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1. 发明专利

TWI642102B 含矽膜之成膜方法及成膜裝置有权
简体标题：含硅膜之成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TWI642102B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW105119373
申请日：2016-06-21
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐藤潤 , SATO, JUN , 菊地宏之 , KIKUCHI, HIROYUKI , 村田昌弘 , MURATA, MASAHIRO , 三浦繁博 , MIURA, SHIGEHIRO
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/42

2. 发明专利

TWI612175B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI612175B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW104129463
申请日：2015-09-07
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：三浦繁博 , MIURA, SHIGEHIRO , 佐藤潤 , SATO, JUN
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458 , H01J37/32 , H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/67 , H01L21/687
CPC分类号： H01L21/0234 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , H01J37/32366 , H01J37/32458 , H01J37/32513 , H01J37/32715 , H01J37/32752 , H01J37/32899 , H01L21/02164 , H01L21/0228 , H01L21/31116 , H01L21/68764 , H01L21/68771

3. 发明专利

TW201619436A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201619436A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104128566
申请日：2015-08-31
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：三浦繁博 , MIURA, SHIGEHIRO , 加藤壽 , KATO, HITOSHI , 佐藤潤 , SATO, JUN , 菊地宏之 , KIKUCHI, HIROYUKI
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/311 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/31116 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , C23C16/52 , H01L21/02164 , H01L21/02219 , H01L21/0228 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要：一種基板處理方法，係將基板載置於被區劃為沿著旋轉台之旋轉方向而供給蝕刻氣體的處理區域，以及不供給該蝕刻氣體，而供給沖淨氣體之沖淨區域之處理室內所設置的該旋轉台上。將蝕刻氣體供給至該處理區域。將沖淨氣體供給至該沖淨區域。讓該旋轉台旋轉，而在讓該旋轉台旋轉一次時，會讓該基板通過該處理區域與該沖淨區域各一次。在該基板通過該處理區域時，便蝕刻該基板表面所形成之膜。藉由改變該旋轉台之旋轉速度來控制蝕刻該膜之蝕刻速率或蝕刻後該膜之表面粗度。
简体摘要：一种基板处理方法，系将基板载置于被区划为沿着旋转台之旋转方向而供给蚀刻气体的处理区域，以及不供给该蚀刻气体，而供给冲净气体之冲净区域之处理室内所设置的该旋转台上。将蚀刻气体供给至该处理区域。将冲净气体供给至该冲净区域。让该旋转台旋转，而在让该旋转台旋转一次时，会让该基板通过该处理区域与该冲净区域各一次。在该基板通过该处理区域时，便蚀刻该基板表面所形成之膜。借由改变该旋转台之旋转速度来控制蚀刻该膜之蚀刻速率或蚀刻后该膜之表面粗度。

4. 发明专利

TWI521086B 形成矽氧化物膜的方法有权
简体标题：形成硅氧化物膜的方法
公开(公告)号：TWI521086B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW101139777
申请日：2012-10-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：村上博紀 , MURAKAMI, HIROKI , 池內俊之 , IKEUCHI, TOSHIYUKI , 佐藤潤 , SATO, JUN , 兩角友一朗 , MOROZUMI, YUICHIRO , 長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/42 , H01L21/205 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/32105 , H01L21/02532 , H01L21/0262

5. 发明专利

TW201602383A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201602383A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104103985
申请日：2015-02-06
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤壽 , KATO, HITOSHI , 佐藤潤 , SATO, JUN , 村田昌弘 , MURATA, MASAHIRO , 大下健太郎 , OSHIMO, KENTARO , 菅野智子 , SUGANO, TOMOKO , 三浦繁博 , MIURA, SHIGEHIRO
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/4584 , C23C16/345 , C23C16/45519 , C23C16/45538 , C23C16/45551 , C23C16/507 , C23C16/52 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228
摘要：一種基板處理方法，其具有供給處理氣體至基板的工序；供給分離氣體至該基板的工序；在第1電漿產生裝置與該旋轉台之間的距離為第1距離的狀態下，供給第1電漿處理用氣體至該基板的工序；在第2電漿產生裝置與該旋轉台之間的距離為較該第1距離要小的第2距離的狀態下，供給第2電漿處理用氣體至該基板的工序；以及供給該分離氣體至該基板的工序。
简体摘要：一种基板处理方法，其具有供给处理气体至基板的工序；供给分离气体至该基板的工序；在第1等离子产生设备与该旋转台之间的距离为第1距离的状态下，供给第1等离子处理用气体至该基板的工序；在第2等离子产生设备与该旋转台之间的距离为较该第1距离要小的第2距离的状态下，供给第2等离子处理用气体至该基板的工序；以及供给该分离气体至该基板的工序。

