖案的形成方法失效
简体标题：聚合物及使用该聚合物之显微图案的形成方法
公开(公告)号：TW491861B
公开(公告)日：2002-06-21
申请号：TW088107011
申请日：1999-04-30
申请人：現代電子產業股份有限公司
发明人：鄭載昌 , 金明洙 , 金亨基 , 盧致亨 , 李根守 , 鄭旼鎬 , 卜圭
IPC分类号： C08F , G03F
CPC分类号： G03F7/38 , C08F222/40 , C08F232/04 , G03F7/0045 , G03F7/039
摘要：本發明係有關一種以下式1表示的聚合物和使用該聚合物形成微圖案的方法：[式1]其中，R1為C0-C10直鏈-或支鏈-鏈取代之烷基，或基；R2為C1-C10一級，二級或三級醇基；m和n分別表示1到3之數目；和X，Y和Z為共單體的個別聚合比。根據本發明之光阻劑聚合物適合於形成超微圖案例如使用光源例如Ar，E-束，EUV，或離子-束之4G或16G DRAM半導體設計。
简体摘要：本发明系有关一种以下式1表示的聚合物和使用该聚合物形成微图案的方法：[式1]其中，R1为C0-C10直链-或支链-链取代之烷基，或基；R2为C1-C10一级，二级或三级醇基；m和n分别表示1到3之数目；和X，Y和Z为共单体的个别聚合比。根据本发明之光阻剂聚合物适合于形成超微图案例如使用光源例如Ar，E-束，EUV，或离子-束之4G或16G DRAM半导体设计。

5. 发明专利

TW459010B 用於光阻劑之交聯劑,及含其之光阻劑組成物有权
简体标题：用于光阻剂之交联剂,及含其之光阻剂组成物
公开(公告)号：TW459010B
公开(公告)日：2001-10-11
申请号：TW088120825
申请日：1999-11-26
申请人：現代電子產業股份有限公司
发明人：鄭載昌 , 金明洙 , 金明洙 , 金亨基 , 亞倫德安柏 , 白基鎬 , 金珍秀
IPC分类号： C08K , G03F
CPC分类号： C08F216/38 , C07C43/303 , C08F220/06 , G03F7/0382
摘要：本發明係有關一種用於光阻劑組成物之交聯劑，其適合用於使用KrF(248奈米)，ArF(193奈米)，E-束，離子束或EUV光源之光微影成像方法。根據本發明，較佳的交聯劑包括下列化合物所形成的共聚物:(i)下列化學式l所表示的化合物及/或(ii)一或多種選自包括:丙烯酸、甲基丙烯酸與順丁烯二酸酐之化合物。〈化學式〉CC其中，R1與R2個別表示直鏈或枝鏈C1-10烷基，直鏈或枝鏈 C1-10酯，直鏈或枝鏈C1-10酮，直鏈或枝鏈C1-10羧酸，直鏈或枝鏈C1-10縮醛，包括至少一個羥基之直鏈或枝鏈C1-10烷基，包括至少一個羥基之直鏈或枝鏈C1-10酯，包括至少一個羥基之直鏈或枝鏈C1-10酮，包括至少一個羥基之直鏈或枝鏈C1-10羧酸，及包括至少一個羥基之直鏈或枝鏈C1-10縮醛;及R3表氫或甲基。
简体摘要：本发明系有关一种用于光阻剂组成物之交联剂，其适合用于使用KrF(248奈米)，ArF(193奈米)，E-束，离子束或EUV光源之光微影成像方法。根据本发明，较佳的交联剂包括下列化合物所形成的共聚物:(i)下列化学式l所表示的化合物及/或(ii)一或多种选自包括:丙烯酸、甲基丙烯酸与顺丁烯二酸酐之化合物。〈化学式〉CC其中，R1与R2个别表示直链或枝链C1-10烷基，直链或枝链 C1-10酯，直链或枝链C1-10酮，直链或枝链C1-10羧酸，直链或枝链C1-10缩醛，包括至少一个羟基之直链或枝链C1-10烷基，包括至少一个羟基之直链或枝链C1-10酯，包括至少一个羟基之直链或枝链C1-10酮，包括至少一个羟基之直链或枝链C1-10羧酸，及包括至少一个羟基之直链或枝链C1-10缩醛;及R3表氢或甲基。

