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1. 发明专利

TWI613682B 用於形成導電膜之組合物和導電膜的製造方法有权
简体标题：用于形成导电膜之组合物和导电膜的制造方法
公开(公告)号：TWI613682B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW103123235
申请日：2014-07-04
申请人：日商富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：津山博昭 , TSUYAMA, HIROAKI , 渡邊徹 , WATANABE, TORU , 早田佑一 , HAYATA, YUUICHI
IPC分类号： H01B5/14 , H01B13/00
CPC分类号： C09D5/24 , B22F2003/248 , C08K5/053 , C08K2003/085 , C08K2003/2248 , C09D1/00 , C09D7/40 , C09D7/61 , C09D7/63 , C09D201/00 , C22C29/12 , C22C32/0021 , C23C18/08 , H01B1/22 , H05K1/097 , H05K2203/1157

2. 发明专利

TWI534124B 鈀前驅物組成物有权
简体标题：钯前驱物组成物
公开(公告)号：TWI534124B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW101119932
申请日：2012-06-04
申请人：全錄股份有限公司 , XEROX CORPORATION
发明人：吳怡良 , WU, YILIANG , 劉平 , LIU, PING
IPC分类号： C07C211/65 , H05K3/18
CPC分类号： C23C18/08 , C09D11/52

3. 发明专利

TW201602405A 介電體基材表面之金屬化方法及附金屬膜之介電體基材审中-公开
简体标题：介电体基材表面之金属化方法及附金属膜之介电体基材
公开(公告)号：TW201602405A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104106262
申请日：2015-02-26
申请人：國立大學法人大阪大學 , OSAKA UNIVERSITY , 日油股份有限公司 , NOF CORPORATION
发明人：山村和也 , YAMAMURA, KAZUYA , 大久保雄司 , OHKUBO, YUJI , 佐藤悠 , SATO, HARUKA , 疋田真也 , HIKITA, MASAYA
IPC分类号： C23C18/08 , C23C18/04
CPC分类号： C23C18/04 , C09D7/63 , C09D11/52 , C09D151/003 , C09D151/08 , C09J5/00 , C09J9/02 , C09J11/06 , C09J151/003 , C09J151/08 , C09J2427/006 , C09J2479/086 , C23C18/08 , H01J37/32055 , H01J2237/3328
摘要：本發明係在介電體基材之表面進行使用稀有氣體之大氣壓電漿處理，生成過氧化物自由基，使接枝化劑反應，固定與銀離子配位鍵結之官能基，塗佈含有式(1)之銀化合物(A)10~50質量%與式(2)之胺化合物(B)50~90質量%的含銀之組成物，經加熱、硬化形成銀薄膜層，因無信號傳播速度之延遲或消費電力之增加，適合作為介電體基材，即使在密著性極低之氟樹脂的表面，也可形成具有高密著性的金屬膜。 (R1；氫、-(CY2)a-CH3或-((CH2)b-O-CHZ)c-CH3，R2；-(CY2)d-CH3或-((CH2)e-O-CHZ)f-CH3。Y；氫原子或-(CH2)g-CH3，Z；氫原子或-(CH2)h-CH3。a；0~8之整數、b；1~4之整數、c；1~3之整數、d；1~8之整數、e；1~4之整數、f；1~3之整數、g；1~3之整數、h；1~2之整數)。
简体摘要：本发明系在介电体基材之表面进行使用稀有气体之大气压等离子处理，生成过氧化物自由基，使接枝化剂反应，固定与银离子配位键结之官能基，涂布含有式(1)之银化合物(A)10~50质量%与式(2)之胺化合物(B)50~90质量%的含银之组成物，经加热、硬化形成银薄膜层，因无信号传播速度之延迟或消费电力之增加，适合作为介电体基材，即使在密着性极低之氟树脂的表面，也可形成具有高密着性的金属膜。 (R1；氢、-(CY2)a-CH3或-((CH2)b-O-CHZ)c-CH3，R2；-(CY2)d-CH3或-((CH2)e-O-CHZ)f-CH3。Y；氢原子或-(CH2)g-CH3，Z；氢原子或-(CH2)h-CH3。a；0~8之整数、b；1~4之整数、c；1~3之整数、d；1~8之整数、e；1~4之整数、f；1~3之整数、g；1~3之整数、h；1~2之整数)。

