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1. 发明专利

TW201332017A 半導體裝置之製造方法及半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法及半导体设备
公开(公告)号：TW201332017A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101138080
申请日：2012-10-16
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：根本剛直 , NEMOTO, TAKENAO , 橫堀壽光 , YOKOBORI, TOSHIMITSU
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76883 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種半導體裝置之製造方法，藉由抑制Cu配線內之空孔的集中，來抑制Cu配線內之孔隙(void)的形成，以抑制例如雙層配線系統的介層孔連接部等處發生所謂的應力遷移(stress migration)之斷線等配線不良。該半導體裝置之製造方法係具有鑲嵌配線構造之半導體裝置之製造方法，其係在配線形成後進行將被處理基板加熱及除熱之熱循環工序。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备之制造方法，借由抑制Cu配线内之空孔的集中，来抑制Cu配线内之孔隙(void)的形成，以抑制例如双层配线系统的介层孔连接部等处发生所谓的应力迁移(stress migration)之断线等配线不良。该半导体设备之制造方法系具有镶嵌配线构造之半导体设备之制造方法，其系在配线形成后进行将被处理基板加热及除热之热循环工序。

2. 发明专利

TW201401375A 半導體裝置之製造方法及半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法及半导体设备
公开(公告)号：TW201401375A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102106054
申请日：2013-02-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 日本泉瑞股份有限公司 , ZEON CORPORATION , 國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：根本剛直 , NEMOTO, TAKENAO , 齊藤武尚 , SAITO, TAKEHISA , 富田祐吾 , TOMITA, YUGO , 松本裕一 , MATSUMOTO, HIROKAZU , 白鳥彰秀 , SHIROTORI, AKIHIDE , 寺本章伸 , TERAMOTO, AKINOBU , 谷勛 , GU, XUN
IPC分类号： H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/768 , H01J37/32192 , H01L21/02063 , H01L21/0212 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/02274 , H01L21/31058 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/3205 , H01L21/76801 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L21/76831 , H01L23/53204 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種可達成提高絕緣膜與配線組件之密著性及可靠性的半導體裝置之製造方法及半導體裝置。半導體裝置之製造方法中，包含有：於半導體基板上形成CF膜的步驟；於CF膜形成對應配線圖樣之溝部的步驟；以及於溝部埋入作為配線組件之銅的步驟。
简体摘要：本发明提供一种可达成提高绝缘膜与配线组件之密着性及可靠性的半导体设备之制造方法及半导体设备。半导体设备之制造方法中，包含有：于半导体基板上形成CF膜的步骤；于CF膜形成对应配线图样之沟部的步骤；以及于沟部埋入作为配线组件之铜的步骤。

3. 发明专利

TWI512890B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI512890B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW099126181
申请日：2010-08-06
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：根本剛直 , NEMOTO, TAKENAO , 大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 大橋朋貢 , OHASHI, TOMOTSUGU , 後藤哲也 , GOTO, TETSUYA
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/31612 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/30604 , H01L21/76898

4. 发明专利

TW201327758A 半導體裝置及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201327758A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101132465
申请日：2012-09-06
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：根本剛直 , NEMOTO, TAKENAO , 寺本章伸 , TERAMOTO, AKINOBU , 谷勛 , GU, SHUN
IPC分类号： H01L23/52 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/76831 , H01L21/76846 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：於具有鑲嵌式構造之Cu配線的半導體裝置之製造中，當進行熱處理製程之情況，可防止氟從作為層間絕緣膜之CF膜產生擴散、抑制漏電流之增加。本發明之具有鑲嵌式配線構造之半導體裝置係具備有：層間絕緣膜，係由例如添加氟之碳膜所構成；以及銅配線，係埋入於層間絕緣膜中；於層間絕緣膜與銅配線之間形成有近接於銅配線之防護金屬層、以及近接於層間絕緣膜之氟防護膜。
简体摘要：于具有镶嵌式构造之Cu配线的半导体设备之制造中，当进行热处理制程之情况，可防止氟从作为层间绝缘膜之CF膜产生扩散、抑制漏电流之增加。本发明之具有镶嵌式配线构造之半导体设备系具备有：层间绝缘膜，系由例如添加氟之碳膜所构成；以及铜配线，系埋入于层间绝缘膜中；于层间绝缘膜与铜配线之间形成有近接于铜配线之防护金属层、以及近接于层间绝缘膜之氟防护膜。

