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1. 发明专利

TWI563583B 靜電夾頭及半導體／液晶製造設備有权
简体标题：静电夹头及半导体／液晶制造设备
公开(公告)号：TWI563583B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW101124751
申请日：2012-07-10
申请人：新光電氣工業股份有限公司 , SHINKO ELECTRIC INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：白岩則雄 , SHIRAIWA, NORIO
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/68
CPC分类号： H01L21/6831 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01J37/32779 , H01J37/32788 , H01L21/67109 , H01L21/68771 , H01L21/68785

2. 发明专利

TW201606913A 基板處理系統及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理系统及基板处理设备
公开(公告)号：TW201606913A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104122630
申请日：2015-07-13
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：川上聡 , KAWAKAMI, SATORU
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677
CPC分类号： H01J37/3244 , F16B5/10 , H01J37/3211 , H01J37/32743 , H01J37/32788 , H01J37/32807 , H01J37/32899 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/67069 , H01L21/67167 , H01L21/67178 , H01L21/6719 , H01L21/67248
摘要：基板處理系統(10)具備：TM(12)，其搬送被處理基板；及複數個處理單元(30)，其沿TM(12)之側面於上下方向排列而安裝有複數個，且各自對被處理基板進行處理。各處理單元(30)具有腔室(300)、簇射頭(311)、及平台(321)。腔室(300)具有：上部單元(31)，其包含於腔室(300)內形成空間之側壁(301)之一部分，且設有簇射頭(311)；及下部單元(32)，其包含腔室(300)內之側壁(301)之其餘部分，且設有平台(321)。上部單元(31)與下部單元(32)可於與複數個處理單元(30)之排列方向不同之方向上分離。
简体摘要：基板处理系统(10)具备：TM(12)，其搬送被处理基板；及复数个处理单元(30)，其沿TM(12)之侧面于上下方向排列而安装有复数个，且各自对被处理基板进行处理。各处理单元(30)具有腔室(300)、簇射头(311)、及平台(321)。腔室(300)具有：上部单元(31)，其包含于腔室(300)内形成空间之侧壁(301)之一部分，且设有簇射头(311)；及下部单元(32)，其包含腔室(300)内之侧壁(301)之其余部分，且设有平台(321)。上部单元(31)与下部单元(32)可于与复数个处理单元(30)之排列方向不同之方向上分离。

3. 发明专利

TWI390607B 基板防損系統及防損方法失效
简体标题：基板防损系统及防损方法
公开(公告)号：TWI390607B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW096141118
申请日：2007-11-01
申请人：愛德牌工程有限公司 , ADVANCED DISPLAY PROCESS ENGINEERING CO., LTD.
发明人：黃榮周 , HWANG, YOUNG JOO
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32788 , H01J37/3244 , H01L21/6831 , H01L21/68742

4. 发明专利

TWI618813B 基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及程式有权
简体标题：基板处理设备、半导体设备的制造方法及进程
公开(公告)号：TWI618813B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW105120570
申请日：2016-06-29
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：八幡橘 , YAHATA, TAKASHI , 高野智 , TAKANO, SATOSHI , 豊田一行 , TOYODA, KAZUYUKI , 松井俊 , MATSUI, SHUN
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/46 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4405 , C23C16/4412 , C23C16/45565 , C23C16/46 , C23C16/52 , H01J37/32082 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32513 , H01J37/32522 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J37/32743 , H01J37/32788 , H01J37/32862 , H01J37/32899 , H01J2237/334 , H01J2237/335 , H01L21/0217 , H01L21/0228

