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1. 发明专利

TW201407842A 非揮發性半導體記憶裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：非挥发性半导体记忆设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201407842A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW102139988
申请日：2010-02-22
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：永島宏行 , NAGASHIMA, HIROYUKI
IPC分类号： H01L45/00 , G11C16/06
CPC分类号： H01L27/2481 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1675
摘要：本發明之非揮發性半導體記憶裝置之特徵在於：使具有由具備互相交叉之複數之第1及第2配線、及設於該等複數之第1及第2配線之各交叉部之記憶體單元的記憶體單元層以複數積層而成之記憶體單元陣列；前述記憶體單元具有於前述記憶體單元陣列之積層方向積層之可變電阻元件及非歐姆元件；前述記憶體單元層之下層至上層係剖面積逐漸變小之錐形形狀；特定之前述記憶體單元層之記憶體單元之前述可變電阻元件及非歐姆元件之積層順序，與其他前述記憶體單元層之記憶體單元之前述可變電阻元件及非歐姆元件之積層順序相同。
简体摘要：本发明之非挥发性半导体记忆设备之特征在于：使具有由具备互相交叉之复数之第1及第2配线、及设于该等复数之第1及第2配线之各交叉部之内存单元的内存单元层以复数积层而成之内存单元数组；前述内存单元具有于前述内存单元数组之积层方向积层之可变电阻组件及非欧姆组件；前述内存单元层之下层至上层系剖面积逐渐变小之锥形形状；特定之前述内存单元层之内存单元之前述可变电阻组件及非欧姆组件之积层顺序，与其他前述内存单元层之内存单元之前述可变电阻组件及非欧姆组件之积层顺序相同。

2. 发明专利

TWI517156B 半導體記憶裝置有权
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI517156B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW102131356
申请日：2009-02-10
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：永島宏行 , NAGASHIMA, HIROYUKI , 常盤直哉 , TOKIWA, NAOYA
IPC分类号： G11C13/00 , G11C7/22
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C5/02 , G11C5/04 , G11C8/04 , G11C8/10 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0023 , G11C13/0038 , G11C13/0061 , G11C13/0064 , G11C2013/0078 , G11C2013/0092 , G11C2213/31 , G11C2213/71 , G11C2213/72

3. 发明专利

TWI433362B 非揮發性半導體記憶裝置有权
简体标题：非挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI433362B
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW097140479
申请日：2008-10-22
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：永島宏行 , NAGASHIMA, HIROYUKI , 久保光一 , KUBO, KOICHI , 井上裕文 , INOUE, HIROFUMI
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/24 , G11C13/00
CPC分类号： H01L27/2463 , H01L27/101 , H01L27/112 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/085 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1675

4. 发明专利

TW201021260A 非揮發性半導體記憶裝置失效
简体标题：非挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201021260A
公开(公告)日：2010-06-01
申请号：TW098128095
申请日：2009-08-20
申请人：東芝股份有限公司
发明人：村岡浩一 , 永島宏行
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G11C13/003 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0014 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/76 , H01L27/101 , H01L27/2418 , H01L27/2463
摘要：本發明之非揮發性半導體記憶裝置係具備：第1配線層；記憶單元部，其於第1配線層上積層有以金屬膜夾著絕緣膜之MIM結構之非歐姆元件層與可變電阻元件層；及形成於記憶單元部上之第2配線層；且，非歐姆元件層之絕緣膜係包含電子障壁與介電常數不同之複數層，或包含於該絕緣膜中形成缺陷能階之雜質原子、半導體之點或金屬之點。藉由使用該等結構，可實現使用可進行記憶單元之細微化與低溫成膜之可變電阻元件及非歐姆元件的非揮發性半導體記憶裝置。
简体摘要：本发明之非挥发性半导体记忆设备系具备：第1配线层；记忆单元部，其于第1配线层上积层有以金属膜夹着绝缘膜之MIM结构之非欧姆组件层与可变电阻组件层；及形成于记忆单元部上之第2配线层；且，非欧姆组件层之绝缘膜系包含电子障壁与介电常数不同之复数层，或包含于该绝缘膜中形成缺陷能阶之杂质原子、半导体之点或金属之点。借由使用该等结构，可实现使用可进行记忆单元之细微化与低温成膜之可变电阻组件及非欧姆组件的非挥发性半导体记忆设备。