6. 发明专利

TW437068B 動態隨機存取記憶元件及其製造方法失效
简体标题：动态随机存取记忆组件及其制造方法
公开(公告)号：TW437068B
公开(公告)日：2001-05-28
申请号：TW087121252
申请日：1998-12-19
申请人：現代電子產業股份有限公司
发明人：金亨基
IPC分类号： H01L
摘要：製造動態隨機存取記憶元件之方法，包括如下:包括絕緣層上有矽基板(SOI)，其中支撐基板與元件基板之間夾入一層掩埋氧化層，含第一導電性之元件基板;元件基板上形成之字元線;元件基板字元線兩側形成源極及汲極區域;源極及汲極區域為第二導電性;與汲極區域接觸之位元線;與源極區域接觸之電容;以及在源極區域下形成第一導電性之雜質區域以構成含源極區域之接面電容。
简体摘要：制造动态随机存取记忆组件之方法，包括如下:包括绝缘层上有硅基板(SOI)，其中支撑基板与组件基板之间夹入一层掩埋氧化层，含第一导电性之组件基板;组件基板上形成之字符线;组件基板字符线两侧形成源极及汲极区域;源极及汲极区域为第二导电性;与汲极区域接触之比特线;与源极区域接触之电容;以及在源极区域下形成第一导电性之杂质区域以构成含源极区域之接面电容。

7. 发明专利

TW546538B 正型光阻劑共聚物及使用其的光阻劑組成物失效
简体标题：正型光阻剂共聚物及使用其的光阻剂组成物
公开(公告)号：TW546538B
公开(公告)日：2003-08-11
申请号：TW087120806
申请日：1998-12-15
申请人：現代電子產業股份有限公司
发明人：鄭旼鎬 , 高次元 , 金亨基
IPC分类号： G03F
CPC分类号： C08F232/04 , C07C69/753 , C08F222/06
摘要：本發明關於一種作為使用於超短波長光源如氟化氪或氟化氬之光阻劑之共聚物樹脂，其製備方法，及使用其所製成的光阻劑。經由導入2，3－二－第三丁基－5－原冰片烯－2，3－二羧酸酯單元至原冰片烯－順丁烯二酸酐共聚物之結構中，根據本發明之共聚物樹脂可經由傳統自由基聚合作用而被容易地製備，在193nm波長具有高透明性，提供增加的抗蝕刻性，由於在共聚物樹脂中之保護比例增加而防止尖端損失現象及增加黏著強度，且顯示0.13μm之優良解析度。
简体摘要：本发明关于一种作为使用于超短波长光源如氟化氪或氟化氩之光阻剂之共聚物树脂，其制备方法，及使用其所制成的光阻剂。经由导入2，3－二－第三丁基－5－原冰片烯－2，3－二羧酸酯单元至原冰片烯－顺丁烯二酸酐共聚物之结构中，根据本发明之共聚物树脂可经由传统自由基聚合作用而被容易地制备，在193nm波长具有高透明性，提供增加的抗蚀刻性，由于在共聚物树脂中之保护比例增加而防止尖端损失现象及增加黏着强度，且显示0.13μm之优良分辨率。