5. 发明专利

TW201736068A 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體审中-公开
简体标题：基板处理设备、半导体设备之制造方法及记录媒体
公开(公告)号：TW201736068A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW105108460
申请日：2016-03-18
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：蘆原洋司 , ASHIHARA, HIROSHI
IPC分类号： B25J11/00 , C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01J37/32 , H01L21/67
CPC分类号： C23C16/4412 , B25J11/0095 , C23C16/345 , C23C16/45542 , H01J37/32522 , H01J37/32743 , H01J37/32788 , H01J37/32834 , H01J37/32899 , H01L21/67167
摘要：本發明之課題在於提供一種於具有複數腔室之裝置中可實現高溫處理的技術。本發明之解決手段係具有：腔室，係於內側對基板進行處理；氣體供給部，係對腔室交替供給第一氣體與第二氣體；第一排氣配管，係將第一氣體與第二氣體進行排氣；加熱器，係設於第一排氣配管，將上述第一排氣配管加熱至較第一氣體之原料於蒸氣壓下成為氣體之溫度高的溫度；處理模組，係將複數之腔室鄰接設置而成；電器設備系統，係配置成與收容第一排氣配管之一部分的氣體盒相鄰接，並設置於各個腔室；及熱減低構造，係設置成包圍在相鄰之腔室所設置之複數第一排氣配管，減低由加熱器對上述電器設備系統的熱影響。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种于具有复数腔室之设备中可实现高温处理的技术。本发明之解决手段系具有：腔室，系于内侧对基板进行处理；气体供给部，系对腔室交替供给第一气体与第二气体；第一排气配管，系将第一气体与第二气体进行排气；加热器，系设于第一排气配管，将上述第一排气配管加热至较第一气体之原料于蒸气压下成为气体之温度高的温度；处理模块，系将复数之腔室邻接设置而成；电器设备系统，系配置成与收容第一排气配管之一部分的气体盒相邻接，并设置于各个腔室；及热减低构造，系设置成包围在相邻之腔室所设置之复数第一排气配管，减低由加热器对上述电器设备系统的热影响。

6. 发明专利

TW201423827A 電漿處理裝置及具備其之基板處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备及具备其之基板处理设备
公开(公告)号：TW201423827A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102131480
申请日：2013-09-02
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：野澤俊久 , NOZAWA, TOSHIHISA , 岩崎征英 , IWASAKI, MASAHIDE , 根本剛直 , NEMOTO, TAKENAO , 小林保男 , KOBAYASHI, YASUO , 齊藤武尚 , SAITO, TAKEHISA
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32779 , C23C16/4584 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32513 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J37/32743 , H01J37/32752 , H01J37/32788 , H01J37/32834 , H05H1/46 , H05H2001/463
摘要：本發明目的為將旋轉載置台旋轉以同時處理複數個基板時，提高旋轉載置台半徑方向上之基板表面的處理均勻性。本發明設有：旋轉載置台，係由可自由旋轉般配設於處理室內的旋轉軸所支撐，沿圓周方向複數排列設置有載置晶圓用的晶圓載置部；處理氣體供給部，係將處理氣體供給至處理室內；電漿產生部，係面向旋轉載置台而設置於處理室頂部，使產生處理氣體電漿用的複數個微波導入機構沿圓周方向呈環狀排列成一列，並從旋轉旋轉載置台時晶圓軌跡之內側直至外側，間隔般排列有複數列；以及排氣部，係對處理室內進行排氣。
简体摘要：本发明目的为将旋转载置台旋转以同时处理复数个基板时，提高旋转载置台半径方向上之基板表面的处理均匀性。本发明设有：旋转载置台，系由可自由旋转般配设于处理室内的旋转轴所支撑，沿圆周方向复数排列设置有载置晶圆用的晶圆载置部；处理气体供给部，系将处理气体供给至处理室内；等离子产生部，系面向旋转载置台而设置于处理室顶部，使产生处理气体等离子用的复数个微波导入机构沿圆周方向呈环状排列成一列，并从旋转旋转载置台时晶圆轨迹之内侧直至外侧，间隔般排列有复数列；以及排气部，系对处理室内进行排气。

