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1. 发明专利

TWI508062B 非揮發ＣＭＯＳ相容邏輯電路與相關操作方法有权
简体标题：非挥发ＣＭＯＳ兼容逻辑电路与相关操作方法
公开(公告)号：TWI508062B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW101100570
申请日：2012-01-06
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：陳安 , CHEN, AN , 柯瑞歐卡皮柔拉恩 , KRIVOKAPIC, ZORAN
IPC分类号： G11C11/15 , H01L43/12
CPC分类号： H03K19/20 , H03K19/19

2. 发明专利

TW201741224A MEMS為基礎的共振鰭式場效電晶體审中-公开
简体标题： MEMS为基础的共振鳍式场效应管
公开(公告)号：TW201741224A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105138838
申请日：2016-11-25
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：巴爾畢奇歐 , BAHR, BICHOY , 克里佛卡皮茨佐蘭 , KRIVOKAPIC, ZORAN
IPC分类号： B81B1/00 , H01L29/78 , H03H9/24
CPC分类号： B81B3/0021 , B81B2201/0271 , H01L29/785 , H03H9/2405 , H03H2009/02314
摘要：本發明關於一種半導體結構，包括半導體基板、耦接至該半導體基板的鰭片、在該等鰭片上的FinFET、用於該等FinFET的共閘極、在該半導體基板上的介電層、以及在該等FinFET上面的互連結構，該介電層圍繞空腔且該半導體基板通過全內反射提供該聲腔的底端約束，該互連結構包括用以將該空腔中的聲能約束的(複數個)聲子晶體，包括合夾於兩個介電層間的該空腔及(複數個)金屬層。該半導體結構可在FinFET的FEOL製作期間，通過在半導體基板的表面上形成空腔來實現。接著，在製作該FinFET之後，就該FinFET形成互連結構。在形成該互連結構期間，該互連結構的材料用於形成用以將介於該聲子晶體與該半導體基板間的空腔約束的聲子晶體。
简体摘要：本发明关于一种半导体结构，包括半导体基板、耦接至该半导体基板的鳍片、在该等鳍片上的FinFET、用于该等FinFET的共闸极、在该半导体基板上的介电层、以及在该等FinFET上面的互链接构，该介电层围绕空腔且该半导体基板通过全内反射提供该声腔的底端约束，该互链接构包括用以将该空腔中的声能约束的(复数个)声子晶体，包括合夹于两个介电层间的该空腔及(复数个)金属层。该半导体结构可在FinFET的FEOL制作期间，通过在半导体基板的表面上形成空腔来实现。接着，在制作该FinFET之后，就该FinFET形成互链接构。在形成该互链接构期间，该互链接构的材料用于形成用以将介于该声子晶体与该半导体基板间的空腔约束的声子晶体。

3. 发明专利

TWI641550B ＭＥＭＳ為基礎的共振鰭式場效電晶體有权
简体标题：ＭＥＭＳ为基础的共振鳍式场效应管
公开(公告)号：TWI641550B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW105138838
申请日：2016-11-25
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：巴爾畢奇歐 , BAHR, BICHOY , 克里佛卡皮茨佐蘭 , KRIVOKAPIC, ZORAN
IPC分类号： B81B1/00 , H01L29/78 , H03H9/24

4. 发明专利

TWI628744B 在ＩＣ裝置之高頻ＲＢＴ中利用壓電材料作為閘極介電質之方法有权
简体标题：在ＩＣ设备之高频ＲＢＴ中利用压电材料作为闸极介电质之方法
公开(公告)号：TWI628744B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW105138841
申请日：2016-11-25
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：克里佛卡皮茨佐蘭 , KRIVOKAPIC, ZORAN , 巴爾畢奇歐 , BAHR, BICHOY
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/60

