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1. 发明专利

TWI300790B 聚合物,抗蝕刻劑組合物,及形成圖案之方法 POLYMERS, RESIST COMPOSITIONS AND PATTERNING PROCESS 有权
简体标题：聚合物,抗蚀刻剂组合物,及形成图案之方法 POLYMERS, RESIST COMPOSITIONS AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TWI300790B
公开(公告)日：2008-09-11
申请号：TW091103652
申请日：2002-02-27
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. , 松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. , 中央硝子股份有限公司 CENTRAL GLASS CO., LTD.
发明人：原田裕次 HARADA, YUJI , 渡邊淳 WATANABE, JUN , 山潤 HATAKEYAMA, JUN , 河合義夫 KAWAI, YOSHIO , 子勝 SASAGO, MASARU , 遠藤政孝 ENDO, MASAYUKI , 岸村真治 KISHIMURA, SHINJI , 大谷充孝 OOTANI, MICHITAKA , 宮澤覺 MIYAZAWA, SATORU , 堤憲太郎 TSUTSUMI, KENTARO , 前田一彥 MAEDA, KAZUHIKO
IPC分类号： C08L , G03F
CPC分类号： C08F220/22 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , Y10S430/108 , Y10S430/126 , Y10S430/168
摘要：在此提供一種內含經氟化脂環族單位的酯基團之基材
聚合物。一種其中包含此聚合物的光阻組合物係敏感於高
能量輻射線,且在低於200 nm之波長具有卓越的敏
感性,因為經氟化脂環族單位加入而有的透明度之顯著改
良,與令人滿意的電漿蝕刻抗性。此光阻組合物在F2雷
射曝光波長之下具有低的吸收,且可理想地作為VLSI
製造中的微圖案化材料。
简体摘要：在此提供一种内含经氟化脂环族单位的酯基团之基材聚合物。一种其中包含此聚合物的光阻组合物系敏感于高能量辐射线,且在低于200 nm之波长具有卓越的敏感性,因为经氟化脂环族单位加入而有的透明度之显着改良,与令人满意的等离子蚀刻抗性。此光阻组合物在F2雷射曝光波长之下具有低的吸收,且可理想地作为VLSI 制造中的微图案化材料。

2. 发明专利

TW573215B 減低圖案化光阻材料中邊緣粗糙度的方法失效
简体标题：减低图案化光阻材料中边缘粗糙度的方法
公开(公告)号：TW573215B
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：TW090127263
申请日：2001-11-02
申请人：艾克塞利斯科技公司 AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：約翰史考特哈洛克 JOHN SCOTT HALLOCK , 羅伯特道格拉斯莫洪洛 MOHONDRO, ROBERT DOUGLAS
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/405 , G03F7/40 , Y10S430/143 , Y10S430/168
摘要：一種用於降低圖案化光阻材料表面粗糙的製程。該製程包含有將具有該圖案化光阻材料位於其上的基板暴露於蒸氣，其中該蒸氣會滲入該光阻材料表面中及/或與其反應。接著將具有該圖案化光阻材料位於其上的該基板加熱至足以使該光阻材料表面產生流動及/或與該蒸氣反應的溫度一段時間，其中該表面粗糙會降低。在該製程期間，該基板係視需要而曝露於輻射，以增加該光阻材料的抗蝕刻性及/或促使該蒸氣與該光阻材料表面反應。
简体摘要：一种用于降低图案化光阻材料表面粗糙的制程。该制程包含有将具有该图案化光阻材料位于其上的基板暴露于蒸气，其中该蒸气会渗入该光阻材料表面中及/或与其反应。接着将具有该图案化光阻材料位于其上的该基板加热至足以使该光阻材料表面产生流动及/或与该蒸气反应的温度一段时间，其中该表面粗糙会降低。在该制程期间，该基板系视需要而曝露于辐射，以增加该光阻材料的抗蚀刻性及/或促使该蒸气与该光阻材料表面反应。

3. 发明专利

TWI235287B 用於塗佈光阻劑組成物以提供垂直光阻劑圖案之上塗層組成物,及使用該組成物形成光阻劑圖案之方法 AN OVER-COATING COMPOSITION FOR COATING A PHOTORESIST COMPOSITION TO PROVIDE A VERTICAL PATTERN AND A PROCESS FOR FORMING THE PHOTORESIST PATTERN USING THE SAME 失效
简体标题：用于涂布光阻剂组成物以提供垂直光阻剂图案之上涂层组成物,及使用该组成物形成光阻剂图案之方法 AN OVER-COATING COMPOSITION FOR COATING A PHOTORESIST COMPOSITION TO PROVIDE A VERTICAL PATTERN AND A PROCESS FOR FORMING THE PHOTORESIST PATTERN USING THE SAME
公开(公告)号：TWI235287B
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：TW089125083
申请日：2000-11-24
申请人：現代電子產業股份有限公司 HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：鄭載昌 JAE CHANG JUNG , 孔根圭 KEUN KYU KONG , 高次元 CHA WON KOH , 金珍秀 JIN-SOO KIM , 白基鎬 KI HO BAIK
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/039 , G03F7/11 , Y10S430/168
摘要：用於塗佈光阻劑組成物以提供垂直光阻劑圖案之上塗層組成物，及使用該組成物形成光阻劑圖案之方法
本發明提供一種上塗層組成物，其包括一種用於光阻劑組成物之鹼性化合物以提供垂直的光阻劑圖案。
简体摘要：用于涂布光阻剂组成物以提供垂直光阻剂图案之上涂层组成物，及使用该组成物形成光阻剂图案之方法本发明提供一种上涂层组成物，其包括一种用于光阻剂组成物之碱性化合物以提供垂直的光阻剂图案。