7. 发明专利

TW200902755A 扁平基質用的處理系統 BEHANDLUNGSSYSTEM FUER FLACHE SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：扁平基质用的处理系统 BEHANDLUNGSSYSTEM FUER FLACHE SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200902755A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW097115809
申请日：2008-04-30
申请人：萊寶光電有限公司 LEYBOLD OPTICS GMBH
发明人：米歇爾蓋斯樂爾 GEISLER, MICHAEL , 托馬斯梅爾茲 MERZ, THOMAS , 馬利歐羅德爾 ROEDER, MARIO
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： H01J37/32568 , C23C16/4587 , C23C16/54 , H01J37/32009 , H01J37/32743 , H01J37/32788 , H01J2237/022 , H01L21/67005
摘要：一種扁平基材用的處理系統,特別是用於將扁平基材施覆一種施覆材料者,具有:-一真空室,其內設有一處理室,其中設有一第一電極及一個對立電極,以產生一電漿以將一要處理的表面作處理,並形成該處理室的二個對立的壁;氣態材料的引入手段及除去手段,特別是將施覆材料及/或清洗材料引入處理室中及/或從處理室除去;其中該至少一基材可利用對立電極容納在該對立電極之朝向該電極的前側上;一個真空室的裝載及卸除開口,且宜具有一封閉裝置;其中:設有一改變裝置以改變電極之間的相對距離,其中第一種較大的距離係在該處理室裝載該至少一種基材或該基材卸除時設定,而第二種較小的距離係在該至少一種基材作處理時設定,及/或一個容納裝置,和對立電極相關,用於容納基材,其設計使得至少一種基材至少在處理時(特別是施覆時,且宜在包含在處理室作裝載或卸除時)以所要處理的表面朝下相對於軟銲方向設成一角度��,在0�-90�範圍。此外還關於一種扁平基材用的握持裝置,具有一個夾臂模組設計成使該基板可平行於其基板表面運動,且該基板至少在一處理室作裝載及卸除之時,以一要處理的表面朝下對軟銲方向設成一角度��,在0�-90�之間的範圍。此外還關於一種扁平基材用的加工裝置,具有
一運送室、至少一處理受器、及一運送機器人,該運送室沿一縱方向延伸。該處理受器用於處理扁平基材且和該運送室配合或可和該運送室連接,該運送機器人用於運送基材且可沿縱方向運動,其中:該處理受器及/或運送機器人設計成使該基板至少在一預定時間區間時(特別是基板在處理受器中作處理時)以要處理的表面朝下對軟銲方向設成一角度��,在0�-90�範圍。此外還關於一種扁平基材用的處理方法,特別是用於將扁平基材施覆一種施覆材料者,具有:一真空室,其內設有一處理室,其中設有一第一電極及一個對立電極,以產生一電漿以將一要處理的表面作處理,並形成該處理室的二個對立的壁;氣態材料的引入手段及除去手段,特別是將施覆材料及/或清洗材料引入處理室中及/或從處理室除去;其中該至少一基材可利用對立電極容納在該對立電極之朝向該電極的前側上;一個真空室的裝載及卸除開口,且宜具有一封閉裝置;其中:該電極之間的距離可調整,其中在處理室裝載或卸除該至少一基板時係調成一第一較大的距離,在該至少一基板作施覆時,調成一第二較小的距離,且/或該至少一基板至少作處理時(特別是在施覆時,尤其是還有其處理室作裝載或拆卸時)以所要處理的表面朝下對軟銲方向設成一一角度��,在
0�-90�之間的範圍。
简体摘要：一种扁平基材用的处理系统,特别是用于将扁平基材施覆一种施覆材料者,具有:-一真空室,其内设有一处理室,其中设有一第一电极及一个对立电极,以产生一等离子以将一要处理的表面作处理,并形成该处理室的二个对立的壁;气态材料的引入手段及除去手段,特别是将施覆材料及/或清洗材料引入处理室中及/或从处理室除去;其中该至少一基材可利用对立电极容纳在该对立电极之朝向该电极的前侧上;一个真空室的装载及卸除开口,且宜具有一封闭设备;其中:设有一改变设备以改变电极之间的相对距离,其中第一种较大的距离系在该处理室装载该至少一种基材或该基材卸除时设置,而第二种较小的距离系在该至少一种基材作处理时设置,及/或一个容纳设备,和对立电极相关,用于容纳基材,其设计使得至少一种基材至少在处理时(特别是施覆时,且宜在包含在处理室作装载或卸除时)以所要处理的表面朝下相对于软焊方向设成一角度��,在0�-90�范围。此外还关于一种扁平基材用的握持设备,具有一个夹臂模块设计成使该基板可平行于其基板表面运动,且该基板至少在一处理室作装载及卸除之时,以一要处理的表面朝下对软焊方向设成一角度��,在0�-90�之间的范围。此外还关于一种扁平基材用的加工设备,具有一运送室、至少一处理受器、及一运送机器人,该运送室沿一纵方向延伸。该处理受器用于处理扁平基材且和该运送室配合或可和该运送室连接,该运送机器人用于运送基材且可沿纵方向运动,其中:该处理受器及/或运送机器人设计成使该基板至少在一预定时间区间时(特别是基板在处理受器中作处理时)以要处理的表面朝下对软焊方向设成一角度��,在0�-90�范围。此外还关于一种扁平基材用的处理方法,特别是用于将扁平基材施覆一种施覆材料者,具有:一真空室,其内设有一处理室,其中设有一第一电极及一个对立电极,以产生一等离子以将一要处理的表面作处理,并形成该处理室的二个对立的壁;气态材料的引入手段及除去手段,特别是将施覆材料及/或清洗材料引入处理室中及/或从处理室除去;其中该至少一基材可利用对立电极容纳在该对立电极之朝向该电极的前侧上;一个真空室的装载及卸除开口,且宜具有一封闭设备;其中:该电极之间的距离可调整,其中在处理室装载或卸除该至少一基板时系调成一第一较大的距离,在该至少一基板作施覆时,调成一第二较小的距离,且/或该至少一基板至少作处理时(特别是在施覆时,尤其是还有其处理室作装载或拆卸时)以所要处理的表面朝下对软焊方向设成一一角度��,在 0�-90�之间的范围。

