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1. 发明专利

TW302508B 電漿處理方法及電漿蝕刻方法失效
简体标题：等离子处理方法及等离子蚀刻方法
公开(公告)号：TW302508B
公开(公告)日：1997-04-11
申请号：TW084112784
申请日：1995-11-30
申请人：東京電子股份有限公司
发明人：土屋浩 , 今福光祐 , 內藤幸男 , 望月修二 , 深澤義男
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32165 , H01J37/3299 , H01J2237/3343
摘要：本發明係關於半導體製程之電漿處理方法及電漿蝕刻方法。其構成為，電漿蝕刻裝置，係具備有可設定成減壓狀態之處理容器；該處理容器係配設，有載置半導體晶圓之下側電極，及與下側電極相對之上側電極；下側電極及上側電極，分別連接著RF電源，可施加相位及電力比被分別控制之第１及第２高頻電力；為了使蝕刻率，蝕刻率之面內均一性，及蝕刻選擇比等之蝕刻特性為一定值，選擇第１及第２高頻電力之頻率，電力值及包含相對相位之參數值；在蝕刻中，第１及第２高頻電力，被個別的檢測器所監視．介由控制手段，維持在初始設定值。
简体摘要：本发明系关于半导体制程之等离子处理方法及等离子蚀刻方法。其构成为，等离子蚀刻设备，系具备有可设置成减压状态之处理容器；该处理容器系配设，有载置半导体晶圆之下侧电极，及与下侧电极相对之上侧电极；下侧电极及上侧电极，分别连接着RF电源，可施加相位及电力比被分别控制之第１及第２高频电力；为了使蚀刻率，蚀刻率之面内均一性，及蚀刻选择比等之蚀刻特性为一定值，选择第１及第２高频电力之频率，电力值及包含相对相位之参数值；在蚀刻中，第１及第２高频电力，被个别的检测器所监视．介由控制手段，维持在初始设置值。

2. 发明专利

TW209929B 電漿加工方法失效
简体标题：等离子加工方法
公开(公告)号：TW209929B
公开(公告)日：1993-07-21
申请号：TW080107077
申请日：1991-09-06
申请人：東京電子股份有限公司
发明人：百瀨賢次 , 深澤義男
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/32009 , H01J37/32321
摘要：以電漿來蝕刻工作件。首先，提供一室，其中一對電極平行隔開、電極在其間界定電漿產生區。工作件在室中。將室抽空，所要的電漿產生氣體引入電漿產生區。將電漿產生區中的氣體輻射具有不超過４３６ｎｍ之波長的光一段預定期間。然後，施加高頻功率橫跨電極，以從電漿產生氣體產生電漿。以產生的電漿來蝕刻工作件。
简体摘要：以等离子来蚀刻工作件。首先，提供一室，其中一对电极平行隔开、电极在其间界定等离子产生区。工作件在室中。将室抽空，所要的等离子产生气体引入等离子产生区。将等离子产生区中的气体辐射具有不超过４３６ｎｍ之波长的光一段预定期间。然后，施加高频功率横跨电极，以从等离子产生气体产生等离子。以产生的等离子来蚀刻工作件。

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