4. 发明专利

TW581934B 負型光阻組成物有权
简体标题：负型光阻组成物
公开(公告)号：TW581934B
公开(公告)日：2004-04-01
申请号：TW090100839
申请日：2001-01-15
申请人：富士照相軟片股份有限公司 FUJI PHOTO FILM CO., LTD.
发明人：上西一也 , 阿出川豐 , 白川浩司 KOJI SHIRAKAWA
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/038 , Y10S430/168
摘要：本發明係有關開發一種具有優異感度、解像力、且可得矩形外型之電子線或X線用負型放大系光阻組成物。
本發明之電子線及/或X線用化學放大系負型光阻組成物，其特徵為含有含特定構造單位之鹼可溶性樹脂、感放射線性酸發生劑及藉由酸交聯之交聯劑。
简体摘要：本发明系有关开发一种具有优异感度、解像力、且可得矩形外型之电子线或X线用负型放大系光阻组成物。本发明之电子线及/或X线用化学放大系负型光阻组成物，其特征为含有含特定构造单位之碱可溶性树脂、感放射线性酸发生剂及借由酸交联之交联剂。

5. 发明专利

TW223175B 微結構元件之製造失效
简体标题：微结构组件之制造
公开(公告)号：TW223175B
公开(公告)日：1994-05-01
申请号：TW081110013
申请日：1992-12-14
申请人：巴地斯顏料化工廠
发明人：彼德.赫塞 , 傑哈德.赫夫曼 , 裘根.拉根 , 赫格.雷尼克
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B29C59/16 , B29C2035/0844 , B29K2067/043 , B29K2067/046 , G03F7/039 , G03F7/2039 , Y10S430/109 , Y10S430/167 , Y10S430/168
摘要：本發明法係為以Ｘ－ray影像照射（imagewise irradiation）脂肪族聚酯之聚合物，以製造結構深度為由數微米到毫米級之微結構元件的方法。
简体摘要：本发明法系为以Ｘ－ray影像照射（imagewise irradiation）脂肪族聚酯之聚合物，以制造结构深度为由数微米到毫米级之微结构组件的方法。

6. 发明专利

TWI308667B 用於光阻之外保護層組合物及其使用於形成光阻圖案之方法 OVER-COATING COMPOSITION FOR PHOTORESIST AND PROCESS FOR FORMING PHOTORESIST PATTERN USING THE SAME 失效
简体标题：用于光阻之外保护层组合物及其使用于形成光阻图案之方法 OVER-COATING COMPOSITION FOR PHOTORESIST AND PROCESS FOR FORMING PHOTORESIST PATTERN USING THE SAME
公开(公告)号：TWI308667B
公开(公告)日：2009-04-11
申请号：TW093119311
申请日：2004-06-30
申请人：海力士半導體股份有限公司 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
发明人：鄭載昌 JUNG, JAE CHANG
IPC分类号： G03F , C08F
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/0392 , Y10S430/168
摘要：本發明揭示用於光阻之外保護層組合物及使用該組合物之方法。詳言之,揭示包含可穩定地將酸變弱之材料的用於光阻之外保護層組合物。該等材料中和大量在光阻薄膜頂部所產生之酸,以使該酸之垂直分佈一致化。結果,可得到小於100奈米厚度之垂直且精細的圖案。
简体摘要：本发明揭示用于光阻之外保护层组合物及使用该组合物之方法。详言之,揭示包含可稳定地将酸变弱之材料的用于光阻之外保护层组合物。该等材料中和大量在光阻薄膜顶部所产生之酸,以使该酸之垂直分布一致化。结果,可得到小于100奈米厚度之垂直且精细的图案。

