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    • 1. 发明专利
    • 電漿處理裝置及電漿處理方法
    • 等离子处理设备及等离子处理方法
    • TW202004906A
    • 2020-01-16
    • TW108117292
    • 2019-05-20
    • 日商東京威力科創股份有限公司TOKYO ELECTRON LIMITED
    • 內田陽平UCHIDA, YOHEI水野雄介MIZUNO, YUSUKE
    • H01L21/3065
    • 本發明之課題在於抑制隨著邊緣環之消耗而形成於被處理體上之洞之斜率之變動。 本發明之電漿處理裝置具備處理室、載置台、邊緣環、遮蔽構件及變更部。處理室對被處理體進行電漿處理。載置台設置於處理室之內部,具有載置被處理體之載置面。邊緣環以包圍載置於載置面之被處理體之方式設置於載置台之周圍。遮蔽構件能夠遮蔽邊緣環之表面之一部分以避免產生於處理室內之電漿。變更部藉由使遮蔽構件相對於邊緣環移動而變更暴露於電漿中之邊緣環之面積。
    • 本发明之课题在于抑制随着边缘环之消耗而形成于被处理体上之洞之斜率之变动。 本发明之等离子处理设备具备处理室、载置台、边缘环、屏蔽构件及变更部。处理室对被处理体进行等离子处理。载置台设置于处理室之内部,具有载置被处理体之载置面。边缘环以包围载置于载置面之被处理体之方式设置于载置台之周围。屏蔽构件能够屏蔽边缘环之表面之一部分以避免产生于处理室内之等离子。变更部借由使屏蔽构件相对于边缘环移动而变更暴露于等离子中之边缘环之面积。