5. 发明专利

TW201733008A 在ＩＣ裝置之高頻ＲＢＴ中利用壓電材料作為閘極介電質之方法审中-公开
简体标题：在ＩＣ设备之高频ＲＢＴ中利用压电材料作为闸极介电质之方法
公开(公告)号：TW201733008A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105138841
申请日：2016-11-25
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：克里佛卡皮茨佐蘭 , KRIVOKAPIC, ZORAN , 巴爾畢奇歐 , BAHR, BICHOY
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/60
CPC分类号： H01L41/107 , H01L29/78391 , H01L29/84 , H01L41/0474 , H01L41/29
摘要：本發明為利用壓電材料作為一積體電路裝置中的RBT中的一閘極介電層，以產生並感測高品質的更高頻率的信號的方法及其裝置。本發明的實施例包括形成包含多個感測RBT與驅動RBT的RBT於一半導體層的一上表面上，各該RBT包括一壓電閘極介電層、一閘極、以及位於該壓電閘極介電層的相對側上與閘極上的一介電間隔，其中，至少一對感測RBT直接位於兩組驅動RBT之間；形成通過層間介電層分隔的金屬層於該RBT上方；以及形成通孔以通過該RBT上方的一介電層連接該RBT至一金屬層。
简体摘要：本发明为利用压电材料作为一集成电路设备中的RBT中的一闸极介电层，以产生并传感高品质的更高频率的信号的方法及其设备。本发明的实施例包括形成包含多个传感RBT与驱动RBT的RBT于一半导体层的一上表面上，各该RBT包括一压电闸极介电层、一闸极、以及位于该压电闸极介电层的相对侧上与闸极上的一介电间隔，其中，至少一对传感RBT直接位于两组驱动RBT之间；形成通过层间介电层分隔的金属层于该RBT上方；以及形成通孔以通过该RBT上方的一介电层连接该RBT至一金属层。

6. 发明专利

TW201430958A 於銅基導體結構上形成石墨襯墊及／或蓋罩層之方法审中-公开
简体标题：于铜基导体结构上形成石墨衬垫及／或盖罩层之方法
公开(公告)号：TW201430958A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102139271
申请日：2013-10-30
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：萊恩埃羅爾T , RYAN, ERROL T. , 克里佛卡皮茨佐蘭 , KRIVOKAPIC, ZORAN , 張洵淵 , ZHANG, XUNYUAN , 威特克里斯汀 , WITT, CHRISTIAN , 何銘 , HE, MING , 趙烈 , ZHAO, LARRY
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76867 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明涉及在銅基導體結構上形成石墨襯墊及/或蓋罩層的方法，本發明的一種例示的方法包括在絕緣材料層中形成溝槽/通孔、至少在該溝槽/通孔中形成石墨襯墊層、在該石墨襯墊層上形成銅基晶種層、在該銅基晶種層上沉積塊材銅基材料以使其填滿溢出該溝槽/通孔、以及實行至少一化學機械研磨製程以至少移除位於該溝槽/通孔之外的該塊材銅基材料以及該銅基晶種層的超出量，藉此定義銅基導體結構，其具有設於該銅基導體結構及該絕緣材料層之間的石墨襯墊層。
简体摘要：本发明涉及在铜基导体结构上形成石墨衬垫及/或盖罩层的方法，本发明的一种例示的方法包括在绝缘材料层中形成沟槽/通孔、至少在该沟槽/通孔中形成石墨衬垫层、在该石墨衬垫层上形成铜基晶种层、在该铜基晶种层上沉积块材铜基材料以使其填满溢出该沟槽/通孔、以及实行至少一化学机械研磨制程以至少移除位于该沟槽/通孔之外的该块材铜基材料以及该铜基晶种层的超出量，借此定义铜基导体结构，其具有设于该铜基导体结构及该绝缘材料层之间的石墨衬垫层。

7. 发明专利

TWI690985B 閘極電極結構中的負電容匹配及其製造方法有权
简体标题：闸极电极结构中的负电容匹配及其制造方法
公开(公告)号：TWI690985B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW107136194
申请日：2018-10-15
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：蓋拉特吉羅希特 , GALATAGE, ROHIT , 賓利史蒂芬 , BENTLEY, STEVEN , 蘇瓦納帕尼特哈瑞漢德拉 , SUVARNA, PUNEET HARISCHANDRA , 克里佛卡皮茨佐蘭 , KRIVOKAPIC, ZORAN
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/66

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