6. 发明专利

TW201423827A 電漿處理裝置及具備其之基板處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备及具备其之基板处理设备
公开(公告)号：TW201423827A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102131480
申请日：2013-09-02
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：野澤俊久 , NOZAWA, TOSHIHISA , 岩崎征英 , IWASAKI, MASAHIDE , 根本剛直 , NEMOTO, TAKENAO , 小林保男 , KOBAYASHI, YASUO , 齊藤武尚 , SAITO, TAKEHISA
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32779 , C23C16/4584 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32513 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J37/32743 , H01J37/32752 , H01J37/32788 , H01J37/32834 , H05H1/46 , H05H2001/463
摘要：本發明目的為將旋轉載置台旋轉以同時處理複數個基板時，提高旋轉載置台半徑方向上之基板表面的處理均勻性。本發明設有：旋轉載置台，係由可自由旋轉般配設於處理室內的旋轉軸所支撐，沿圓周方向複數排列設置有載置晶圓用的晶圓載置部；處理氣體供給部，係將處理氣體供給至處理室內；電漿產生部，係面向旋轉載置台而設置於處理室頂部，使產生處理氣體電漿用的複數個微波導入機構沿圓周方向呈環狀排列成一列，並從旋轉旋轉載置台時晶圓軌跡之內側直至外側，間隔般排列有複數列；以及排氣部，係對處理室內進行排氣。
简体摘要：本发明目的为将旋转载置台旋转以同时处理复数个基板时，提高旋转载置台半径方向上之基板表面的处理均匀性。本发明设有：旋转载置台，系由可自由旋转般配设于处理室内的旋转轴所支撑，沿圆周方向复数排列设置有载置晶圆用的晶圆载置部；处理气体供给部，系将处理气体供给至处理室内；等离子产生部，系面向旋转载置台而设置于处理室顶部，使产生处理气体等离子用的复数个微波导入机构沿圆周方向呈环状排列成一列，并从旋转旋转载置台时晶圆轨迹之内侧直至外侧，间隔般排列有复数列；以及排气部，系对处理室内进行排气。

7. 发明专利

TW201523703A 電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201523703A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103135573
申请日：2014-10-14
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：根本剛直 , NEMOTO, TAKENAO , 野澤俊久 , NOZAWA, TOSHIHISA
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/45561 , C23C16/4408 , C23C16/45502 , C23C16/45519 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3244
摘要：本發明之課題在於對電漿處理裝置內之處理氣體進行整流而適宜地進行電漿處理。本發明之電漿處理裝置1包括：處理容器10，其收納晶圓W；載置台20，其設置於處理容器10之底面，並載置晶圓W；第1處理氣體供給管60，其設置於處理容器10之頂面中央部，並向該處理容器10之內部供給第1處理氣體T1；第2處理氣體供給管70，其設置於處理容器10之側面，並向該處理容器10之內部供給第2處理氣體T2；整流氣體供給管80，其設置於處理容器10之側面且第2處理氣體供給管70之上方，並向處理容器10之內部供給朝向下方之整流氣體R；及輻射線槽孔天線40，其向處理容器10之內部輻射微波。
简体摘要：本发明之课题在于对等离子处理设备内之处理气体进行整流而适宜地进行等离子处理。本发明之等离子处理设备1包括：处理容器10，其收纳晶圆W；载置台20，其设置于处理容器10之底面，并载置晶圆W；第1处理气体供给管60，其设置于处理容器10之顶面中央部，并向该处理容器10之内部供给第1处理气体T1；第2处理气体供给管70，其设置于处理容器10之侧面，并向该处理容器10之内部供给第2处理气体T2；整流气体供给管80，其设置于处理容器10之侧面且第2处理气体供给管70之上方，并向处理容器10之内部供给朝向下方之整流气体R；及辐射线槽孔天线40，其向处理容器10之内部辐射微波。