4. 发明专利

TWI516628B 鈷系膜形成方法、鈷系膜形成材料以及新穎化合物有权
简体标题：钴系膜形成方法、钴系膜形成材料以及新颖化合物
公开(公告)号：TWI516628B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW101136809
申请日：2012-10-05
申请人：氣相成長股份有限公司 , GAS-PHASE GROWTH LTD. , 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LTD.
发明人：町田英明 , MACHIDA, HIDEAKI , 石川真人 , ISHIKAWA, MASATO , 須藤弘 , SUDOH, HIROSHI , 河野有美子 , KAWANO, YUMIKO , 岩井和俊 , IWAI, KAZUTOSHI
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/455 , C07F15/06 , H01L21/285
CPC分类号： C23C18/08 , C07F15/065 , C23C16/18 , C23C18/04

5. 发明专利

TW201516189A 電解用電極之製造方法审中-公开
简体标题：电解用电极之制造方法
公开(公告)号：TW201516189A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103130735
申请日：2014-09-05
申请人：培爾梅烈克電極股份有限公司 , PERMELEC ELECTRODE LTD.
发明人：竹內篤實 , TAKEUCHI, ATSUMI
IPC分类号： C25D17/10
CPC分类号： C25B11/0478 , C23C18/06 , C23C18/08 , C23C18/1216 , C23C18/1283 , C23C18/1291 , C23C18/1644 , C25B11/03 , C25B11/0484 , C25B11/0494
摘要：本發明提供一種能夠將電極觸媒成分之量以適當之方式加以變更成所需的量，且能夠不損害電極性能而以經濟且有效率之方式製造高性能之電解用電極的電解用電極之製造方法。本發明之電解用電極之製造方法係包括有如下步驟：在擴張網等之具有多數個孔之導電性電極基材之正面側，塗佈含有電極觸媒成分之起始原料的塗佈液，之後進行乾燥‧煅燒，而在基材之正面側與背面側形成電極觸媒層；且基材係含有被選自Ti、Ta、Nb、Zr、Hf及Ni中之至少1種金屬或者其合金，電極觸媒成分係含有被選自Pt、Ir、Ru、Pd、Os及該等之氧化物中之至少1種，在電極觸媒層形成步驟中，針對基材至少進行1次預熱，而使即將進行塗佈塗佈液之前之基材的溫度成為高於室溫，且或者變更其溫度，藉此調整附著在基材背面側之電極觸媒成分量。
简体摘要：本发明提供一种能够将电极触媒成分之量以适当之方式加以变更成所需的量，且能够不损害电极性能而以经济且有效率之方式制造高性能之电解用电极的电解用电极之制造方法。本发明之电解用电极之制造方法系包括有如下步骤：在扩张网等之具有多数个孔之导电性电极基材之正面侧，涂布含有电极触媒成分之起始原料的涂布液，之后进行干燥‧煅烧，而在基材之正面侧与背面侧形成电极触媒层；且基材系含有被选自Ti、Ta、Nb、Zr、Hf及Ni中之至少1种金属或者其合金，电极触媒成分系含有被选自Pt、Ir、Ru、Pd、Os及该等之氧化物中之至少1种，在电极触媒层形成步骤中，针对基材至少进行1次预热，而使即将进行涂布涂布液之前之基材的温度成为高于室温，且或者变更其温度，借此调整附着在基材背面侧之电极触媒成分量。

6. 发明专利

TW201343809A 液狀組成物、金屬銅膜及導體配線、以及金屬銅膜的製造方法审中-公开
简体标题：液状组成物、金属铜膜及导体配线、以及金属铜膜的制造方法
公开(公告)号：TW201343809A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102109948
申请日：2013-03-21
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：保田貴康 , YASUDA, TAKAYASU
IPC分类号： C09D11/00 , H05K3/10 , H05K1/09 , B22F9/24 , B22F3/10
CPC分类号： C23C18/14 , C09D11/322 , C09D11/52 , C23C18/02 , C23C18/08 , H01B1/20 , H05K1/097 , H05K3/105 , H05K3/125 , H05K2203/1157
摘要：本發明提供一種空隙少，導電性良好，且與基材的密接性良好的金屬銅膜。本發明還提供一種液狀組成物，其含有(a)選自由甲酸以及甲酸銅所組成的組群中的至少1種、(b)氧化銅粒子、以及(c)溶劑。
简体摘要：本发明提供一种空隙少，导电性良好，且与基材的密接性良好的金属铜膜。本发明还提供一种液状组成物，其含有(a)选自由甲酸以及甲酸铜所组成的组群中的至少1种、(b)氧化铜粒子、以及(c)溶剂。