5. 发明专利

TW200951956A 半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TW200951956A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：TW098104195
申请日：2009-02-10
申请人：東芝股份有限公司
发明人：永島宏行 , 常盤直哉
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C5/02 , G11C5/04 , G11C8/04 , G11C8/10 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0023 , G11C13/0038 , G11C13/0061 , G11C13/0064 , G11C2013/0078 , G11C2013/0092 , G11C2213/31 , G11C2213/71 , G11C2213/72
摘要：本發明係提供一種半導體記憶裝置，其係具有各記憶體層之資料寫入、抹除、讀出特性平均化之疊層構造。本發明之半導體記憶裝置包含：複數個記憶體層，其係分別包含有胞陣列且呈多層地配置，而該胞陣列包含：互相平行之複數個第1布線、配置成與該等第1布線交叉且互相平行之複數個第2布線、以及連接於該等第1布線與第2布線之交叉部分之複數個記憶體胞；脈衝產生器，其係產生並輸出對於前述記憶體胞之資料存取所必要之脈衝；及控制機構，其係控制前述脈衝產生器，以使從前述脈衝產生器所輸出之脈衝，成為因應將要存取之記憶體胞所屬之記憶體層之能量。
简体摘要：本发明系提供一种半导体记忆设备，其系具有各内存层之数据写入、抹除、读出特性平均化之叠层构造。本发明之半导体记忆设备包含：复数个内存层，其系分别包含有胞数组且呈多层地配置，而该胞数组包含：互相平行之复数个第1布线、配置成与该等第1布线交叉且互相平行之复数个第2布线、以及连接于该等第1布线与第2布线之交叉部分之复数个内存胞；脉冲产生器，其系产生并输出对于前述内存胞之数据存取所必要之脉冲；及控制机构，其系控制前述脉冲产生器，以使从前述脉冲产生器所输出之脉冲，成为因应将要存取之内存胞所属之内存层之能量。

6. 发明专利

TW201413717A 半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201413717A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102131356
申请日：2009-02-10
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：永島宏行 , NAGASHIMA, HIROYUKI , 常盤直哉 , TOKIWA, NAOYA
IPC分类号： G11C13/00 , G11C7/22
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C5/02 , G11C5/04 , G11C8/04 , G11C8/10 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0023 , G11C13/0038 , G11C13/0061 , G11C13/0064 , G11C2013/0078 , G11C2013/0092 , G11C2213/31 , G11C2213/71 , G11C2213/72
摘要：本發明係提供一種半導體記憶裝置，其係具有各記憶體層之資料寫入、抹除、讀出特性平均化之疊層構造。本發明之半導體記憶裝置包含：複數個記憶體層，其係分別包含有胞陣列且呈多層地配置，而該胞陣列包含：互相平行之複數個第1布線、配置成與該等第1布線交叉且互相平行之複數個第2布線、以及連接於該等第1布線與第2布線之交叉部分之複數個記憶體胞；脈衝產生器，其係產生並輸出對於前述記憶體胞之資料存取所必要之脈衝；及控制機構，其係控制前述脈衝產生器，以使從前述脈衝產生器所輸出之脈衝，成為因應將要存取之記憶體胞所屬之記憶體層之能量。
简体摘要：本发明系提供一种半导体记忆设备，其系具有各内存层之数据写入、抹除、读出特性平均化之叠层构造。本发明之半导体记忆设备包含：复数个内存层，其系分别包含有胞数组且呈多层地配置，而该胞数组包含：互相平行之复数个第1布线、配置成与该等第1布线交叉且互相平行之复数个第2布线、以及连接于该等第1布线与第2布线之交叉部分之复数个内存胞；脉冲产生器，其系产生并输出对于前述内存胞之数据存取所必要之脉冲；及控制机构，其系控制前述脉冲产生器，以使从前述脉冲产生器所输出之脉冲，成为因应将要存取之内存胞所属之内存层之能量。