8. 发明专利

TW201407669A 向被處理體注入摻雜物之方法以及電漿摻雜裝置审中-公开
简体标题：向被处理体注入掺杂物之方法以及等离子掺杂设备
公开(公告)号：TW201407669A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW102115341
申请日：2013-04-30
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：堀込正弘 , HORIGOME, MASAHIRO , 上田博一 , UEDA, HIROKAZU , 岡正浩 , OKA, MASAHIRO , 山崎政宏 , YAMAZAKI, MASAHIRO , 根本剛直 , NEMOTO, TAKENAO
IPC分类号： H01L21/22 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/2236 , H01J37/32192 , H01J37/32412 , H01J37/32449 , H01J2237/31705 , H01J2237/3365 , H01L21/2225
摘要：本發明提供一種於被處理基體植入摻雜物之方法。一實施型態之方法包含以下工序：(a)於處理容器內準備被處理基體之工序；(b)對處理容器內供應含有AsH3之摻雜氣體、非活性氣體、及H2氣體，且對該處理容器內賦予電漿激發能量，而於被處理基體植入摻雜物之工序。植入摻雜物之工序中，處理容器內之氫的分壓相對於氣體的全壓之比設定為0.0015以上0.003以下。
简体摘要：本发明提供一种于被处理基体植入掺杂物之方法。一实施型态之方法包含以下工序：(a)于处理容器内准备被处理基体之工序；(b)对处理容器内供应含有AsH3之掺杂气体、非活性气体、及H2气体，且对该处理容器内赋予等离子激发能量，而于被处理基体植入掺杂物之工序。植入掺杂物之工序中，处理容器内之氢的分压相对于气体的全压之比设置为0.0015以上0.003以下。

9. 发明专利

TW201546934A 電漿處理裝置及成膜方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及成膜方法
公开(公告)号：TW201546934A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104107472
申请日：2015-03-10
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：齊藤武尚 , SAITO, TAKEHISA , 根本剛直 , NEMOTO, TAKENAO , 山岸幸司 , YAMAGISHI, KOJI , 金子裕是 , KANEKO, HIROSHI
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/345 , C23C16/4412 , C23C16/45523 , C23C16/45529 , C23C16/45536 , C23C16/45548 , C23C16/45561 , C23C16/511 , H01J37/32119 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J2237/3321 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L43/12
摘要：本發明之目的為在電磁波放電方式的電漿處理裝置中，防止介電質窗氣體流路內的異常放電，並在短時間內實行介電質窗氣體流路內的氣體切換，俾實現使不同種類的電漿處理步驟交替地以一定的循環重複的處理程序的高速化。為了達成上述目的，本發明之電漿處理裝置，具備3個系統的氣體管線作為用來將處理氣體供給部80所提供之處理氣體導入處理室12內的氣體導入機構，亦即於介電質窗18設置氣體流路96以及氣體噴出口94的頂部氣體管線82，以及於處理室12的側壁12a在不同的高度位置分別設置氣體流路100、108以及氣體噴出口102、110的下部側壁氣體管線84以及上部側壁氣體管線86。然後，更具備連結頂部氣體管線82的第1氣體供給管90與排氣部（55、56）的旁通排氣管線116。
简体摘要：本发明之目的为在电磁波放电方式的等离子处理设备中，防止介电质窗气体流路内的异常放电，并在短时间内实行介电质窗气体流路内的气体切换，俾实现使不同种类的等离子处理步骤交替地以一定的循环重复的处理进程的高速化。为了达成上述目的，本发明之等离子处理设备，具备3个系统的气体管线作为用来将处理气体供给部80所提供之处理气体导入处理室12内的气体导入机构，亦即于介电质窗18设置气体流路96以及气体喷出口94的顶部气体管线82，以及于处理室12的侧壁12a在不同的高度位置分别设置气体流路100、108以及气体喷出口102、110的下部侧壁气体管线84以及上部侧壁气体管线86。然后，更具备链接顶部气体管线82的第1气体供给管90与排气部（55、56）的旁通排气管线116。

10. 发明专利

TWI650824B 電漿處理裝置及成膜方法有权
简体标题：等离子处理设备及成膜方法
公开(公告)号：TWI650824B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW104107472
申请日：2015-03-10
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：齊藤武尚 , SAITO, TAKEHISA , 根本剛直 , NEMOTO, TAKENAO , 山岸幸司 , YAMAGISHI, KOJI , 金子裕是 , KANEKO, HIROSHI
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/31

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