7. 发明专利

TW200515098A 用於光阻之外保護層組合物及其使用於形成光阻圖案之方法 OVER-COATING COMPOSITION FOR PHOTORESIST AND PROCESS FOR FORMING PHOTORESIST PATTERN USING THE SAME 失效
简体标题：用于光阻之外保护层组合物及其使用于形成光阻图案之方法 OVER-COATING COMPOSITION FOR PHOTORESIST AND PROCESS FOR FORMING PHOTORESIST PATTERN USING THE SAME
公开(公告)号：TW200515098A
公开(公告)日：2005-05-01
申请号：TW093119311
申请日：2004-06-30
申请人：海力士半導體股份有限公司 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
发明人：鄭載昌 JUNG, JAE CHANG
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/0392 , Y10S430/168
摘要：本發明揭示用於光阻之外保護層組合物及使用該組合物之方法。詳言之，揭示包含可穩定地將酸變弱之材料的用於光阻之外保護層組合物。該等材料中和大量在光阻薄膜頂部所產生之酸，以使該酸之垂直分佈一致化。結果，可得到小於100奈米厚度之垂直且精細的圖案。
简体摘要：本发明揭示用于光阻之外保护层组合物及使用该组合物之方法。详言之，揭示包含可稳定地将酸变弱之材料的用于光阻之外保护层组合物。该等材料中和大量在光阻薄膜顶部所产生之酸，以使该酸之垂直分布一致化。结果，可得到小于100奈米厚度之垂直且精细的图案。

8. 发明专利

TW589514B 圖案形成材料及圖案形成方法失效
简体标题：图案形成材料及图案形成方法
公开(公告)号：TW589514B
公开(公告)日：2004-06-01
申请号：TW091119405
申请日：2002-08-27
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：岸村真治 KISHIMURA, SHINJI , 遠藤政孝 , 世子勝 SASAGO, MASARU , 上田充 MITSURU UEDA , 藤谷剛彥 TSUYOHIKO FUJIGAYA
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0395 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/111 , Y10S430/115 , Y10S430/146 , Y10S430/167 , Y10S430/168
摘要：本發明係當使用具有180nm帶以下波長之曝光光而形成光阻圖案時，幾乎不產生殘渣，並可得到一具有良好圖案形狀之光阻圖案。
本發明之圖案形成材料，係包含含有以(化學式1)所示單元的基材樹脂與酸產生劑。
(化學式1)
简体摘要：本发明系当使用具有180nm带以下波长之曝光光而形成光阻图案时，几乎不产生残渣，并可得到一具有良好图案形状之光阻图案。本发明之图案形成材料，系包含含有以(化学式1)所示单元的基材树脂与酸产生剂。 (化学式1)

9. 发明专利

TW515932B 製造微結構體之方法有权
简体标题：制造微结构体之方法
公开(公告)号：TW515932B
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：TW087115454
申请日：1998-09-17
申请人：微派特有限公司
发明人：芮侯吉 , 卡諾伯 , 白若尤 , 史由克 , 夏伯納
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/2039 , G03F7/00 , G03F7/0035 , Y10S430/168
摘要：對於以LIGA方法製造微結構，以X-射線深層照射模型物質中的塑膠塗料。以展開劑選擇性地溶解表現出可溶解(或保持可溶解)的塑膠塗料區域。已知的塑膠需要高照光成本。
根據本發明方法，以用照光硬化的環氧塗料，其比已知塑膠所需照光時間短。所得微結構具有高尺寸比例和產生具有較大結構深度之無缺陷或缺失的已展開結構。結構精確度是在次微米範圍。
本發明可以實質上較低照光花費和低總成本製造品質非常高的深微結構。
简体摘要：对于以LIGA方法制造微结构，以X-射线深层照射模型物质中的塑胶涂料。以展开剂选择性地溶解表现出可溶解(或保持可溶解)的塑胶涂料区域。已知的塑胶需要高照光成本。根据本发明方法，以用照光硬化的环氧涂料，其比已知塑胶所需照光时间短。所得微结构具有高尺寸比例和产生具有较大结构深度之无缺陷或缺失的已展开结构。结构精确度是在次微米范围。本发明可以实质上较低照光花费和低总成本制造品质非常高的深微结构。

10. 发明专利

TW521061B 藉由使用高能光源來製造微型結構之方法失效
简体标题：借由使用高能光源来制造微型结构之方法
公开(公告)号：TW521061B
公开(公告)日：2003-02-21
申请号：TW091102116
申请日：2002-02-06
申请人：浦項工科大學校
发明人：李承燮 , 李成根 , 李光哲
IPC分类号： B81B
CPC分类号： G03F7/38 , G03F7/00 , G03F7/0005 , Y10S430/146 , Y10S430/168
摘要：一種藉由使用一X射線來製造微型結構的方法，包含以下步驟：以該高能光源選擇性照射一感光材料之一部分，該選擇性地照射步驟是藉由使用一定義微型結構之一圖樣的光罩而進行，並進行熱處理以使得只有該感光材料之受照射部分之頂部熔融及形變，當受該X射線照射時，該感光材料之受照射部分的頂部係受到介於大約1kJ/cm3及大約20kJ/cm3之間的能階照射。
简体摘要：一种借由使用一X射线来制造微型结构的方法，包含以下步骤：以该高能光源选择性照射一感光材料之一部分，该选择性地照射步骤是借由使用一定义微型结构之一图样的光罩而进行，并进行热处理以使得只有该感光材料之受照射部分之顶部熔融及形变，当受该X射线照射时，该感光材料之受照射部分的顶部系受到介于大约1kJ/cm3及大约20kJ/cm3之间的能阶照射。

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