7. 发明专利

TW201330736A 銅膜形成方法、銅膜、電路基板以及銅膜形成組成物溶液审中-公开
简体标题：铜膜形成方法、铜膜、电路基板以及铜膜形成组成物溶液
公开(公告)号：TW201330736A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101142432
申请日：2012-11-14
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：有留功 , ARITOME, ISAO , 桑田博昭 , KUWADA, HIROAKI , 望月大剛 , MOCHIZUKI, DAIGOU , 田中健朗 , TANAKA, KENROU , 下田杉郎 , SHIMODA, SUGIROU
IPC分类号： H05K3/02 , H05K1/09 , H05K1/05
CPC分类号： C23C18/1676 , C23C18/08 , C23C18/1682 , C23C18/1692 , C23C18/40
摘要：本發明提供一種可不使用還原性氣體而形成低電阻值的銅膜的銅膜形成方法，並提供一種銅膜及電路基板，提供一種用於上述方法中的銅膜形成組成物溶液。本發明藉由含有（A）甲酸銅或其水合物與（B）胺而製備形成銅膜的銅膜形成組成物溶液。使用銅膜形成組成物溶液形成塗膜，在與（B）胺的沸點Tbp（℃）處於下述式的關係的溫度T（℃）下、於大氣下或非氧化性環境下對該塗膜進行加熱而形成銅膜。由銅膜構成銅配線而獲得電路基板。T-100≦Tbp≦T+30
简体摘要：本发明提供一种可不使用还原性气体而形成低电阻值的铜膜的铜膜形成方法，并提供一种铜膜及电路基板，提供一种用于上述方法中的铜膜形成组成物溶液。本发明借由含有（A）甲酸铜或其水合物与（B）胺而制备形成铜膜的铜膜形成组成物溶液。使用铜膜形成组成物溶液形成涂膜，在与（B）胺的沸点Tbp（℃）处于下述式的关系的温度T（℃）下、于大气下或非氧化性环境下对该涂膜进行加热而形成铜膜。由铜膜构成铜配线而获得电路基板。T-100≦Tbp≦T+30

8. 发明专利

TW201142077A 圖型狀導電性膜之形成方法审中-公开
简体标题：图型状导电性膜之形成方法
公开(公告)号：TW201142077A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW100103425
申请日：2011-01-28
申请人：獨立行政法人科學技術振興機構 , JSR股份有限公司
发明人：下田達也 , 松木安生 , 申仲榮
IPC分类号： C23C , H05K
CPC分类号： C23C18/1603 , C23C18/06 , C23C18/08 , C23C18/10 , C23C18/42 , C23C22/73 , H05K3/182 , H05K2203/0709 , H05K2203/1105 , Y10T428/12028 , Y10T428/12493 , Y10T428/1275 , Y10T428/24917
摘要：本發明係有關一種圖型狀導電性膜之形成方法，其特徵為，經歷50至120℃之溫度下使由粗鉑微結晶粒子形成之層以圖型狀形成之基板，接觸胺化合物及氫化鋁之錯合物之步驟。本發明可提供，無需厚重大型裝置下簡易形成，可確保與基板之間之電氣性接合，適用於多數電子裝置之圖型狀導電性層之方法。
简体摘要：本发明系有关一种图型状导电性膜之形成方法，其特征为，经历50至120℃之温度下使由粗铂微结晶粒子形成之层以图型状形成之基板，接触胺化合物及氢化铝之错合物之步骤。本发明可提供，无需厚重大型设备下简易形成，可确保与基板之间之电气性接合，适用于多数电子设备之图型状导电性层之方法。