8. 发明专利

TW200837808A 電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理方法
公开(公告)号：TW200837808A
公开(公告)日：2008-09-16
申请号：TW096129025
申请日：2007-08-07
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：石原益法 ISHIHARA, MASUNORI , 口正道 SAKAGUCHI, MASAMICHI , 西森康博 NISHIMORI, YASUHIRO , 工藤豐 KUDO, YUTAKA , 宇根聰 UNE, SATOSHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32743 , H01J37/3244 , H01J37/32788 , H01L21/67069 , H01L21/67213
摘要：本發明係一種電漿處理方法,其課題為,將樣品送入至處理室內,進行電漿處理,並在從處理室內至送出為止之中,降低經由根據在處理室內的壓力變動而產生之異物捲起等之異物,而解決手段為具有處理樣品之複數的電漿處理室,和連接於各處理室內,為了運送樣品之運送室;使用具備對於兩室內或只有處理室內,供給供給至運送室之運送用氣體與相同氣體之供給系統的電漿處理裝置之電漿處理方法,其中,具有在導入運送用氣體至處理室內之後,於處理室內,運送樣品之工程(B),在維持之後處理室內之前述運送用氣體等入之狀態,利用處理室內之運送用氣體而使電漿產生之工程(C),在維持其電漿之狀態,連續於處理室內供給處理氣體,從運送用氣體切換為處理氣體之工程(D),對於樣品進行電漿處理之工程(E)。
简体摘要：本发明系一种等离子处理方法,其课题为,将样品送入至处理室内,进行等离子处理,并在从处理室内至送出为止之中,降低经由根据在处理室内的压力变动而产生之异物卷起等之异物,而解决手段为具有处理样品之复数的等离子处理室,和连接于各处理室内,为了运送样品之运送室;使用具备对于两室内或只有处理室内,供给供给至运送室之运送用气体与相同气体之供给系统的等离子处理设备之等离子处理方法,其中,具有在导入运送用气体至处理室内之后,于处理室内,运送样品之工程(B),在维持之后处理室内之前述运送用气体等入之状态,利用处理室内之运送用气体而使等离子产生之工程(C),在维持其等离子之状态,连续于处理室内供给处理气体,从运送用气体切换为处理气体之工程(D),对于样品进行等离子处理之工程(E)。

