专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI552327B 光二極體陣列模組及其製造方法有权
简体标题：光二极管数组模块及其制造方法
公开(公告)号：TWI552327B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW101111586
申请日：2012-03-30
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：石原正敏 , ISHIHARA, MASATOSHI , 井上直 , INOUE, NAO , 山本宙和 , YAMAMOTO, HIROKAZU
IPC分类号： H01L27/148 , G01J3/02
CPC分类号： H01L27/14645 , H01L25/167 , H01L27/14634 , H01L27/14694 , H01L2224/16225 , H01L2924/0002 , H04N1/03 , H01L2924/00

2. 发明专利

TWI523215B 光二極體陣列模組及其製造方法有权
简体标题：光二极管数组模块及其制造方法
公开(公告)号：TWI523215B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW101111585
申请日：2012-03-30
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：石原正敏 , ISHIHARA, MASATOSHI , 井上直 , INOUE, NAO , 山本宙和 , YAMAMOTO, HIROKAZU
IPC分类号： H01L27/148 , G01J3/02
CPC分类号： H01L27/14609 , H01L27/146 , H01L27/14634 , H01L27/14694 , H01L2224/16135 , H01L2224/16148 , H01L2224/73204 , H04N1/03

3. 发明专利

TWI502725B 光檢測器有权
简体标题：光检测器
公开(公告)号：TWI502725B
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW099122721
申请日：2010-07-09
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：藁科禎久 , WARASHINA, YOSHIHISA , 石原正敏 , ISHIHARA, MASATOSHI , 鈴木智史 , SUZUKI, TOMOFUMI
IPC分类号： H01L25/04 , H01L31/02
CPC分类号： G01J3/36 , G01J1/0204 , G01J5/045 , H01L24/01 , H01L25/043 , H01L2924/0002 , H01L2924/12043 , H01L2924/00

4. 发明专利

TW201115715A 光檢測器审中-公开
简体标题：光检测器
公开(公告)号：TW201115715A
公开(公告)日：2011-05-01
申请号：TW099122721
申请日：2010-07-09
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司
发明人：藁科禎久 , 石原正敏 , 鈴木智史
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01J3/36 , G01J1/0204 , G01J5/045 , H01L24/01 , H01L25/043 , H01L2924/0002 , H01L2924/12043 , H01L2924/00
摘要：本發明之光檢測器1,係利用低電阻Si基板3、絕緣層4、高電阻Si基板5及Si光電二極體20,構成對於配置於凹部6內之InGaAs光電二極體30之氣密密封封裝,且藉由低電阻Si基板3之電通路部8及配線膜15,達成對於Si光電二極體20及InGaAs光電二極體30之電性配線。並且,使Si光電二極體20之p型區域22設於Si基板21之背面21b側之部份,而相對地使InGaAs光電二極體30之p型區域32設於InGaAs基板31之表面31a側之部份。
简体摘要：本发明之光检测器1,系利用低电阻Si基板3、绝缘层4、高电阻Si基板5及Si光电二极管20,构成对于配置于凹部6内之InGaAs光电二极管30之气密密封封装,且借由低电阻Si基板3之电通路部8及配线膜15,达成对于Si光电二极管20及InGaAs光电二极管30之电性配线。并且,使Si光电二极管20之p型区域22设于Si基板21之背面21b侧之部份,而相对地使InGaAs光电二极管30之p型区域32设于InGaAs基板31之表面31a侧之部份。

5. 发明专利

TW201248842A 光二極體陣列模組及其製造方法审中-公开
简体标题：光二极管数组模块及其制造方法
公开(公告)号：TW201248842A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW101111585
申请日：2012-03-30
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司
发明人：石原正敏 , 井上直 , 山本宙和
IPC分类号： H01L , G01J
CPC分类号： H01L27/14609 , H01L27/146 , H01L27/14634 , H01L27/14694 , H01L2224/16135 , H01L2224/16148 , H01L2224/73204 , H04N1/03
摘要：本發明之光二極體陣列模組中,由於第1半導體基板1與第2半導體基板2之材料不同,因此對相互不同之波長頻帶之入射光具有感度。光二極體陣列之各光二極體連接於第1半導體基板1之放大器。根據該方法,於蝕刻第2半導體基板2後,切割其蝕刻槽之最深部,藉此將第2半導體基板2自晶圓分離。由蝕刻而顯現之側面內之結晶缺陷密度小於由切割而顯現之側面內之結晶缺陷密度。由於無需去除位於第2半導體基板2之端部之光二極體,因此可抑制光二極體數之減少。
简体摘要：本发明之光二极管数组模块中,由于第1半导体基板1与第2半导体基板2之材料不同,因此对相互不同之波长频带之入射光具有感度。光二极管数组之各光二极管连接于第1半导体基板1之放大器。根据该方法,于蚀刻第2半导体基板2后,切割其蚀刻槽之最深部,借此将第2半导体基板2自晶圆分离。由蚀刻而显现之侧面内之结晶缺陷密度小于由切割而显现之侧面内之结晶缺陷密度。由于无需去除位于第2半导体基板2之端部之光二极管,因此可抑制光二极管数之减少。