9. 发明专利

TW201132794A 製得含銀結構物的方法，包含該含銀結構物之產物及其用途 PROCESS FOR OBTAINING SILVER-CONTAINING STRUCTURES, PRODUCTS COMPRISING THE SILVER-CONTAINING STRUCTURES AND USE THEREOF 审中-公开
简体标题：制得含银结构物的方法，包含该含银结构物之产物及其用途 PROCESS FOR OBTAINING SILVER-CONTAINING STRUCTURES, PRODUCTS COMPRISING THE SILVER-CONTAINING STRUCTURES AND USE THEREOF
公开(公告)号：TW201132794A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099138848
申请日：2010-11-11
申请人：贏創德固賽有限責任公司
发明人：亞寧沃克 , 史堤格喬根
IPC分类号： C23C , H05K
CPC分类号： C23C18/08 , C23C18/14 , H05K1/092 , H05K3/106
摘要：本發明有關從至少一種化學銀化合物製得含銀結構物的方法，其包括以下步驟：a)提供基材，b)將含有該化學銀化合物之組成物施加於該基材，c)隨意地乾燥塗覆有該組成物的該基材，及d)將該基材上至少一部分的該含有化學銀化合物之組成物轉化成含銀結構物，其中該化學銀化合物為乳酸銀且該轉化作用係藉由i)以選自電磁輻射及電子束的輻射照射該基材上之待轉化的該含乳酸銀組成物部分，及ii)對整體的該經塗覆基材供應熱能來進行；本發明亦有關包含該含銀結構物之電氣產物及電子產物；及有關該含銀結構物的用途。
简体摘要：本发明有关从至少一种化学银化合物制得含银结构物的方法，其包括以下步骤：a)提供基材，b)将含有该化学银化合物之组成物施加于该基材，c)随意地干燥涂覆有该组成物的该基材，及d)将该基材上至少一部分的该含有化学银化合物之组成物转化成含银结构物，其中该化学银化合物为乳酸银且该转化作用系借由i)以选自电磁辐射及电子束的辐射照射该基材上之待转化的该含乳酸银组成物部分，及ii)对整体的该经涂覆基材供应热能来进行；本发明亦有关包含该含银结构物之电气产物及电子产物；及有关该含银结构物的用途。

10. 发明专利

TWI348549B 一種使用ＤＮＡ為媒介之靜電補捉技術做為奈米顆粒組裝的方法 ASSEMBLY OF NANO-PARTICLES USING DNA-MEDIATED CHARGE TRAPPING 有权
简体标题：一种使用ＤＮＡ为媒介之静电补捉技术做为奈米颗粒组装的方法 ASSEMBLY OF NANO-PARTICLES USING DNA-MEDIATED CHARGE TRAPPING
公开(公告)号：TWI348549B
公开(公告)日：2011-09-11
申请号：TW096144637
申请日：2007-11-23
申请人：中央研究院
发明人：陳啟東 , 林宏一 , 蔡麗珠
IPC分类号： G01N
CPC分类号： C23C18/02 , B22F1/0022 , B22F1/0062 , B22F2998/00 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C23C18/04 , C23C18/06 , C23C18/08 , C23C18/42 , H01L21/32051 , H01L51/0093 , H01L2221/1094 , Y02P10/295 , B22F3/1055
摘要：本發明為一種產生具有單顆粒解析度之一維金奈米顆粒式樣的方法，其中線寬度僅由顆粒尺寸所限制。首先，使用一種集中的電子束在SiO2表面上產生一個正電荷層。然後使用正電荷吸引經生物素修飾之DNA分子藉以進一步吸引金奈米顆粒形成以電荷式樣為基礎的顆粒排列。由於不同金膠顆粒之間的排斥力，在單線式樣內的顆粒以有次序的方式分開。單線式樣排列的顆粒在奈米光子和奈米電子方面具有應用的潛力。在奈米電子方面，單線的式樣可做為高或低電阻之奈米導線的態樣。在極高的容許電流密度下，低電阻導線顯示線性電流－電壓特性。在低溫下，高電阻導線顯示具有清楚之庫倫振盪現像，這是在單電子電晶體內的電荷效應，所以本發明的方法能產生連接奈米導線和單電子電晶體。此外，此種方法具有積體電路製造的靈活度和可能性。
简体摘要：本发明为一种产生具有单颗粒分辨率之一维金奈米颗粒式样的方法，其中线宽度仅由颗粒尺寸所限制。首先，使用一种集中的电子束在SiO2表面上产生一个正电荷层。然后使用正电荷吸引经生物素修饰之DNA分子借以进一步吸引金奈米颗粒形成以电荷式样为基础的颗粒排列。由于不同金胶颗粒之间的排斥力，在单线式样内的颗粒以有次序的方式分开。单线式样排列的颗粒在奈米光子和奈米电子方面具有应用的潜力。在奈米电子方面，单线的式样可做为高或低电阻之奈米导线的态样。在极高的容许电流密度下，低电阻导线显示线性电流－电压特性。在低温下，高电阻导线显示具有清楚之库伦振荡现像，这是在单电子晶体管内的电荷效应，所以本发明的方法能产生连接奈米导线和单电子晶体管。此外，此种方法具有集成电路制造的灵活度和可能性。

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