9. 发明专利

TW201725651A 樣品的脫離方法及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：样品的脱离方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201725651A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105126383
申请日：2016-08-18
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：石黒正貴 , ISHIGURO, MASAKI , 角屋誠浩 , SUMIYA, MASAHIRO , 白米茂 , SHIRAYONE, SHIGERU , 田村智行 , TAMURA, TOMOYUKI , 池永和幸 , IKENAGA, KAZUYUKI
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32706 , H01J37/32715 , H01J37/32788 , H01L21/67069 , H01L21/6833
摘要：本發明，係提供可減低往樣品附著的異物的樣品的脫離方法及電漿處理裝置。本發明，係在從對靜電吸附用的電極施加直流電壓使得靜電吸附了樣品的樣品台使經電漿處理的樣品脫離的樣品的脫離方法中，使前述經電漿處理的樣品上升至前述樣品台之上方後，以前述樣品的電位變小的方式控制前述直流電壓。
简体摘要：本发明，系提供可减低往样品附着的异物的样品的脱离方法及等离子处理设备。本发明，系在从对静电吸附用的电极施加直流电压使得静电吸附了样品的样品台使经等离子处理的样品脱离的样品的脱离方法中，使前述经等离子处理的样品上升至前述样品台之上方后，以前述样品的电位变小的方式控制前述直流电压。

10. 发明专利

TW201250038A 真空處理裝置审中-公开
简体标题：真空处理设备
公开(公告)号：TW201250038A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW100137718
申请日：2011-10-18
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：藤本信也 , 林信博 , 廣野貴啟 , 多田勳
IPC分类号： C23C , B65H
CPC分类号： C23C14/3407 , C23C14/3464 , C23C14/562 , H01J37/32458 , H01J37/32743 , H01J37/32752 , H01J37/32761 , H01J37/32788 , H01J2237/3325
摘要：提供一種：以使搬運等成為便利的方式，來將真空處理室和真空輔助室作分開構成，而在設置現場處之組裝作業為容易且維修性為佳之真空成膜裝置。將具備被捲繞有長條之薄片狀基材(S)的一部分之捲筒(15)和被配置在此捲筒之下方處並從上游側而將薄片狀基材作搬送的複數之滾輪(16c)以及處理單元(4)的真空處理室(1)、和將薄片狀基材送至真空處理室之上游側的真空輔助室(2)、以及將薄片狀基材作捲取回收之下游側的真空輔助室(3)，作連續設置而構成之。上述真空處理室以及真空輔助室，係於被載置在設置於地面上之架台上的基底平板處，將使下面作了開口的箱體，從其之下面側來作設置，而分別區劃出來。複數之滾輪，係構成為一體之滾輪單元，並以可自由進出捲筒之下方空間的方式，而被設置在真空處理室內。
简体摘要：提供一种：以使搬运等成为便利的方式，来将真空处理室和真空辅助室作分开构成，而在设置现场处之组装作业为容易且维修性为佳之真空成膜设备。将具备被卷绕有长条之薄片状基材(S)的一部分之卷筒(15)和被配置在此卷筒之下方处并从上游侧而将薄片状基材作搬送的复数之滚轮(16c)以及处理单元(4)的真空处理室(1)、和将薄片状基材送至真空处理室之上游侧的真空辅助室(2)、以及将薄片状基材作卷取回收之下游侧的真空辅助室(3)，作连续设置而构成之。上述真空处理室以及真空辅助室，系于被载置在设置于地面上之架台上的基底平板处，将使下面作了开口的箱体，从其之下面侧来作设置，而分别区划出来。复数之滚轮，系构成为一体之滚轮单元，并以可自由进出卷筒之下方空间的方式，而被设置在真空处理室内。

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