8. 发明专利

TW491875B 新穎光阻交聯劑及含其之光阻劑組成物失效
简体标题：新颖光阻交联剂及含其之光阻剂组成物
公开(公告)号：TW491875B
公开(公告)日：2002-06-21
申请号：TW089101780
申请日：2000-02-02
申请人：現代電子產業股份有限公司
发明人：孔根圭 , 鄭載昌 , 金明洙 , 金亨基 , 金炯秀 , 白基鎬
IPC分类号： C08K
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/038
摘要：本發明關於一種光阻交聯劑，其係選自下列化學式1所代表之交聯劑單體，及其均聚物，及其共聚物。該交聯劑適用於使用KrF(248nm)，ArF(193nm)，E-束，離子束，或EUV光源之光學微影程序。其中X1及X2分別代表CH2，CH2CH2，O或S；p及 S分別代表0至5之整數；q為0或1：R’及R”分別代表氫或甲基；R代表直鏈或支鏈C1-10烷基，直鏈或支鏈C1-10醚，直鏈或支鏈C1-10酯，直鏈或支鏈C1-10酮，直鏈或支鏈C1-10羧酸，直鏈或支鏈C1-10縮醛，包括至少一羥基之直鏈或支鏈C1-10烷基，包括至少一羥基之直鏈或支鏈C1-10醚，包括至少一羥基之直鏈或支鏈C1-10酯，包括至少一羥基之直鏈或支鏈C1-10酮，包括至少一羥基之直鏈或支鏈C1-10羧酸，及包括至少一羥基之直鏈或支鏈 C1-10縮醛；R1及R2分別代表氫，直鏈或支鏈C1-10烷基，直鏈或支鏈C1-10酯，直鏈或支鏈C1-10酮，直鏈或支鏈 C1-10羧酸，直鏈或支鏈C1-10縮醛，包括至少一羥基之直鏈或支鏈C1-10烷基，包括至少一羥基之直鏈或支鏈C1-10酯，包括至少一羥基之直鏈或支鏈C1-10酮，包括至少一經基之直鏈或支鏈C1-10羧酸，及包括至少一羥基之直鏈或支鏈C1-10縮醛。
简体摘要：本发明关于一种光阻交联剂，其系选自下列化学式1所代表之交联剂单体，及其均聚物，及其共聚物。该交联剂适用于使用KrF(248nm)，ArF(193nm)，E-束，离子束，或EUV光源之光学微影进程。<化学式1>其中X1及X2分别代表CH2，CH2CH2，O或S；p及 S分别代表0至5之整数；q为0或1：R’及R”分别代表氢或甲基；R代表直链或支链C1-10烷基，直链或支链C1-10醚，直链或支链C1-10酯，直链或支链C1-10酮，直链或支链C1-10羧酸，直链或支链C1-10缩醛，包括至少一羟基之直链或支链C1-10烷基，包括至少一羟基之直链或支链C1-10醚，包括至少一羟基之直链或支链C1-10酯，包括至少一羟基之直链或支链C1-10酮，包括至少一羟基之直链或支链C1-10羧酸，及包括至少一羟基之直链或支链 C1-10缩醛；R1及R2分别代表氢，直链或支链C1-10烷基，直链或支链C1-10酯，直链或支链C1-10酮，直链或支链 C1-10羧酸，直链或支链C1-10缩醛，包括至少一羟基之直链或支链C1-10烷基，包括至少一羟基之直链或支链C1-10酯，包括至少一羟基之直链或支链C1-10酮，包括至少一经基之直链或支链C1-10羧酸，及包括至少一羟基之直链或支链C1-10缩醛。

9. 发明专利

TW477917B 藉由頂面成像法形成光阻圖案之方法失效
简体标题：借由顶面成像法形成光阻图案之方法
公开(公告)号：TW477917B
公开(公告)日：2002-03-01
申请号：TW089108514
申请日：2000-05-04
申请人：現代電子產業股份有限公司
发明人：金明洙 , 鄭載昌 , 金亨基 , 白基鎬
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/38 , G03F7/0045 , G03F7/038 , G03F7/265 , Y10S430/168
摘要：本發明係有關一種採用矽烷基化作用形成光阻圖案之方法，且特別是有關一種根據頂面成像("TSI")法使用一種具有下列化學式1或2表示的交聯單體之交聯劑的光阻劑組成物形成光阻圖案之方法。包含上述交聯單體之聚合物的光阻劑組成物較佳使用於TSI法中，其藉由控制每個步驟的條件，例如溫度和時間，而被最適化，藉此獲得可更有效應用到4G DRAM或16G DRAM半導體製造方法之超細圖案：
＜化學式1＞
＜化學式2＞
其中，R1，R2，R3，R5，R6，R7，R，m和n如此處所附說明書所定義。
简体摘要：本发明系有关一种采用硅烷基化作用形成光阻图案之方法，且特别是有关一种根据顶面成像("TSI")法使用一种具有下列化学式1或2表示的交联单体之交联剂的光阻剂组成物形成光阻图案之方法。包含上述交联单体之聚合物的光阻剂组成物较佳使用于TSI法中，其借由控制每个步骤的条件，例如温度和时间，而被最适化，借此获得可更有效应用到4G DRAM或16G DRAM半导体制造方法之超细图案：＜化学式1＞＜化学式2＞其中，R1，R2，R3，R5，R6，R7，R，m和n如此处所附说明书所定义。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式