6. 发明专利

TWI430364B 薄膜形成裝置及使用其之方法有权
简体标题：薄膜形成设备及使用其之方法
公开(公告)号：TWI430364B
公开(公告)日：2014-03-11
申请号：TW097138786
申请日：2008-10-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：野寺伸武 , NODERA, NOBUTAKE , 佐藤潤 , SATO, JUN , 松永正信 , MATSUNAGA, MASANOBU , 長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/67 , C23C16/44
CPC分类号： H01L21/3185 , C23C16/345 , C23C16/4405 , C23C16/45519

7. 发明专利

TWI421938B 用於半導體製程之薄膜形成裝置有权
简体标题：用于半导体制程之薄膜形成设备
公开(公告)号：TWI421938B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW097138775
申请日：2008-10-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：野寺伸武 , NODERA, NOBUTAKE , 佐藤潤 , SATO, JUN , 山本和彌 , YAMAMOTO, KAZUYA , 長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/3065 , C23C16/44
CPC分类号： H01L21/3185 , C23C16/345 , C23C16/4405 , C23C16/45525

8. 发明专利

TWI623642B 含矽膜之成膜方法有权
简体标题：含硅膜之成膜方法
公开(公告)号：TWI623642B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：TW105105367
申请日：2016-02-24
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐藤潤 , SATO, JUN , 三浦繁博 , MIURA, SHIGEHIRO
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/455 , C23C16/24 , H01L21/02 , H01L21/205

9. 发明专利

TW201724199A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201724199A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105120261
申请日：2016-06-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：三浦繁博 , MIURA, SHIGEHIRO , 佐藤潤 , SATO, JUN
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455
摘要：一種基板處理方法，係使用處理室來進行基板處理，該處理室具有：第1處理氣體供給區域；第1排氣口，係用以將供給於該第1處理氣體供給區域之第1處理氣體加以排氣而設者；第2處理氣體供給區域；第2排氣口，係用以將供給於該第2處理氣體供給區域之第2處理氣體加以排氣而設者；以及連通空間，係將該第1排氣口與該第2排氣口加以連通；使得該第1排氣口之排氣壓力較該第2排氣口之排氣壓力高出既定壓力，防止該第2處理氣體混入該第1排氣口來進行基板處理。
简体摘要：一种基板处理方法，系使用处理室来进行基板处理，该处理室具有：第1处理气体供给区域；第1排气口，系用以将供给于该第1处理气体供给区域之第1处理气体加以排气而设者；第2处理气体供给区域；第2排气口，系用以将供给于该第2处理气体供给区域之第2处理气体加以排气而设者；以及连通空间，系将该第1排气口与该第2排气口加以连通；使得该第1排气口之排气压力较该第2排气口之排气压力高出既定压力，防止该第2处理气体混入该第1排气口来进行基板处理。

10. 发明专利

TW201709326A 含矽膜之成膜方法及成膜裝置审中-公开
简体标题：含硅膜之成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW201709326A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105119373
申请日：2016-06-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐藤潤 , SATO, JUN , 菊地宏之 , KIKUCHI, HIROYUKI , 村田昌弘 , MURATA, MASAHIRO , 三浦繁博 , MIURA, SHIGEHIRO
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/42
CPC分类号： H01L21/76802 , C23C16/045 , C23C16/402 , C23C16/45534 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02219 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/68714 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/76831 , H01L21/76898
摘要：一種含矽膜之成膜方法，係將含矽膜填充於基板表面所形成之凹陷，包含有第1成膜循環，該第1成膜循環係由第1矽吸附工序、矽蝕刻工序以及第1含矽膜沉積工序所構成；該第1矽吸附工序係將含矽氣體供給至該基板，而讓該含矽氣體吸附於該凹陷內；該矽蝕刻工序係將蝕刻氣體供給至該基板，而蝕刻吸附於該凹陷內之該含矽氣體的矽成分之一部分；該第1含矽膜沉積工序係將會與該矽成分反應之反應氣體供給至該基板，來與蝕刻後持續吸附於該凹陷內所殘留的該矽成分反應，以生成反應生成物，而讓含矽膜沉積於該凹陷內。
简体摘要：一种含硅膜之成膜方法，系将含硅膜填充于基板表面所形成之凹陷，包含有第1成膜循环，该第1成膜循环系由第1硅吸附工序、硅蚀刻工序以及第1含硅膜沉积工序所构成；该第1硅吸附工序系将含硅气体供给至该基板，而让该含硅气体吸附于该凹陷内；该硅蚀刻工序系将蚀刻气体供给至该基板，而蚀刻吸附于该凹陷内之该含硅气体的硅成分之一部分；该第1含硅膜沉积工序系将会与该硅成分反应之反应气体供给至该基板，来与蚀刻后持续吸附于该凹陷内所残留的该硅成分反应，以生成反应生成物，而让含硅膜沉积于该凹陷内。

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