7. 发明专利

TWI406297B 半導體記憶裝置有权
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI406297B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：TW097140475
申请日：2008-10-22
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：永島宏行 , NAGASHIMA, HIROYUKI , 井上裕文 , INOUE, HIROFUMI
IPC分类号： G11C8/08 , H01L23/48
CPC分类号： G11C8/14 , G11C5/02 , G11C5/063 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0028 , G11C2213/31 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

8. 发明专利

TW201137884A 記憶體系統审中-公开
简体标题：内存系统
公开(公告)号：TW201137884A
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW099138212
申请日：2010-11-05
申请人：東芝股份有限公司
发明人：永島宏行
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/26 , G06F11/1048 , G06F11/3466 , G06F2201/88 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/14 , G11C16/24 , G11C16/34 , G11C16/3418
摘要：本發明之記憶體系統包括:非揮發性半導體記憶裝置,其包括具有包含複數個記憶體單元之複數個區塊之記憶體單元陣列、及可變更上述記憶體單元之讀出位準之電壓生成部;以及控制部,其對上述非揮發性半導體記憶裝置之寫入、讀出、刪除進行控制;且上述控制部於上述非揮發性半導體記憶裝置之使用開始時與時間經過後改變讀出位準。
简体摘要：本发明之内存系统包括:非挥发性半导体记忆设备,其包括具有包含复数个内存单元之复数个区块之内存单元数组、及可变更上述内存单元之读出位准之电压生成部;以及控制部,其对上述非挥发性半导体记忆设备之写入、读出、删除进行控制;且上述控制部于上述非挥发性半导体记忆设备之使用开始时与时间经过后改变读出位准。

9. 发明专利

TW201007762A 非揮發性半導體記憶裝置 NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 审中-公开
简体标题：非挥发性半导体记忆设备 NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
公开(公告)号：TW201007762A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：TW098122460
申请日：2009-07-02
申请人：東芝股份有限公司
发明人：永島宏行 , 井上裕文
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C13/003 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0023 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2213/31 , G11C2213/72
摘要：一種非揮發性半導體記憶體裝置，包含：一胞陣列，其包括複數個第一線、與該複數個第一線交叉之複數個第二線，及以矩陣配置且在該等第一線與該等第二線之間的交叉點處連接在該兩種線之間的複數個記憶體胞，每一記憶體胞含有一串聯電路，該串聯電路具有一電阻經非揮發性地儲存為資料的電可抹除可程式化可變電阻元件及一非歐姆元件；及複數個存取電路，其操作以同時存取該胞陣列中之彼此實體分離的該等記憶體胞。
简体摘要：一种非挥发性半导体内存设备，包含：一胞数组，其包括复数个第一线、与该复数个第一线交叉之复数个第二线，及以矩阵配置且在该等第一线与该等第二线之间的交叉点处连接在该两种线之间的复数个内存胞，每一内存胞含有一串联电路，该串联电路具有一电阻经非挥发性地存储为数据的电可抹除可进程化可变电阻组件及一非欧姆组件；及复数个存取电路，其操作以同时存取该胞数组中之彼此实体分离的该等内存胞。

10. 发明专利

TWI497523B 非揮發性半導體記憶體裝置有权
简体标题：非挥发性半导体内存设备
公开(公告)号：TWI497523B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW098122460
申请日：2009-07-02
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：永島宏行 , NAGASHIMA, HIROYUKI , 井上裕文 , INOUE, HIROFUMI
IPC分类号： G11C7/10 , G11C7/06 , G11C16/14
CPC分类号： G11C13/003 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0023 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2213/31 , G11C2213/72

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