6. 发明专利

TWI671508B 熱測量器型ＴＨｚ檢測器有权
简体标题：热测量器型ＴＨｚ检测器
公开(公告)号：TWI671508B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW105101106
申请日：2016-01-14
申请人：日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K. K.
发明人：北浦隆介 , KITAURA, RYUSUKE , 石原正敏 , ISHIHARA, MASATOSHI , 山崎理弘 , YAMAZAKI, MASAHIRO , 高橋宏典 , TAKAHASHI, HIRONORI
IPC分类号： G01J5/10

7. 发明专利

TW201629446A 熱測量器型ＴＨｚ檢測器审中-公开
简体标题：热测量器型ＴＨｚ检测器
公开(公告)号：TW201629446A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW105101106
申请日：2016-01-14
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K. K.
发明人：北浦隆介 , KITAURA, RYUSUKE , 石原正敏 , ISHIHARA, MASATOSHI , 山崎理弘 , YAMAZAKI, MASAHIRO , 高橋宏典 , TAKAHASHI, HIRONORI
IPC分类号： G01J5/10
CPC分类号： G01J1/02 , G01N21/3581 , G01R29/08 , H01Q19/30
摘要：本發明之熱測量器型THz檢測器具備接收並放射波長λ之THz波之指向性天線1、與指向性天線1對向配置之受信天線2、及檢測由流經受信天線2之電流引起之發熱的熱測量器4，且指向性天線1在平面觀察下係與受信天線2重疊，指向性天線1之長度方向長被設定為較受信天線2之長度方向長為短。
简体摘要：本发明之热测量器型THz检测器具备接收并放射波长λ之THz波之指向性天线1、与指向性天线1对向配置之受信天线2、及检测由流经受信天线2之电流引起之发热的热测量器4，且指向性天线1在平面观察下系与受信天线2重叠，指向性天线1之长度方向长被设置为较受信天线2之长度方向长为短。

8. 发明专利

TW201246525A 光二極體陣列模組及其製造方法审中-公开
简体标题：光二极管数组模块及其制造方法
公开(公告)号：TW201246525A
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：TW101111586
申请日：2012-03-30
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司
发明人：石原正敏 , 井上直 , 山本宙和
IPC分类号： H01L , G01J
CPC分类号： H01L27/14645 , H01L25/167 , H01L27/14634 , H01L27/14694 , H01L2224/16225 , H01L2924/0002 , H04N1/03 , H01L2924/00
摘要：本發明之光二極體陣列模組包含：第1半導體基板2，其含有感應第1波長頻帶之光之第1光二極體陣列；第2半導體基板2'，其含有感應第2波長頻帶之光之第2光二極體陣列；及第3半導體基板3，其形成有複數個放大器AMP，並且將第1及第2半導體基板2、2'不重疊地橫向排列，將各光二極體經由凸塊而連接於放大器AMP。於第1半導體基板2及第2半導體基板2'之鄰接之端部形成有階差部，藉此，即便於使各像素遍及雙方之基板而連續地排列之情形時，亦可以低雜訊進行測量。
简体摘要：本发明之光二极管数组模块包含：第1半导体基板2，其含有感应第1波长频带之光之第1光二极管数组；第2半导体基板2'，其含有感应第2波长频带之光之第2光二极管数组；及第3半导体基板3，其形成有复数个放大器AMP，并且将第1及第2半导体基板2、2'不重叠地横向排列，将各光二极管经由凸块而连接于放大器AMP。于第1半导体基板2及第2半导体基板2'之邻接之端部形成有阶差部，借此，即便于使各像素遍及双方之基板而连续地排列之情形时，亦可以低噪声进行测量。

9. 发明专利

TW201144778A 兆赫波檢測器及其製造方法审中-公开
简体标题：兆赫波检测器及其制造方法
公开(公告)号：TW201144778A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW100112678
申请日：2011-04-12
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司
发明人：鈴木順 , 石原正敏 , 尾島史一 , 北浦隆介 , 山崎理弘
IPC分类号： G01J
CPC分类号： G01J5/20 , G01J3/42 , G01J5/045 , G01J5/08 , G01J5/0837
摘要：本發明之兆赫波檢測器1包含:以形成內部空間2的方式相互接合之基板3及基板4;形成於基板3上,接收兆赫波並轉換成電流之天線本體11;在內部空間2中經由空隙被支持於基板4上之絕緣膜12;形成於絕緣膜12之一面12a,對應於由天線本體11轉換之電流而產生熱之電阻膜13;形成於絕緣膜12之另一面12b,且電阻値對應於由電阻膜13產生之熱而變化之輻射熱計膜14;形成於基板4,與天線本體11及電阻膜13電性連接,以便將電流從天線本體11供給至電阻膜13之天線配線15;及形成於基板4,與輻射熱計膜14電性連接,以便獲取對應於電阻値之信號之輻射熱計配線16。
简体摘要：本发明之兆赫波检测器1包含:以形成内部空间2的方式相互接合之基板3及基板4;形成于基板3上,接收兆赫波并转换成电流之天线本体11;在内部空间2中经由空隙被支持于基板4上之绝缘膜12;形成于绝缘膜12之一面12a,对应于由天线本体11转换之电流而产生热之电阻膜13;形成于绝缘膜12之另一面12b,且电阻値对应于由电阻膜13产生之热而变化之辐射热计膜14;形成于基板4,与天线本体11及电阻膜13电性连接,以便将电流从天线本体11供给至电阻膜13之天线配线15;及形成于基板4,与辐射热计膜14电性连接,以便获取对应于电阻値之信号之辐射热计配线16。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式